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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表 # H; I  Z) u" `; ~
方案一:
! F- G! f0 R* ^/ W- F" K  AB     AB) |4 R2 z- N2 L! U" m
        x
$ R  M3 R' {+ t! L# O5 @  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central
; Q2 n3 D: r* h7 g
/ q" K5 C7 h$ e0 k  P! p, o2 k如果不共用
7 m. D( D, P: I4 n A      B          A      B2 z- z8 L! }1 T2 N# R3 U
        x        X         x, i* h; Z5 Y" `8 z  X) C
 B      A          B      A   4 Q; j' F  I! J& g; ^( T6 Y- W0 C! Q
   ...
' c, a" d) w7 j
  T* u8 |# [# b* `# N6 ]- @
方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.# X4 J& l0 ~# A9 @! S/ `

7 {$ S7 N* B, d- n$ ]; N, g第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.+ ]3 b( i" G- ^7 I% `- X
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表
. q( ]" `5 T7 l; b9 Z以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.' H+ z8 v0 X, p' \) ^9 R) l
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...
6 G9 C% y9 I' i, m; R* U8 s% c
( W- N1 I+ Y; \. L
+11 C4 v3 o6 K) i4 |- V5 z6 W
' b! y+ X9 _1 x" p
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊% m3 Q/ A( v8 E7 I6 G
1  面积小5 ?6 }" n& O2 m- O
2 drain 面积最小, 与sub 的电容小* z% u" l2 _! D1 |' _
3 符合common central  * [! I. b$ t* u1 H, K" Q* a

: h1 [0 @6 P! E, d4 L5 p类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者
! z3 t/ q; C1 J0 U( G
/ _) W" {( o7 S! |) R

( [2 l$ y  a4 [1 `, |3 P9 C% Q: o4 Q0 y" V5 j
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩
( S0 O1 H, N. z2 c9 [: h0 }, s# Y% H3 A6 A& n2 w2 z# E9 g9 w  J* c+ M
ABBA       ABBA
3 [3 \" ^& I2 y% \: o) l% m  O  sBAAB  和  ABBA, L6 L/ `0 ~1 A+ B/ q

* H/ ~* e0 ~: `& O這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!" c; C4 E5 s: T4 y8 T1 x3 |
看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method
* J1 [6 S) k% Xand work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl
. S4 p2 a# v! D. I
. ^) U9 S) N  m6 B
5 k9 P6 C  U3 J) }( b- f6 @8 g9 _$ ?( T+ Q    我都用第2種方式~common-centroid
" i9 i/ A' o9 T) w    省面積~而且特性較好~" a3 m& b) q. K! J9 Q
    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl   x  t; h3 a, j1 i0 F8 N

3 S0 b- u' M- V- Y) l, v我也想知道不共用的理由是什麼?
! q$ `9 X5 c5 A+ @1 Q, Q
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。
% n! x* t1 q  |& E
, b0 Q; p& \0 D8 t4 r* `# o現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的; B; z. s) c" |. h
0 n- K7 `( ], A  C+ N
依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。) S- o$ L+ o5 M" [
事情並沒有絕對,只有合理性,
. I3 E6 I4 `8 m& p; `" Jrd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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