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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表 * d9 N% B0 b  w( b0 B$ l" U; B
方案一:9 y( @; t5 r3 ^+ S+ _
  AB     AB6 y5 \1 X9 ~1 |* E
        x
9 o& }* C% C* C/ q  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central; J7 Z0 h# n% M) @7 o

2 F' ]2 k, W, h5 g/ G7 b( O: V如果不共用0 W1 L! W  C% X( a) `
 A      B          A      B0 m/ p* a+ z1 e5 h
        x        X         x# i8 H. b+ B$ D
 B      A          B      A   ( E5 ~1 Y! f: A# Y+ Y( q
   ...

( |0 ]( z! L5 U% }
5 ^" `: f- v  M  T9 |( B- V方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.; \" r4 A0 _& q, u1 D) b

; g0 J* c  c" y) V( _第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
5 F! j# U, c& `, [+ K) [/ Y. xRD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表
) F. K% S. G" G以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.9 t" v0 M8 k) @6 q, l
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

* N  s* _. Z0 c0 T
4 B4 T( G# K5 R+18 n8 ^' y( R2 Z/ K: J6 v! U

2 J% K1 `( ~; x輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊( o6 [) K/ C: b1 X
1  面积小
. L6 w/ p" v( ]2 drain 面积最小, 与sub 的电容小
% v, M; H4 t0 W3 符合common central  ) |+ r* ~5 d$ Y3 r5 n3 S5 x
& J2 v$ \" B, |; ]2 C3 B3 `
类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者

# K9 s) a1 u' t, s8 F: ^6 {. ?( }( B% t3 ?; d4 k& `1 \

2 w3 T- G& W/ L2 ]! `7 U% g1 n; N6 U2 ~% N$ h6 h+ H
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩
( m" \! R% {+ Z. G3 X# G! s0 l- U# G+ |& ~7 n3 ?( V+ C( V
ABBA       ABBA, ]& }2 |8 B9 T& \5 v9 @; X% a
BAAB  和  ABBA0 P8 F' ^  l$ J) H3 \
4 l2 d9 ]  F, c- J/ H& W9 W
這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!
2 B  i" J# T& S2 r3 d看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method ) X4 c* Z* F4 g
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl 9 ~5 e: a7 `$ Y% Y: S% V

  m+ Q! u4 Z0 q" F2 u9 M4 b
/ |7 c# b. e3 t8 |& z# J    我都用第2種方式~common-centroid
1 f2 y% a- ?7 D    省面積~而且特性較好~$ t" i; p1 r- M1 L- o9 {
    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl
; j( q% K( R  ]% x- p% |8 X& S9 Q5 A9 @4 I  n# f
我也想知道不共用的理由是什麼?. y1 i1 `7 Y, p5 h, x: x
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。
- U( x. |7 Q, P, j6 G; ?  g6 e3 H3 G
現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的: k- I5 G* Y6 D0 A/ Z
7 u2 M2 L9 Q$ Q7 i# I- ?$ f
依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。7 J& J8 L% c0 Z; T
事情並沒有絕對,只有合理性,3 v; l; H  u: {) z, n& e* W
rd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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