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回復 #1 君婷 的帖子
關於你的問題:
6 I. c& b1 T' I! C+ T6 T" m; [Epd>=2λ:閘poly需超過diffusion的最小長度。若不超過話,在diffusion or Implant source/drain時,將使source/drain因為diffusion overlap而短路。2 d# M( I; H, D+ Y
. l: h/ L a- q+ s其實是多慮了,這只是特殊情況,沒有人會犯這種錯' `4 N4 K( U+ D
我們在畫MOS的時候不是會把poly覆蓋在diffusion上嗎?: ? B% e) b3 D; E5 J8 x: F: o# z
其中的兩邊就是source跟drain,
0 ^8 V& F: n1 \# p# f9 b' g* {& [而poly跟diffusion覆蓋的區域就是gate# F5 B/ K2 E4 n; l
這是無庸置疑的嘛~6 F+ q, y9 J0 U0 A9 N" |2 s- D0 N" n
MOS一般的digital操作我們知道就是在gate上施加電壓以使其導通或截止
1 w; c( k$ ?. z/ F" e- f9 R6 ^, Z書上寫的意思是說poly我們都會使它超過diffusion,
( R3 y/ c% T) D9 K而超過多少則有design rule規範 {# S: W4 H. I( W3 o: M
如果今天poly的某一端沒有超過deffusion,5 [) Y, g2 D v2 U2 [
也就是說poly並沒有整個把兩塊diffusion區隔開來
# A. v" G+ Q. T$ g& U$ G( D% K/ P這樣的話就沒有形成source跟drain
/ E9 }% ]5 R4 X& z' L* J/ l6 j, d( _$ \也就不算是一顆MOS,
* ]: Q4 ~" V- R1 q- x所以書上才會說兩端短路,是因為根本沒有區隔出source跟drain
X& K; I2 b; u9 A7 d; L9 W; A: n' V1 ~
而λ只是一個單位符號,看看就好,( m6 g9 H, y; }' F5 J$ @
他只是為了要讓看書的人大概知道幾λ幾λ,
0 H0 g4 v- t" I G$ U這個rule跟那個rule大概的比值是多少,
) O+ C0 Q6 C2 i/ _% @7 Q4 u所以不用太在意,畢竟每個process的rule都不一樣* b. V( I$ t, }5 ]/ o5 |( V9 |
所以書上為了不想表示成一個定值/ H; [$ K1 A0 q0 z2 O7 \
就用λ來表示,意思相信也是希望讀者不要認為它是個絕對的值
, @$ V) G: n, v% ~1 E) s( s, k$ \: v A* _) x
從您的發問可以看出來您是位剛入門的同事" a y7 `& y- h# p3 H# C- k
因此建議您書上的看看就好,design rule比較重要!
, Y" I' h, D* S( g# ], I
/ z6 P( L8 A5 |, D小弟的淺見!4 D9 V( K t# s* Q0 j
如果有不對的地方還請指教~
7 C) n k D/ @4 K! L+ }" O/ c# v
& `! u8 Z! k) O2 S[ 本帖最後由 vlsi5575 於 2007-7-13 02:06 PM 編輯 ] |
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