NXP半導體中文定名為 “恩智浦半導體”

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+ v: |4 Y# `% z3 R" _業界最高性能、獲得EEMBC認證的CortexTM-M3處理器為基礎的恩智浦LPC1700微控制器系列產品
擴充至512 KB快閃記憶體的新選擇
根據嵌入式微處理器基準聯盟(EEMBC)的測試結果，恩智浦LPC1700系列是業界最高性能的Cortex-M3微控制器。EEMBC測試結果顯示，以相同時脈速度運行時，LPC1700執行應用程式碼的速度相較其他主要Cortex-M3競爭產品平均快35%。LPC1700已獲得EEMBC 72,100和120 MHz認證。速度和效能的提高主要歸功於該微控制器的智慧型架構，以及其靈活的直接記憶體存取(DMA)和市場最佳快閃記憶體的使用。LPC1700系列能主要能毫無障礙同時運作如乙太網、USB On-The-Go/Host/Device和CAN等高頻寬通信的周邊設備。此微控制器設計可廣泛應用於電子計量、照明、工業網路、警報系統、家用電器和馬達控制等各種應用。
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7 T& h) P; J, H8 Y7 a$ M- C, X業界功耗最低的以CortexTM-M3處理器為基礎的恩智浦LPC1300微控制器系列產品
* a# x9 [! K# x+ I3 ~2 d整合低成本USB 2.0和嵌入式驅動軟體
( o, X% E( v' C: }3 s3 T恩智浦新款LPC1300系列以Cortex™-M3為基礎的第二版內核，針對嵌入式16位元和32位元應用而設計，工作頻率為70 MHz，功耗約為200 µA/MHz，提供先進的電源管理和極高的整合度。新款LPC1311/13/42/43微控制器與恩智浦Cortex-M0微控制器LPC1100系列引腳相容，提供32 KB快閃記憶體、8KB SRAM記憶體、低成本USB和最多42個通用I/O引腳，方便使用者順利過渡至16位元和32位元應用。
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LPC1300系列內置嵌套向量中斷控制器(NVIC)，採用3.3V單電源供電，並且整合了電源管理單元，以便將睡眠、深度睡眠和深度斷電模式下的功耗降至最低。透過板上引導載入軟體(bootloader)支援系統內編程(ISP)和應用中編程(IAP)，並提供許多串列介面，包括高速USB 2.0、UART、SSP/SPI控制器及I2C匯流排界面。為方便使用，USB儲存和人機介面驅動皆包含在晶片內，能在數分鐘內即可建立起USB通訊。而且這些驅動整合在ROM中，讓使用者得以應用快閃記憶體百分之百的空間。

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恩智浦半導體以最新智慧識別解決方案展現人性科技

( L8 p/ O, j& k4 ]( S( R1 x" k' O【台北訊，2009年06月04日】–預見智慧識別市場的成長潛力，恩智浦（NXP Semiconductors，由飛利浦成立的獨立半導體公司）積極投入遠端感測晶片的技術研發。恩智浦領先業界的NFC(近距離無線通訊)技術為各類終端設備提供便利的連接與資訊交換的功能外，也扮演藍牙傳輸技術上互補的角色，使消費者可以快速、輕鬆的方式進行通訊傳輸。

2 q3 v4 N6 [7 i7 @( F: V3 E% s此次恩智浦於101大樓84樓的展示中心，展出包括藍牙切換(Bluetooth handover)、vCard傳輸等嵌入式應用及以歐洲電信標準協會(ETSI)制定的最新NFC規範為基礎的PN544晶片，為手機用戶提供一系列新的非接觸式應用，如直接從手機SIM（用戶識別模組）卡進行資料共用，為消費者帶來更便利、人性化的使用者體驗。
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8 I8 t9 `: h& g0 Y近距離無線通訊(NFC)控制器PN544控制器，推動近距離無線通訊的全球普及
0 Q: t2 t8 o& f( |. y首款達到產業標準的近距離無線通訊(NFC)控制器PN544，為手機製造商和行動營運商提供完全相容的平台，用以推出下一代NFC設備和服務。恩智浦新的PN544晶片以歐洲電信標準協會(ETSI)制定的最新NFC規範為基礎，帶給手機用戶一系列新的非接觸式應用，如行動支付、交通和大型活動票務以及直接從手機SIM（用戶識別模組）卡進行資料共用等，進而改善用戶的使用體驗。

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推出以第七代LDMOS BLF7G22L-130電晶體為基礎的業界最高功效分立式Doherty放大器

2 I& V) D) r" ?7 W2 `4 k# W* N& b3 C【台北訊，2009年6月8日】  – 恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦成立的獨立半導體公司）近日發佈了全球最高功效的三路Doherty放大器，為節能RF基地台樹立新標準，並拓展了領先業界的RF功率解決方案系列。
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以新概念為基礎 ，Doherty電路對於多載波W-CDMA訊號的功效水準超過47%，平均功率輸出為48 dBm，增益為15 dB，峰均值比(peak to average ratio)為8 dB。目前的設計涵蓋了W-CDMA標準頻段工作頻率，專門針對高產量、調整極小的製造而推出。
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恩智浦半導體射頻功率產品行銷總監Mark Murphy表示：「以創新的三路Doherty概念，我們將Doherty放大器的優勢與我們Doherty最佳化的第七代LDMOS技術巧妙地結合，實現了業界最高功效水準和良好的預失真(pre-distort)能力，同時大幅降低成本。LTE等新興行動通訊標準要求高功效放大器，Doherty技術的開發正是為了直接回應客戶此一需求。如此一來，可藉由創紀錄的高功效和性能將系統的總功耗顯著降低。」
6 R$ B0 a- g4 n. Y+ J( a& ^9 e/ s, b
$ D0 u: R9 k' `+ @% V* ?) p恩智浦將在2009年度IMS展會上展示首款三路LDMOS Doherty放大器，以及適合微波和廣播/ISM應用的其他高性能產品。該展會將於6月9日至11日在美國波士頓舉行，恩智浦展場攤位為2403。恩智浦亦將在6月7日至12日舉辦的2009年度IMS會議上針對Doherty技術概念發表演講。

heavy91

恩智浦半導體發表突破性的新款線上設計工具
適用於符合PMBus協議規範的電源管理IC

以網路為基礎的創新設計與監控解決方案將大幅縮短IC上市時間

恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦創建的獨立半導體公司），最近發表了針對電源管理IC的創新線上設計與監控解決方案。該工具提供完整的線上設計支援功能與技術，為整個設計週期提供了一次購足（one-stop shop）的服務，協助工程師們儘可能地縮短產品開發的時間。

. h! x# `" h( Y  }3 @此款線上工具是一款簡單且容易使用，並可透過網路瀏覽器輕鬆存取的配置管理應用程序，可提高整體設計流程的效率。恩智浦的PIP8000電源供應界面可以支援電源監控、配置和工作排序，建立一個多用途的設計環境。恩智浦的客戶還可以使用該工具以虛擬的方式客制化其設計環境，大幅縮短產品開發時間。此款工具不僅能提供即時性的回饋與診斷功能，還能讓使用者根據PMBus指令語言和物理介面自行配置電源系統。

1 P; J1 M4 w0 z" L恩智浦全球品牌體驗總監Michel Claassens表示：「我們是業界第一家發表這種新型線上設計工具的公司，滿足了客戶要求改善線上服務的需求。這款工具可幫助客戶縮短其產品開發週期，同時也使我們的服務向前邁進重要的一步，可以在整個設計週期內更完整地提供支援予我們的客戶。」

此款線上設計工具可用於控制和監測電源管理的應用。使用者可以利用多樣的PMBus指令來快速調整電壓和電流配置、控制風扇轉速、監控電源管理系統的熱行為（thermal behaviour），與記錄電源系統參數，讓使用者可以在現有的類比電源解決方案的基礎上增加完整的控制選項，包括供電排序（power sequencing）。
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0 @# v- A7 w8 j# @+ A6 F2 k" d9 k恩智浦電源解決方案行銷總監Edwin Kluter表示：「恩智浦的PIP8000是一款符合PMBus規範且功能強大的電源管理監控IC。新推出的PIP8000線上電源供應界面進一步證明我們正全力地為客戶提供領先業界的線上設計支援功能與技術。透過PMBus線上設計工具，客戶可以虛擬的方式客制化其設計環境，進而大幅縮短設計所需時間。」
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0 s+ a6 |, Q4 d- Q3 p# P8 S5 ]此款線上設計工具的功能包括：
·可配置圖形化的使用者界面（類比PMBus主機），利用經過驗證的PIP8000預設值以自動定位所有連接設備
1 I5 N: z( B6 a' \# P·PMBus描述與除錯功能
: P% l9 j4 o; r9 F·符合PMBus 1.1指令集
·支援線性和直接模式的資料格式，並提供即時切換的功能
·使用者指令和圖形顯示包括：電壓、電流、風扇和熱（thermals）
·風扇控制最多可以開啟或關閉兩台風扇，並且可以讀取風扇轉速（RPM）
8 j. k, r5 B* m  }5 r' n3 v# o3 W此款工具的詳細資訊，請參觀網站：http://web.transim.com/nxp/pmbus/entryway.aspx
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& C# d2 ~3 G$ ^[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-7-13 06:28 PM 編輯 ]

heavy91

恩智浦半導體推出全球首款性能低於1毫歐的Power SO8封裝MOSFET

恩智浦的全球首款MOSFET新產品為業界建立MOSFET能耗新標準

【台北訊，2009年7月13日】－恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦創建的獨立半導體公司），今日宣佈推出全球首款n通道、1毫歐以下25V MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）產品，型號為PSMN1R2-25YL。該產品擁有最低的導通電阻（RDSon）與一流的FOM（Figure of Merit）
參數。該產品是目前為止採用Power-SO8無損封裝（Loss Free package；LFPAK）中具備最低導通電阻的MOSFET產品，也是恩智浦現有MOSFET產品系列的延伸。最新一代MOSFET產品整合了高性能Power-S08無損封裝與最新Trench 6代矽技術，可在多種特殊要求的應用條件下，例如電源OR-ring、電機控制（motor control）和高效同步降壓調節器（buck-regulators）等，提供不同的性能與可靠的優勢。
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4 A) x2 g# t. l/ {8 ]  p$ p恩智浦資深國際產品行銷經理John David Hughes表示：「在MOSFET製造技術領域，性能改善是一場長時間的競賽。我們在最新Trench 6中採用創新技術，進一步降低導通電阻。對客戶而言，新的Trench技術為他們帶來許多效益，例如：提高矽技術的開關效率，以及在封裝上提供更為優異的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦Power-S08無損封裝與所有被廣泛接受的Power SO-8 PCB封裝皆相容。」

$ K8 M/ X) T1 {7 w# t, |領先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL，採用Power-S08 無損封裝時，25 V MOSFET的導通電阻為典型值0.9毫歐，而30 V MOSFET的導通電阻為典型值1.0毫歐。  

$ q- E- Z2 r$ k* T5 C9 i/ ?除了全球最低的導通電阻 MOSFET之外，恩智浦亦宣佈推出為電源供應、電機控制和工業市場設計的新產品系列。該系列產品的作業電壓為25 V、30 V、40 V和80 V，並採用Power-S08無損封裝和TO220封裝。

上市時間：

PSMN1R2–25YL目前已上市。

jiming

恩智浦半導體「聲學解決方案（Sound Solutions）」以「客戶至上」的經營理念榮獲歐洲品質管理基金會的認可
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【台北訊，2009年10月12日】 – 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）日前宣佈其總部位於奧地利維也納的聲學解決方案產品部，以其客戶至上的理念獲得著名歐洲品質管理基金會（European Foundation for Quality Management；EFQM）的卓越成就獎。恩智浦憑藉其傑出的客戶滿意度、客戶至上的經營模式，以及持續地為客戶提供頂尖技術而獲頒該獎項。

恩智浦聲學解決方案產品部是為手機提供聲學零組件的全球市場和技術的領導者，並曾在2007年入圍EFQM卓越成就獎的最終提名，而其產品出貨量迄今已突破30億個。恩智浦聲學解決方案產品部的市佔率達30%，目前客戶群涵蓋全球前七大手機製造商中的五家。除奧地利的研發和生產廠房外，聲學解決方案產品部在北京也設有生產據點，以滿足亞洲市場的需求。此外，聲學解決方案產品部在亞洲地區還擁有多家重要的OEM和ODM客戶。
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本次共計14家公司獲得提名，包含進修教育（further education）、汽車、醫藥和顧問等多種產業。評審委員會由來自產業之領導企業和公共服務組織的高階管理者所組成，評審內容包括實地參觀與詳細的調查問卷分析。恩智浦通過嚴格的評選和審查，証明其卓越的商業領導地位。

恩智浦半導體聲學解決方案產品部總經理Ernst Müllner表示：「在過去三年中，兩次入圍至EFQM的最後評選階段，證明恩智浦半導體聲學解決方案產品部『持續追求完善』與『追求品質熱忱』的公司理念。透過持續追求企業之卓越經營（Business Excellence），我們得以振興營運並對抗嚴峻的市場考驗、洞悉消費者需求的改變，並幫助我們的客戶與市場發展保持同步。」
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EFQM卓越成就獎的獲獎者名單是在九月底比利時布魯賽爾EFQM論壇期間舉辦的慶祝晚宴上所公佈的。

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恩智浦半導體GreenChip為小筆電電源轉換器帶來更高的效能
新款TEA1733(L)實現精巧且高效能的電源設計

【台北訊，2009年11月25日】 – 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今日宣佈推出一款低成本晶片GreenChip TEA1733(L)，適用於75W以下電源，以增加效能並提升待機性能。TEA1733是一款開關模式電源(SMPS)控制晶片，專為小筆電及印表機的電源轉換器、液晶顯示器電源等低功率運算與通訊應用設備而設計，可達到低於100mW的待機功率水準。GreenChip TEA1733是恩智浦計畫於明年推出的一系列低功率AC/DC控制器產品的首款產品。   

# o6 Q' N  w  H/ P& q9 ~8 l恩智浦半導體電源解決方案行銷總監Edwin Kluter表示︰「小巧美觀的設計需求日益受到市場所重視，而GreenChip TEA1733使消費者能體驗更小、更輕巧的小筆電電源轉換器，不但達到經濟效益，亦能節省能耗。GreenChip TEA1733在低功耗應用中達到了全新的效能水準境界，並減少外部元件的數量，使OEM廠商在保有產品高品質與高可靠性的同時，兼具價格競爭力。」

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TEA1733僅需要極低的10μA啟動電流，在正常工作時IC僅消耗1.25mA的低電流，能夠在低功耗的待機模式及所有負載水準下，達到更高的效率。高輸出功率下的固定頻率運作與低輸出功率下的降頻運作模式的整合，使電源在全部負載範圍內都具備很高的效率。TEA1733的高整合度可使電源的設計更小巧與輕巧，並且減少了所需的IC外部元件數量。恩智浦同時推出具有安全重啟保護功能版本的TEA1733，以及閉鎖保護版本的TEA1733(L)。
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! _! J! x2 R  ^1 d- h作為設計與製造節能電源解決方案的行業領導者，恩智浦半導體迄今已銷售出約5億組GreenChip。GreenChip系列讓電源供應製造商能更輕鬆且更具成本效益地達到市場上的標準規格（例如80PLUS®和能源之星®）。GreenChip系列晶片專為節能所設計，自上市以來一直引領著個人電腦運算效能（尤其是筆記型電腦）的產業標準。

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技術訊息

在低功率應用的GreenChip TEA1733 開關模式電源控制單元，主要特點包括︰

·寬廣的輸入電壓範圍（12V至30V）

·極低的啟動與重啟電源電流（一般為10μA）

·正常運作時低電源電流（無負載狀態下，一般為0.5 mA）

·高/低輸入電壓下提供有補償的過功率（overpower）保護

·可調整的過功率時間

·可調整的過功率重啟定時器

·固定的開關頻率，利用頻率抖動降低EMI

·低功率狀態下，固定最小峰值電流，透過降頻操作保持低輸出功率狀態下的高效率

·工作在CCM下，具有斜率補償（Slope Compensation）。

·低的、可調整的過電流保護(OCP)等級

·軟啟動（soft start）時間可調整

·兩個保護輸入端口（用於輸入低電壓保護與過電壓保護，以及過熱保護和輸出過電壓保護等目的）

·IC過熱保護

上市時間

GreenChip TEA1733(L)即將上市。

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智浦半導體推出兩款業界最低0.65 mm的新2x2 mm無鉛離散封裝
2 j* b3 e3 U. e高效小型封裝的關鍵：SOT1061和SOT111散熱片的熱性能與其兩倍大的封裝不相上下

【台北訊，2010年6月2日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 今日宣佈推出兩款業界最低0.65 mm的新2 mm x 2 mm小訊號離散無鉛封裝。透過具有良好熱性能和導電性的無遮蔽散熱片，塑膠SMD（表面封裝元件）封裝的使用壽命可提高，並提供3引線（SOT1061）和6引線（SOT1118）兩個版本。新產品包括26款FET-KY、雙P通道MOSFET、低VCesat電晶體和肖特基（Schottky）整流器 ，最高功耗Ptot 2.1 W。該性能約與業界標準封裝SOT89（SC-62）相當，但只需一半的電路板空間。
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# R' y9 d0 ?5 R; L  {! `恩智浦半導體小訊號離散元件產品行銷經理Ralf Euler表示：「電路板空間及功耗是現今輕薄緊湊型電池供電設備的設計關鍵，恩智浦提供一系列的小型封裝組合以支援業界
發展更小尺寸的終端設備。新的產品線是行動設備、智慧型手機和筆記型電腦中高性能充電電路、負載開關以及開關模式電源（SMPS）等應用的理想選擇。」

2 e0 j: H1 _5 c( zSOT1061和SOT1118封裝中不含鹵素與氧化銻，並符合耐燃性等級UL 94V-0和RoHS標準。採用SOT1118封裝的雙P通道MOSFET/ FET-KY（PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP）

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* 全新SOT1118封裝的兩款20V/3A FET-KY（整合低VF的肖特基二極體）與一款20 V雙P通道MOSFET將於六月底推出。
0 N: V" O% R9 g* 提供額外的1 kV（HBM）防靜電（ESD）保護，提高ESD穩健性。
7 Y% I/ D' Q1 e3 ?% h0 E* 在具有ESD保護的20V級別的產品中，新的FET-KY（PMFPB6532UP和PMFPB6545UP）導通電阻為業界最低，閘電壓（VGS）4.5 V下額定電阻為80毫歐。為提高效能，在電流1A時其正向導通電壓（VF）也同樣為業界最低，分別為365 mV和520 mV。雙P通道MOSFETPMDPB65UP在4.5V的VGS 下擁有低至70毫歐的導通電阻，是高效電源管理應用的理想選擇。
* 全新SOT1061封裝的14款高效低VCEsat電晶體符合其作為突破性小訊號（BISS）電晶體的稱號：6A電流下的超低飽和電壓低至200mV，相當於只有33毫歐的RCEsat。
) ~' k0 L/ R$ S5 r! B+ u* 涵蓋12V～100V的全部電壓範圍，新的PBSS*PA系列集電極電流（ICM）峰值高達7A。
, q  u! g( ?( r; s* 方便客戶採用SOT1061封裝產品，以代替大尺寸封裝的電晶體，進而在更小的面積上達到相同的性能。
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採用SOT1061封裝的低VF肖特基整流器（PMEG*EPA系列）
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/ j7 Y* u6 _  @; j( \! M, Q* 恩智浦的PMEG*EPA肖特基整流器，不僅具備低的正向壓降（forward-voltage drop），而且擁有高正向電流，是該類元件中第一款置於無鉛中型功率SOT1061封裝中的產品。
# H3 v) G0 z7 G5 k$ N  W4 t* 五款符合AEC-Q101標準的的單一類型，平均正向電流高達2A，反向電流在 20V和60V之間。今年六月將新增四款1A和2A的雙整流器。
* 整合的保護環用於壓力保護，與市場上同類產品相比，擁有更高的性能和效率。

上市時間
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8 z! X5 K  s& h+ k9 LSOT1061和SOT1118中所有新的離散元件的樣品可立即用於應用設計。SOT1061中的低VCesat（BISS）電晶體和低VF單肖特基整流器已可接受訂購。SOT1118封裝的P通道MOSFET和FET-KY產品線以及SOT1061封裝的雙肖特基整流器將在今年六月底量產供貨。

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恩智浦半導體適用更高效基地台的高性能射頻產品於「2010年國際微波年會」中展示
, @4 e& {+ B; Z  O. H突破性JEDEC JESD204A串列介面、SiGe:C和LDMOS技術 實現新一代無線基礎設施的設計
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【台北訊，2010年6月9日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 近日宣佈於加州舉行的「2010年IEEE MTT-S國際微波年會」上，展示其用於新一代基地台的最新高性能射頻(RF) 和混合訊號(Mixed Signal) 產品。特色的展示產品包括恩智浦新型高速資料轉換器產品系列，是全球首款支援JEDEC JESD204A串列介面的資料轉換器，且已量產銷售。恩智浦以SiGe:C技術為基礎的完整射頻和中頻(IF) 放大器產品系列，包括低雜訊放大器(LNAs)，及固定和可變增益放大器(variable gain amplifiers)，能夠實現無線基礎設施TRx無線電設計上的更高整合度。恩智浦第七代 LDMOS功率電晶體，及一個Doherty功率放大器的完整產品系列，包括業界首款三路900MHz Doherty放大器，和一個高達600W的單封裝Doherty，則是一款可在大功率範圍，保持高效率的小巧型元件。

* m: f9 q" h. Q恩智浦半導體高性能射頻和照明業務的資深副總裁暨總經理John Croteau表示：「隨著無線資料流量的大幅成長，行動基礎設施供應商正承受著將高經濟效益和低功耗基地台快速推向市場的龐大壓力。從離散元件到模組化基本組件和專用標準產品(ASSP)，恩智浦提供一系列的高性能射頻系列產品簡化了設計過程，打造更小巧與高效的解決方案。

透過我們在JESD204A、SiGe:C和LDMOS等技術領域的領導地位，及我們對系統層面架構創新的關注度，恩智浦豐富並填補了產業內的技術空白，從低功耗電網和遠端射頻模組(remote radio heads) 的建置，到相控陣列式天線(phased antenna arrays)，恩智浦提供了多款創新解決方案。」

atitizz

特色產品包括：
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8 Y+ s, E$ N, {( ]2 a7 n4 Q4 [*高速資料轉換器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs是產業首次運用JEDEC JESD204A串列介面，除大幅減少資料轉換器與VLSI邏輯元件之間的互連訊號數量外，並能支援多資料轉換器通道的同步結合。JEDEC JESD204A介面解決棘手的系統設計難題，提高系統的可靠性，並減少開發時間和物料成本(BOM)。恩智浦JESD204A介面CGV轉換器與來自Altera、Lattice和 Xilinx，以SERDES為基礎的FPGA實現互通操作。恩智浦ADC提供絕佳的85dBc SFDR線性性能；相較現今可用的一般高速資料轉換器高出5dB，但功耗相當低。高達16位元、125 Msps 採樣率的恩智浦ADC支援相當高的頻率輸入範圍，它把新的產品類別「射頻轉換器」引進市場，並已獲得產業的認同。
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! \( r: b0 |7 o2 K*先進的小訊號射頻元件。恩智浦展示其射頻小訊號的完整產品系列，其中包括以SiGe:C製程為基礎的突破性低雜訊放大器系列產品，滿足無線基礎設施相當嚴苛的要求，即 NF小於0.7dB、20dB增益和33dBm IP3，達到更高的整合度。其他重點包括透過恩智浦全面射頻測試以矽為基礎的固定和可變增益高線性度放大器產品系列，適用於IF和RF頻段，可使P1dB最高達33dBm、增益控制範圍超過30dB、類比和數位SPI控制介面、OIP3達45dBm以上。  

( E+ A# E" {: f*最佳射頻功率產品。恩智浦展示其第七代 LDMOS大功率電晶體組合，其功效的表現相當出色，單端封裝200W，推拉式(push-pull) 封裝250W和300W。與所有的恩智浦LDMOS功率電晶體相同，第七代LDMOS高功率電晶體確保了基地台可靠運作所需的耐用性。此外，恩智浦提供全面的最佳Doherty功率放大器，涵蓋無線基礎設施的整個頻率範圍，從 400到3500MHz ，達到業界最廣的頻率範圍。在900兆赫環境下運作的業界首款三路Doherty放大器，和以恩智浦50V LDMOS處理技術為基礎的第一個單封裝600W Doherty功率放大器，為射頻設計工程師提供最佳選擇，讓打造小型基地台成為可能。三路Doherty電路可達52.7dBm峰值(平均功率44.1dBm) ，並具有49.2%的高效率。目前600W(57.8dbBm) 單封裝電路在頻寬內49.2dBm輸出功率狀態下，可達到超過43%的效率。此外，恩智浦展示其完全整合Doherty放大器，專為小巧型遠端射頻模組和天線陣列所設計。

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恩智浦半導體高速交換器支援USB 3.0、PCIe Gen3和6 Gbps SATA/SAS
. z3 z) N3 D& O5 l推出業界首款交換速率高達8 Gbps的多路器(multiplexer)  

; j$ E, E4 V  f; u( j【台北訊，2010年8月2日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 近日宣佈推出業界首款支援USB 3.0和PCI Express Gen 3的高速多路器/交換器，提供高達8 Gbps的交換速率。恩智浦CBTU04083高速交換器亦支援其他新標準，包括6 Gbps的SATA/SAS和5.4Gbps的DisplayPort v1.2 HBR2。透過支援這些新標準，恩智浦CBTU04083多路器/交換器使系統設計者能輕鬆應對未來高階運算產品嚴苛的性能和訊號完整性要求。CBTU04083現已量產，樣品即將上市。
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, }) z* E8 @# `# E恩智浦半導體介面產品行銷經理Joe Kochanski表示：「USB 3.0在速度上比USB 2.0高出10倍，人們對它的關注度很高，因此執行這一新標準的高性能運算產品具有相當大的市場需求。同樣，具有遠見的設計師在系統設計上也不斷改進，使產品支援8Gbps速率的 PCIe Gen3，而相較速率5Gbps的Gen2訊號速率快將近一倍。CBTU04083多路器/交換器支援超高速率，同時能使串音(crosstalk) 和偏移(skew) 最小化，這對於保持訊號的高完整性極為重要。CBTU04083加入我們的高性能混合訊號產品系列，使我們能進一步鞏固恩智浦致力於支援領先高速串列介面技術的承諾。  

- [( G7 a+ p8 g* K" ^3 L- J( G恩智浦CBTU04083是一個具有4對差動通道、2:1多路器/去多路交換器，速率高達8.0 Gbit /s。恩智浦採用創新的設計技術，使交換器導通電阻和插入損耗達到最小化，使衰減可以忽略不計，並同時最大限度減少通道到通道的偏移，以及通道到通道的串音。
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- M+ h2 c+ O9 d# _8 o( i( c2 |整體來說，CTBU04083可提供：
．低差動線對內偏移：正負位間最大10 ps
．低差動線對間偏移：最大35 ps
．低串音：4GHz時 -30db
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此外，CBTU04083電源電壓工作範圍為1.8V± 10%，可在保持超低功耗的同時擴展現有的高速埠。

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恩智浦半導體宣佈推出用於行動設備HDMI發射器的輔助晶片為DDC、CEC及HPD提供電平轉換功能
IP4791CZ12是業界首款針對控制線的HDMI發射器輔助晶片  採用小型QFN封裝
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- g) z8 d/ o& l  S& v, ]* o【台北訊，2010年9月2日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI) 今日宣佈推出一款新的行動設備HDMI 輔助晶片。該晶片可為主機端的1.8/3.3伏特（1.62～3.63伏特）和HDMI介面的5伏特電壓間，提供雙向電平轉換，用於DDC(顯示器資料通道)、CEC(消費性電子控制) 和HPD(熱插拔檢測; Hot Plug Detect)。所有這些連接線及HDMI 5V電源線均配備高層級的靜電放電(ESD) 保護功能，符合IEC61000-4- 2第4級的標準。這種新型晶片採用12引腳及0.4毫米引腳的QFN封裝(2.1×2.5×0.5毫米)，能為HDMI C型或D型的介面提供最佳化的直接通路。採用IP4791CZ12作為HDMI輔助晶片的系統設計輕鬆通過了HDMI標準測試。
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% a8 L8 ?' \3 L  C' K恩智浦半導體整合離散元件部門行銷總監Dirk Wittorf博士表示：「智慧型手機、智慧型筆電和小筆電屬於首批採用HDMI連接的行動設備。這些設備體積小、配置性能高，且需要節省電路板空間和能源，進而提高電池壽命，因此我們的第一批客戶選擇了IP4791CZ12以達到一個穩定的、能夠抵禦ESD衝擊和電磁干擾(EMI) 的HDMI介面設計。其具有簡潔的印製電路板佈線、高整合度和可選的『自動ECO』功能等優點。」
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# P: `* a. f& y1 D: D行動設備正從類比視訊介面(如CVBS彩色視訊基頻訊號) 向數位介面(如HDMI支援的高解析度訊號) 轉變。目前最新的設計多採用HDMI介面來發送來自手機、小筆電、平板電腦、筆記型電腦、媒體播放器或數位相機的視訊訊號。HDMI介面透過TMDS(最小變換差分訊號) 線提供視訊和音訊訊號。一般來說，這些高速資料線被特殊的多通道、低電容的ESD保護二極體保護著。這些二極體可按照「直接通路」的佈局安裝在高速資料線上。除TMDS線外，HDMI介面還包含以下控制線：DDC，處理有關內容保護和電視清晰度的資料傳送；CEC，使透過一個遠端遙控同時控制多台設備成為可能；HPD，啟動HDMI匯點(發射器，如數位電視或投影儀) 與行動設備之間的連接。

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在一般情況下，行動設備系統晶片的運作電壓比HDMI介面所需的標準5伏特電壓低。IP4791CZ12提供雙向電平轉換和緩衝，以達到不同的電壓間的轉換。
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該晶片的引腳受ESD保護二極體保護，符合IEC61000-4-2第4級標準（±8kV觸點）。IP4791CZ12能直接安裝在印製電路板上HDMI介面的後面。因此，ESD電流在接觸到HDMI發射器之前會被導向接地平面。整合緩衝器對抵禦ESD衝擊也具有正面的作用，因為它們不會將ESD衝擊的剩餘箝制(clamping) 電壓傳送到系統級晶片(SoC) ，為SoC提供了最佳保護。為達到經濟且快速的生產，現採用CMOS製程來生產SoC，使得ESD保護成為可能。此外，緩衝器還可防止DDC、CEC和HPD線產生的EMI干擾。
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- s: ]4 v, E/ y1 H6 \- d& G1 R. I/ a針對HPD、DDC和CEC應用，它還包括上拉電阻和一個漏洩電流極低的CEC負載電源。在IP4791CZ12這種高度整合的理念下，帶有HDMI發射器的系統晶片無需其他外部元件即可透過IP4791CZ12直接與HDMI埠連接。這種「無阻隔介面」概念大幅簡化印製電路板的配置，並節省客戶的設計時間和精力。
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3 r; M' A0 C' {* ^" F) \( r2 l由於可選擇「自動ECO」模式，只要這種設計沒有待機功能，如透過CEC喚醒的功能，在系統控制器上就毋需專門安裝一個GPIO引腳來監控IP4791CZ12的電源管理。將ACTIVE引腳與介面上的HOTPLUG引腳連接，IP4791CZ12將自動啟動或停止運作。

+ a! N$ Y% B: M$ l. b我們提供專門設計的包裝，包括一些印製電路板配置範例。IP4791CZ12採用超薄無鉛的QFN封裝：HXSON12（2.1× 2.5×0.5 毫米），符合《關於在電子電氣設備中限制使用某些有害物質指令》的相關規定。
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NXP IP4791CZ12現正大規模量產中。

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恩智浦半導體發佈120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻電晶體
6 {7 _4 ^, k1 c; A  w恩智浦BLF888A電晶體打造強大、高效能的數位廣播發射器

【臺北訊，2010年9月30日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣佈推出廣播發射器和工業用的600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率電晶體BLF888A。恩智浦BLF888A為目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發射器電晶體，支援470至 860MHz的完整超高頻 DVB-T訊號，平均輸出功率120W，效率可達31%以上。出色的線性度，21Db的高增益和傑出的耐用性（駐波比VSWR大於 40:1）使BLF888A成為DVB-T等進階數位發射器應用的理想選擇。恩智浦將於2010年9月26日至10月1日法國巴黎舉辦的歐洲微波展（European Microwave Week）上正式推出BLF888A（攤位號：194）。

恩智浦50V高壓LDMOS製程技術和先進的熱管理概念為BLF888A帶來了出色的性能表現，達到前所未有的功率密度及0.15K/W超低熱阻的新突破。透過BLF888A電晶體，廣播設備製造商可將現有以及新設置的發射器系統達到最佳化，提高產品性能，降低擁有成本。此外，BLF888A與BLF881驅動器電晶體的優異整合，將符合全系列功率放大器產品的需求。
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& s1 H! T3 q; L& x3 J恩智浦半導體公司射頻功率產品行銷總監Mark Murphy表示：「 BLF888A是一款非常特別的產品，實現了耐用性、寬頻功率與工作效率的最佳化整合。過去設計人員只能對這些參數進行平衡，始終無法提出最佳解決方案。現在有了BLF888A，全球廣播發射器工程師可放心將自己的射頻系統性能最佳化，無需再擔心功率電晶體問題。」
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9 E" U; q. X. ^7 _3 r+ n1 UBLF888A提供兩個封裝版本：螺栓式封裝(BLF888A)和無耳式封裝(BLF888AS)，新封裝使PCB設計更加小巧。另外，BLF888AS還能在更低的接點溫度下焊接。  
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恩智浦每年射頻元件出貨量超過40億件，是高性能射頻領域的領導者，恩智浦領先的LDMOS技術和先進的封裝概念創造了一流的射頻功率電晶體，為各種廣播技術提供出色的高功率和耐用性。BLF888A和BLF888AS目前已提供參考樣品。

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恩智浦半導體推出業界首款採鍍錫及可焊接式面盤的無引腳封裝產品
恩智浦SOD882D可由焊接面進行簡易目視檢測  SOD882D超小型扁平封裝適用於空間受限且高耐用性要求的裝置

【台北訊，2010年11月5日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI) 宣佈推出業界首款採可焊接式鍍錫面盤的無引腳封裝產品SOD882D。SOD882D為一款二引腳塑膠封裝產品，尺寸僅有1mm x 0.6mm，是輕薄型裝置的理想之選。其高度僅有0.37 mm(標準值)，同時也是1006尺寸(0402英寸)系列中最扁平的封裝產品之一，可用於多種ESD保護和開關二極體。  
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" p) f  B4 z( w( L6 u% B7 Y恩智浦SOD882D封裝採用兩個可焊接式鍍錫底盤，底盤為顯露設計，側面鍍錫。該創新底盤設計支援底盤和側面焊接，可以簡易目視檢測。該款新型封裝產品針對最大切力和板料彎曲進行最佳化，降低了封裝的傾斜角，支援耐用性要求較高的產品設計。SOD882D在熱量、電力、安裝及體積等特性方面完全與其他現有的二引腳或無引腳1006封裝相容。

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恩智浦半導體小訊號離散元件產品管理總監Ralf Euler表示：「恩智浦藉由在離散無引腳封裝技術方面的專業優勢，成功研發出SOD882D封裝產品的新型焊接盤設計，該款產品為深受市場歡迎SOD882產品的升級版。身為小訊號離散元件產品的產業領導者*，我們相信SOD882D解決方案突破了封裝市場對空間極度受限設備的限制，適用於手機、平板電腦、小型手持設備等對安裝和耐用性有特殊要求的設備。SOD882D是恩智浦無引腳封裝系列的再一佳作，該系列的產品廣泛，幾乎涵蓋所有市場所需的離散元件功能。」

採SOD882D封裝的首批產品為一款100V單一高速開關二極體(BAS16LD)和三款5V及24V ESD保護二極體(PESD*LD)，用於保護單條最高達30 kV(IEC 61000-4-2；4級)的訊號線路。所有產品均通過AEC-Q101認證，線路電容範圍為23 至152 pF(標準值)。另兩款電容僅1.05 pF和11 pF(標準值)的5V ESD保護二極體將於年底推出。該系列亦包含Schotty和低電容ESD保護二極體，將於今年底及2011年初推出。

SOD882D不含鹵素和銻氧化物，符合耐燃性分類規範UL 94V-O及RoHS標準。

1 F$ q8 \; t% a' t2 b' b- A6 {# O三款採用SOD882D的新型ESD保護二極體(PESD5V0S1BLD、PESD5V0S1ULD、PESD24V0S1ULD)和開關二極體(BAS16LD)目前已經上市。兩款電容為1.05 pF和11 pF的ESD保護二極體(PESD5V0X1ULB、PESD5V0V1BLD)將於2010年12月上市。

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恩智浦半導體推出業界最低RDSon 30V MOSFET 採用Power-SO8封裝的NextPower技術MOSFET
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! g; C6 @. j5 H; q' e: O【臺北訊，2010年12月6日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣布推出NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，為業界最低RDSon1.4mΩ 4.5V MOSFET。全新MOSFET元件PSMN1R0-30YLC，特別針對4.5V開關應用使其最佳化，採用LFPAK封裝技術，為目前業界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已特別針對高性能DC-DC轉換應用進行最佳化，如獨立電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。
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技術聚焦：
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) U" H8 N* f- F& h· 特性與優勢：
, M- e9 Y# c/ t# Yo 進階的NextPower技術使4.5V閘驅動(gate drive)的低RDSon達到最佳化
o Power-SO8封裝具高度可靠性，耐熱溫度高達175度C
o 超低QG、QGD和QOSS達成高度系統效率
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3 u9 Y+ E; {* l% V· PSMN1R0-30YLC已出貨。
·PSMN1R0-30YLC是NextPower LFPAK系列中25V和30V MOSFET的首款產品，全系列產品未來將陸續推出。
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相關引述：

3 r/ T! n+ |" `9 w·恩智浦半導體Power MOSFET行銷經理Charles Limonard表示：「恩智浦NextPower系列MOSFET將協助設計者達成高性能（高效率）、小尺寸和低系統成本。恩智浦致力於開發與創新，不斷改善RDSon、開關應用及熱效率等關鍵參數，並進一步推出領先業界水準的MOSFET元件。」

. z* Q  |1 i! N·  Limonard亦表示：「PSMN1R0-30YLC擁有領先同類型元件的超低RDSon，可明顯降低功耗，並進而提升新一代電子產品的能源效率，達成更高的能源等級(energy rating)及更小的尺寸。」