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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.8 T4 s  {5 d! o, @) f* j% {) ]
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
1 G# M, @2 m# j
# @# O7 m$ m1 d7 |, QEsd test summary:
9 A, x" S0 J/ i5 J# v# w9 ]/ I" ^; j/ ^& T5 w
ESD TEST
! C4 [- X' V$ `1 `) B0 Q7 `$ B3 D  h3 F( e) ~! q' x

0 B" I; ~; a8 FPAD4 ?5 Q3 ~2 ~6 p8 A* I" G

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
$ W$ L# j  @9 i* V
9 k6 I2 {5 I# W0 C" Y整體佈局. o* H& F3 U6 e$ i  j: R8 q# z
4 B8 W' D9 z8 Z, |, g0 q. O1 d! P
pad    layout5 _! q. H9 {1 O2 z3 n, _( p
vdd&pin 28-38,1  esd protection
1 A. @- d8 _5 w3 S
: k7 p/ @% U. I& H8 mpad 39 40 esd  protection
" C; \3 x% U, z! {/ Q/ s& e. {6 @3 r3 {) h! [
gnd &pad7-14 esd  protection
/ n" Z) i; l$ A

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 0 h5 T* e  S- O3 M/ P* E
  n; e2 d: {2 n. ^' N/ ]

6 F7 d/ w( E, }% j5 e' n- E7 P0 ^    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
1 e+ g* g6 H5 {( I1 f4 S0 m- [
2 Q5 y* M" x# M. }4 \  e4 L8 }9 E: V  j2 S6 C) A, S( k$ P+ b
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
/ i2 Y! f2 k) ^可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 6 D, z) Q1 U7 T5 Y8 I; K% D% Z

$ w6 B' I4 |: \: s/ p: N) C. B' w. Z  y% j, O: e; d' Z
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong2 |  T, i1 _* V/ h0 D7 U+ N. z
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 / h# g" H, F8 ^8 C; E- w, u
; R9 k4 U0 B# Y/ W9 s" H0 b/ ~

( w0 w% J9 N, Q$ }    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 % T3 }" |- |) N# G( n. h
* s+ @$ k# G+ u0 `
回復 12# jian1712 ' n* R7 ]$ G6 p3 l  `+ u7 c
, f- i5 k! h& }5 W" g
1 M/ [" R( y( Q( w3 p& e+ c" b
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
# F4 u3 ?4 [" r. m8 y# ^7 M2 r4 H! e& f, a: Q

( ]2 Z. Y5 h  T, f  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
" |( n6 x7 k1 f1 j! k
- }$ M( e- P) W4 ?& K2 P3 C0 @; N: |* c" y" G
    - F4 ?* P  {$ ^5 o3 s* k
. g5 s3 d7 C% K5 l% x( x
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
; Z; k/ d/ j4 }7 R: s
* E! ?; C4 N( A( \8 z: G
$ S6 b9 H0 p- H4 ^/ G' ^    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,8 n4 Q9 U* {! [( R+ m: `, `* \+ f
若PAD沒串電阻, 就直接到gate," Z  q$ v( u% [1 v6 V% \
這是相當容易造成gate端燒燬,
2 F# o! D' {+ S7 Y& k給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
- M7 S+ j- A! `3 s/ ~! ]而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
8 c' h$ J# i$ J! M如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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