VCO量測考量問題

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想請問各位前輩，本身是做LC VCO，在量測考量有幾個問題想請教:
% @9 `' I$ I  |. D* J! E2 g) i1.目前我查的資料說，晶片拿到CIC要量測時，需再接Bias-Tee電路，再接頻譜分析儀。我的問題點是想在模擬時加入此Bias-Tee電路+50歐姆負載，但我不知道CIC所提供之Bias-Tee電路的元件參數為何?
) c9 q7 u, q$ q* a2.想請問VCO所接的PAD是要用CIC所提供的哪種PAD。
% O8 Y5 t* \4 L( P7 J) T: b3.電路加入PAD負載考量時，電路要加多大的電容負載來模擬PAD負載呢?