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[問題求助] 請問有關於HSPICE中一些參數的意義

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1#
發表於 2009-9-12 11:36:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在HSPICE中 跑完模擬後常常會去看看LIS檔裡MOS的狀態
- \) O* w/ i: n( G' r; o$ E5 B4 c0 z( X
但是小弟有點不懂的地方是 這三個用紅線框起來參數之間的關聯性
9 I4 _/ K0 C: a( z( |
: V2 L. `2 s  L6 k( `0 n4 q
6 {& X9 d0 O" b2 }7 h/ e. [3 |# N* K9 r  X
以電子學來說vds>vgs-vt的話  MOS會進入SAT
' V' Y$ Q) l8 T6 }" m, N
$ B. W: C2 s7 r1 V2 A8 L5 n那麼Vdsat這個參數又是代表甚麼意義呢?
7 [1 F8 D* v' A4 t, ?
1 }( q7 O' |, g感謝各位了
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2#
發表於 2009-9-12 17:23:38 | 只看該作者
Vdsat是VGS-Vth的值(以NMOS為例)
; P: D" h; k0 l& O# K; j  k9 \所以你的Vds只要大於Vdsat就會判定MOS在飽和區.+ M5 I- y0 h; W- ?) G1 W1 g
以上
3#
 樓主| 發表於 2009-9-12 17:33:14 | 只看該作者
恩恩 感謝 那麼 VOD又是代表什麼呢?
4#
發表於 2009-9-13 15:39:08 | 只看該作者
驅動電壓(Overdrive Voltage):Vod
" a5 f! T" u' h: ~/ PVgs-Vth- \( _5 W+ X9 a8 z- m& P
三極管區(Triode Region)(線性區)
8 ]3 N5 y2 d' G4 dVds >= Vgd-Vth6 Z( O: ~& {7 l' i4 |
飽和區(Saturation Region)) D% {7 F+ Y  P* B
Vds > Vgs-Vth
5#
發表於 2009-9-13 15:40:37 | 只看該作者
<訂正上回複>
! }+ N" g6 W8 |, `+ g$ m. _8 d) q, @" P6 W/ _
驅動電壓(Overdrive Voltage):Vod
. x$ H6 T) B, w' JVgs-Vth
$ W- c* g4 x6 t5 b三極管區(Triode Region)(線性區)3 g4 m+ `  t. w, H2 G4 ~" `. Z5 k
Vds <= Vgd-Vth
9 |4 D4 J$ I: Y. N飽和區(Saturation Region)
: z4 i# G6 ]6 S8 vVds > Vgs-Vth
6#
 樓主| 發表於 2009-9-13 20:45:12 | 只看該作者
恩恩 仔細觀察後 8 f& v5 B7 @1 b: O1 ?1 `) y

( z. i" a7 k9 G/ tvod的值 的確是Vgs-Vth
4 b. m' I$ _: R1 |  ]9 q. ?5 b2 p, p. @6 a- j
因此 我個人認為 7 y5 p, R* Y/ @* s

0 O. c# S  K( j4 XVds指的是在電路中這顆MOS D端和S端的電壓差, Y; m7 _; Q8 }9 `

$ a4 s2 w8 C, ^* y  I* AVdsat是指MOS進入SAT之後固定的電壓差(當然有可能會受body effect而改變)  n6 o) a. V' O0 G# Q1 q

( }: P8 w' a  _5 K# D; OVod則被定義為Vgs-Vth
7#
發表於 2009-9-14 12:05:00 | 只看該作者
Vod是過驅動電壓,也就是Vod=Vgs-Vth。3 v' E! p) m2 r, l# f$ @
正常工作(綫性區或者飽和區)的Nmos其Vod>0為正,Pmos<0為負。
) p$ s, L; X, U* f0 ~否則cutoff(截止)。/ g) e- S+ Z$ E9 [
, I: h) _1 |) [
另一方面,將Vds同Vod的大小做比較,
  i7 o& B, t  \用來區分綫性區(Vds<Vod)和飽和區(Vds>Vod)。. T$ j! E9 s$ X/ B5 `% C
. A  ]4 o/ v6 m7 O& y; u1 A7 [1 \$ g
至於Vdsat不大清楚, 依照小弟的經驗,
2 |; Y$ c4 m' w* S2 k. ^它跟Vgs的數值有關,同Vds的數值無關。
+ ^9 k( j# \4 u8 R但具體的電學意義,還請攤�的各位大大賜教。
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