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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  b. i: p; a1 L4 E1 k& J% `8 U# E

' Q2 L) Z& h1 v1 \# c9 ^poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# D% l* D# V) L* Z) V% U大部分是要match, s- ]9 I3 u! @" Z: G, [0 x
Metal poly  density  不夠
5 q* ~& q8 |" W) o: }- [4 j加ㄉ那些也較 DUMMY
1 P3 s$ ]5 Q! k$ l( y+ @) J) J- F8 w把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 d3 ^9 U- l$ t
( P8 a! M  d1 ]2 |
( W" X4 F# b6 K* Z- ]
    感謝樓上的大大  y3 B4 [4 y, u8 ^
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
4 `/ l5 s; {  v. ~1 H+ k
; m4 K5 }' O0 U5 U3 O! k6 W9 d) n3 j# e0 }
    感謝您回覆的這麼的詳細3 j. z) L0 f; h) I1 p* k9 v  C
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
, o+ a5 C. B" \# U# h7 j2 k$ l# V0 Z  O; R1 E+ P0 B
不過簡單來說
2 P. y* F. Q' {: F1 g! ^在製程時食刻會破壞掉你的元件5 T+ Y2 S! y: U! W% M1 m
而特性就被損壞3 B7 f- D6 A0 L4 Z6 z
$ h9 t- [+ `+ ?# W0 f
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>6 f$ h4 G: \6 j( n1 N
所以蝕刻吃他最多
4 T" r. U8 O) E, w, r4 W! w主要部份特性就不會被破壞0 [+ ]' M7 s5 b
4 S1 G5 L" {9 \" F( U
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>" s% M; X' M' k3 J1 R. b% k
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
# {4 X0 Y) U' u: {! P. {6 X4 [; z- C, }
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 A8 y/ K! q4 O% x" N1 m
還有電容也要加' x' D/ S0 l1 u" M6 K
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 W4 @+ b* |0 t# p1 K9 K& W
! l* @. @7 J( W& ~: Gand i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...+ z+ J/ p4 o: }9 y+ J1 h
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, F4 J" V- x& B) S$ z; b7 s4 ~( ^' X6 {9 G
& A; S0 s; R' L
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! b) `! E; ?: K4 e; @2 p) X
) Q7 Z8 {( a0 _
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
9 x  u4 k+ ]/ |" M
! R1 M& v6 g; ~  T8 x# g% h數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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