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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
$ p2 ^0 y$ W0 w+ A9 U  Q& A; x. a) m) ^) a+ e" w" h& u
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
: D8 a8 `+ {2 I" d  e. F) u3 C5 H- k, I9 N8 n
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
3 X0 t% e0 q+ }' p) @7 T$ m2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

5 o3 j4 m2 i& u% |3 Q5 j3 Z, A+ D7 B+ E- `
/ s6 b7 {2 |6 o2 R% l電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
% G8 l& d8 l6 j- h標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
+ E* W/ |. F% E8 E輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
$ U# P) n7 T/ H在理想的switch中,輸出訊號正常。
' i$ J9 M# g7 H) G" p: w/ _在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。# c& H+ `$ L. N/ N: F2 ]6 }2 J4 R
取樣電容大概=400f F左右。
# _7 H; b1 C+ ]7 N/ e先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
! e8 T: O7 i5 }7 S2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
/ U3 d, `+ K% `' L" k7 k% e- t. \
) X2 x& _8 ~- R9 w0 \  B# l$ O  {
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid 0 v$ m4 u% h8 h4 u, e

1 a0 c$ z- M1 u( O- g% Z0 N2 C4 h先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖8 p7 k& J- @: {' p
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形  s6 S7 l: V) b* [' W0 v# n# E4 q
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值! F( }( T/ N4 f4 b
列成一個表
. }: s6 v/ J& d1 E2 N( d' o之後看表拿進去套用即可
! Z7 T4 \/ l: z! p) z1 C此外此電路SH電容不大
3 ?& b) E8 N# b, V/ t/ K會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
; Z. g* }. |0 g5 Y4 q8 s. r! \( V. M, I2 C: i
2 ]' D# s9 e2 _. H* \
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
7 @" s; \6 w. X3 T6 `/ O由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,! ?3 d. f9 p$ Z0 z4 q4 G1 _
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
1 w8 ]( p' o& O3 l5 d% V4 h$ |一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
2 B; z5 K1 W2 T/ D4 @; {看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,+ k( d3 o1 B8 u0 p2 k" [9 T' Y
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
; B7 e  P' ~5 Z# c- w前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,) O9 M5 m' Y  W& a6 B8 B9 p  e* ]
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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