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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
  _. j" }4 P. R" `7 V/ y- R3 i( [! t+ E+ G5 D5 x* {: Z, }+ P
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- |& B0 b+ s; n; x& @大部分是要match
" j% O) }5 S# k3 o" h- t% `4 {Metal poly  density  不夠
7 p, K$ Z# u) X加ㄉ那些也較 DUMMY
+ p& R, @1 E8 {3 j把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" s  N6 N' Z0 a1 u* I3 `+ q2 J( G/ J! a6 C2 Z" b

2 Y2 C  U# Q  h% X5 r6 G* n    感謝樓上的大大
+ o7 U; t. q. [% ]3 `7 [   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & S+ g, d% O7 |5 \
. F& n' o, p6 b) A8 w8 O
+ w6 w* ~( d) [5 B* k) G- Q
    感謝您回覆的這麼的詳細
: D) E8 f. A/ J9 |$ N您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 M2 M* H- v8 P7 L* W; i/ I6 Y5 ~7 C8 W+ R( s$ R
不過簡單來說7 c7 {! L! O/ Q5 i
在製程時食刻會破壞掉你的元件; g$ [( ~$ P" W, M
而特性就被損壞
' z% F7 k6 W( `$ }* i  }& w. w. |+ m+ }+ z4 z6 O
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 p7 b/ Z! h# L
所以蝕刻吃他最多; h# Z5 J1 `6 G) q; n0 Q5 y
主要部份特性就不會被破壞
( H. R& K, U$ J
0 ~7 G2 ?4 Y3 Y, y很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& M! G1 \* Y1 R
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, S! D) R6 J, @; n, o. o( P' T; n( k3 A, C& Z1 I" _( d
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ x' e7 |, u- b9 r: X: m還有電容也要加; ~$ v% S' s, b' g
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 F% o1 d9 d# z. b0 E* e
+ E- s4 |8 \. X1 @
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& [. f0 o! B( w9 fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' z: M  m+ X, l" ^8 ]8 X
1 g; f! ?) {6 j" f( q' b4 U: s7 H* E1 |* ]. j
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 t# t. R3 B% T( z9 ^* ^0 g. g

  c2 B8 O' e* d0 I% m' ~如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??/ |; t2 I. g0 ?9 Y7 p
$ F& ~5 _% \0 e. ~2 n
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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