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本帖最後由 a5317 於 2013-1-31 01:27 PM 編輯
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$ [$ M2 ^. P9 g6 g4 j想請問各位大大
1 G9 }/ u* O& Y/ K
8 L: y& z, w! Z; s" v我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時,若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)& g5 m# {. @- ?+ u
% P# |6 ], ~* l; D還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。
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4 F. @' @( [* x# C小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近1 R. v2 {2 ]. O3 x6 J% v2 j0 [& Y
, n4 j4 X9 s2 N9 J5 K
但是有約有50mV的偏移。
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6 T5 _ H! r' m3 e" p6 y3 V& G8 J* j ^* Z( h+ E. c; y* R! X7 R
這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
6 ^ Z' J7 |, l" y- ]0 M想問這樣是正確的嗎 |
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