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[問題求助] 關於加guard ring 以及在lvs的erc error

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1#
發表於 2009-10-23 13:06:59 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好。
* V: K& P* M/ G% h我在CMOS_Transistor_Layout_KungFu這本教layout的小冊子中,在guard ring(GR)的部份讀到) Q: f2 z% a6 z4 ~1 Z
NMOS要加 N型GR接VDD,可以吸附N型少數載子6 x$ M6 ]/ n. ?; H
PMOS要加 P型GR接VSS,可以吸附P型少數載子
1 l; f+ M7 x0 W8 T7 r/ l# D+ ^
) V. n: O9 I; |+ C7 _不知道經驗豐富的你們是不是都這樣做?8 j( t4 o6 G) }( L# ~' d
一個BLOCK裡除了所需的POWER之外還有兩種型態的GR?
5 A( @4 g/ O6 E1 F* p& s我覺得這樣有點麻煩。因為我想若是不管N或P,只要在外圍圍一圈N或P型GR,異性相吸,同性相斥。相+ K! g% F2 D# s
斥的載子會因為空乏區的關係要走比較遠的路徑跑到別的BLOCK,這樣的影響應該相對比較小吧?/ N+ ]; m2 y9 @( W6 D
. h- V. A* S& m: E  b/ x& c
另外,我是用TSMC 0.18UM的製程。在做lvs的時候也會有做ERC的檢查。我因為多加了這些浮空的GR: |% K1 k, W: n7 G" u) q
造成我ERC有錯,是不是可以不用解掉呢?還是有方法解掉的呢?
6 m5 D6 f$ k) Z/ v" x8 j附一下我的圖: 上中下的GR都是ERC有錯的部份,我問了CIC都沒回應我…難道這是非常小兒科的問題嗎?   _3 H4 k0 W2 {+ T/ a! ?4 B
4 P& Y. z: |% ^+ b' E7 f4 x

. n3 H3 v( D2 W' e[ 本帖最後由 gyamwoo 於 2009-10-23 01:10 PM 編輯 ]
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2#
 樓主| 發表於 2009-10-23 13:09:57 | 只看該作者
小冊子好像沒丟上來@_@6 U9 }0 ^  \, Y* C; K4 z/ j
小冊子好像沒丟上來@_@) e: v0 h& I: Z% w$ B/ T
小冊子好像沒丟上來@_@; }; p# X8 k- V4 ]
小冊子好像沒丟上來@_@
- Y- G  H: }% q% b5 T( W說實在的還不太會用chip123上的功能
3#
發表於 2009-10-23 13:15:31 | 只看該作者
如果確定都有連接上了  此錯誤可以忽略掉

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參與人數 1 +1 收起 理由
gyamwoo + 1 謝謝你回應

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4#
發表於 2009-10-23 14:01:33 | 只看該作者
我因為多加了這些浮空的GR'- X8 @% s# N1 ]8 X' \2 N/ L/ a* U; D
造成我ERC有錯,
' U( Y8 h$ z- L% P5 F是不是可以不用解掉呢?
* r+ Z% q  T5 f4 F還是有方法解掉的呢?6 n! x+ ^8 k2 N1 G7 _5 [
$ W$ B/ v3 [" d1 e$ v
儘可能不要浮接& d2 }- I# E/ j" h$ d* M6 |: x2 N

+ G. x/ E# @) c$ b5 G; b4 b如果確定都有連接上了 9 }$ O( Z4 a( z7 n. Z! @
此錯誤可以忽略掉1 `( T- Y6 }( ]) L/ w0 o% \
因為
1 Z- f- u( H! N" d3 P有時候是 POWER NAME 沒在rule file 上. j8 [' H$ Y. |# O
ex:rule file 只認 vdd and gnd 是 POWER 和 GROUND
; O( k& d! W7 ?' P4 e1 A那你用 dvdd dvss 就會出現 * N# Y5 n& v; n2 e. m9 M$ Y( m
floating nxwell 和 floating psub 9 M7 U" z8 j! J- [
/ S; k7 c+ W/ L7 H2 e
有時候是PSUB2  造成 一些  獨立 ㄉ PSUB
8 U% c3 v% @/ l( J3 k: U9 J/ L3 @" d
' R3 D3 R$ y7 A* G) |# h我問了CIC都沒回應我…難道這是非常小兒科的問題嗎?
, n; ?" M) _. {, u------" E/ S( h+ O* Z2 A7 j
被你猜中了 通常只有菜ㄉ人 才會問這種問題% r& a; ^/ k5 A) P# l
就是常有一些菜ㄉ問題 讓 教授們 不想去回答
3 D2 b( C; V! x+ _) u9 n3 x所以我有空 會在這裡 哈拉 哈拉

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gyamwoo + 1 果然我很菜,哈哈哈

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5#
發表於 2009-10-24 01:28:51 | 只看該作者
你的圖浮接的PGR OR NGR有確實的用METAL接到VDD或VSS嗎?
/ k/ b- J' E$ d+ h( |你的LAYOUT DEVICE不是啥特殊的,這兩個ERC ERROR應該要清掉4 s, F8 K6 C$ u
才是.
6#
發表於 2009-10-24 23:17:52 | 只看該作者
從圖看你的pring是floating,沒接到groud,erc會抓一定是沒接(但有的是有接蛋沒給ground name,這樣也會抓出來),我是會把ERC都解掉,建議ERC也要都解掉才算OK,不過有些ERC寫的人沒寫好,有些會有假錯,譬如hot well,也會被當成沒接到POWER,而抓出來,或者NMOS做在NWEL當CAP,這也會抓出來,會寫command file也能自己加上一些erc判斷,來讓IC WORK機率提高,commmand file還是人寫的,寫的人不一定會考慮很週到,自己會寫最好,不然就是給專門在寫的人去寫(大公司都有專門寫command file的)
7#
 樓主| 發表於 2009-10-25 00:56:50 | 只看該作者
那兩條GR確定是會拉到chip的pad上,量測時會給vdd跟ground。
% C" u+ U9 @0 Q" I- g" v我覺得會認為是floating是不是因為我沒有接到任何一個mos或是device呢!?
8#
 樓主| 發表於 2009-10-25 01:11:28 | 只看該作者
另外再討論GUARDRING(GR)到底要不要跟POWER接在一起,因為這會讓LVS簡單不少
6 n1 C# J) W- q7 w2 U2 S是這樣的啦。以前在123上面看過說GR可以跟power接在一起,但GR的效果就不會比較好。) H/ w: Z* i6 J8 s7 d# Y/ J
畢竟GR是要吸雜訊的,另外GR跟BODY或WELL會是逆偏的PN接面,有一空乏電容;如果接GR的電源或地是不夠純淨的話,其雜訊或抖動的電壓會不會耦合進電路降低CHIP的效能呢?
3 M  |4 S# n& M# T  F5 p好苦惱喔
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