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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
3 J- \+ R# x2 d! \4 t$ V- }ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
: R8 S  O/ O! c) X) ]& s& h9 @* e+ a
Esd test summary:3 c) m. h1 h' j& F1 k
1 W& f0 O+ m8 p! C: ^) m
ESD TEST
) F  c& J: v, m. c8 B7 }
0 R7 i9 Z& H/ v6 `% b, N4 L) \
7 ^2 |" v* s7 m( w8 S+ LPAD
+ j  V$ m5 i6 N/ S' }% F

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
, c) R( n5 z2 K4 G" N2 O1 W& V; p7 s, S
整體佈局
0 p$ p5 }1 d& O6 d' `- K2 Y+ H9 c# M5 O6 x7 f+ s
pad    layout
# ]9 ]* E1 h! A  B* i. Gvdd&pin 28-38,1  esd protection
$ g0 I' A& c- }# ]) w6 h* p% {( R, @% |) f
pad 39 40 esd  protection
$ K% v: ^: B4 Q4 W4 V
" A; `) N, n( O. s8 V  t/ q1 C: Wgnd &pad7-14 esd  protection: k" l3 e- j( |0 S1 S( ]7 J

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 ' Z8 [" t$ E. D  B- Y2 h" k5 }1 k# r

: p2 Z% Y! [: |" b8 @2 R
! V" D7 [; }5 d  u% m8 h$ i    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? " @+ {2 m; R: a/ ?/ I% c4 [/ Z
; S6 t2 K( X7 {7 A& V1 M

6 j. ~7 U: a. U( |, g$ a輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
5 W8 v+ U; l  L! t可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 , @" h& f2 f0 J: D  n8 H7 E5 s( t3 e
- a* h+ {7 _: @+ i
# d5 s# X- \* y% F( G
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong  O2 N8 H6 h+ Q, e
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 . ?6 c) T( d- z# V7 p
/ \  p" Q: ?) s+ ?
6 A! ^/ k; U' ]$ s8 r, C0 \, K
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
7 S* k0 V( c5 ^5 b* R* I+ ^) y* s
9 c/ U" S  m2 r% _& g回復 12# jian1712 % c" K1 R" S) a: u3 K7 A+ b
3 G6 u' H9 e7 Z, o% r2 u
7 b1 y* s5 w+ q" S
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。  P) G/ w) a' [4 }6 T- k% \

- ]4 O! H, t6 m* U: O9 x' p# t- m" {6 i
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
/ i+ @1 H3 F; ]2 R# n+ O( {  n
/ O: c1 D! a' p+ [! ^$ R
& U: r* A6 H9 g: {0 c   
% Q$ v4 O3 d2 A5 e3 J. ?4 K$ a! A5 j9 W8 W1 P% j' _
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
0 i2 e& ~! f  B0 |
1 ], f" l  `( k0 d/ B2 _
. z5 [8 q- Q6 _7 y$ P2 Y! m    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
6 `. ^# p  c9 K+ A* Y# Y# w若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
: l. H0 t  r3 I這是相當容易造成gate端燒燬,
7 x' V# r+ T3 Z. F* {0 h給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,( Q6 U8 v( J1 y* K* i- ?) t
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
$ G: ?3 S* s: J" p) w$ E) j如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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