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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. z; K4 S( Z5 d3 i0 V) x- b" O

( W8 ?! ^% W3 o( N. dpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, k1 C$ r) z7 T9 ?6 O* ^# b大部分是要match& \, X7 ^/ x# d! ^
Metal poly  density  不夠
7 J9 q0 t# F# J' ]5 r$ b! G8 w: K* d; V加ㄉ那些也較 DUMMY + @5 p% U3 T, o) p5 O" e% x) y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 R3 `9 p4 A6 S6 h

& h; ]+ l* i+ w- a& ?7 h$ H, P0 E1 E1 r/ e
    感謝樓上的大大
% C! L6 p0 ?0 ~; p   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 J5 f/ e( j# T2 x3 N) c
1 O' Q4 g1 L0 t: f( g5 I9 n: m+ C2 L) _
    感謝您回覆的這麼的詳細, t% l; n# B7 e3 O5 C2 U2 Z
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 b' O+ C+ k( r! T7 v4 U0 D6 C+ ?9 S) F  O) t3 L$ K$ b
不過簡單來說
8 M4 q. |  T! h) h在製程時食刻會破壞掉你的元件* U2 i  E) S  o1 `7 @
而特性就被損壞
/ z! c0 S- z9 C; J. ~. m1 t; Z) r1 ]* m" ^1 G+ g8 A& \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ \2 k! `8 q5 M4 ?所以蝕刻吃他最多
' V, [" [& E% k' t2 R主要部份特性就不會被破壞3 h% Y# F# f$ |6 p
; O: ^" E: `  Z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& |" a# F3 W) z所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) z9 p' x1 ?) G4 u7 s

7 M* f# h7 S! W又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 v  y3 q% |+ ]. Z
還有電容也要加
' d2 Z# _) s) @' @6 C1 F若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!1 U5 B' ], A$ [2 X

- w; d( D' Y# M3 gand i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...( z7 g( S) W5 w0 f! I' W
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; Z) s4 s. W; ~/ m: u9 b
- Z# j! O7 f( H5 W. S) F" m

' n9 t' d1 S4 w0 R5 g$ e    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??# R+ h8 l9 B! t' L

- {/ \1 t5 t; M4 N* ~' S. w2 g如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: n  \/ D' p: X' u( _) A" d$ Y' M7 m4 W
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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