需要加 DUMMY 的時機是?

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需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?

vincent_p0593

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
$ z5 M/ E: g" T5 @0 k
" K7 O; j1 |- R- s" ^poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

motofatfat

看你的DUMMY指瞎密
大部分是要match
" @8 A: r% l! ?) K2 [1 VMetal poly  density  不夠
: c( D. i% Z9 C3 c! @9 r加ㄉ那些也較 DUMMY
  w" d; d; R- s: y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY

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回復 2# motofatfat


    感謝樓上的大大
) i' J+ K1 G5 ~, }8 g   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy

zhifj86

2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦

chaojixin

楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………

levimax520

原來不同的元件也需要用到DUMMY阿

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回復 5# vincent_p0593

( Z) M$ p( \6 p2 Q$ l, E# h
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 w5 j" N0 |# H$ d! F- T# `) E" f您真強

bernie820

某樓說的很對!!
7 p9 T( L1 L2 D+ t* I( F
不過簡單來說
* |$ Q. l4 O& h) n& _在製程時食刻會破壞掉你的元件
: R6 A* u" F" h8 W4 p而特性就被損壞
- r) Y3 C" Q( W* n( K- w% R8 c
6 L' |/ V0 b# N: |6 b( R+ R若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
所以蝕刻吃他最多
主要部份特性就不會被破壞
! u, L5 Y1 w8 ?- S( D
. x. Q- R$ i, A  L6 p! T很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
所以可以多找網路資料也有

xuguishuang

5楼分析的蛮详细的。。。。。

u9513349

感謝大大的分享
) k) z* C" @! K( S' b
又學到一個知識了!!!

鋒鋒

op的差動輸入我是一定會加
' l( Q! |: e" {7 \還有電容也要加
! C6 A# y2 ]% Z4 N若有空間能加的都加也無彷

semico_ljj

“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的

u9513349

thxs for your shows!!!

+ F% I9 b" a* T- w5 W7 t2 W% dand i love it!!!

chone1205

通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容

chaojixin

5#NB！好人啊，讲那么详细！

pph_cq

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( b$ \) C8 P& x- F2 o% q$ wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

; [2 x+ E( ^- o4 S# v- n, I2 Y  i
! T& _, k) E4 o1 r+ T5 F
; \- S. k( q# t7 S% P8 C    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？

GU

想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 O: S. |) [9 P$ t; Z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??

0 q7 e' s2 j2 P$ U! d, _/ w數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??

chone1205

加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕

吳龢峻

dummy device 也可當 redundant backup devices.