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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表 ; ^% K( I; g3 b% y3 e+ i
方案一:
9 _2 I; p: g% `+ k  AB     AB  d. f0 Q6 C  D; I) E8 G
        x& s7 {& [+ s5 b" Q
  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central
7 `: k& I: P. i) }5 A: L# @
3 Z7 v( q, k, A6 J* e$ @- E如果不共用
! o% @3 C3 P' ]9 L9 u A      B          A      B
6 V6 R. t4 W7 K0 l, `+ v& g, [        x        X         x  K: i( i* J( t' h
 B      A          B      A   
$ Q8 H+ J6 Z- m9 h* u% ]. f, c   ...

& v* o# Y- y+ \7 i1 l5 V& m& I6 ?0 W
方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.) o& ?9 R" ?8 W* p7 h; a0 J. W7 K

. p8 a1 E, l: d/ ~1 D+ E1 N第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
( ?, p1 [7 x9 w; B$ B! QRD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表
4 e4 r( u* {- s; u4 E+ N3 h以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.0 w- }3 g4 l5 y" `. H( z/ ?
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

- J% B2 x/ x& K2 r+ M; A1 P" V' G2 }3 J: P' ?" O9 B9 r5 N
+1
4 A3 ~! \2 U5 j" `" ]* U" I2 U! l3 L* J: T3 S
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊
6 g% Y; @- O% F/ n! G( c1  面积小2 b, c) B9 P# X4 G0 ]" {, A8 _
2 drain 面积最小, 与sub 的电容小- I* p9 j! W4 X- Y, _! k( C
3 符合common central  
; B- d, P# N/ o. @1 r
' B3 S' b! E4 \0 J) ?0 l+ G类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者
7 a8 p; Z9 y' W) k, P  B8 U

% `: U/ E" g: F
  N1 N+ O+ M. q2 p! i& I6 n* o* c2 j
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩
$ J9 ^% a6 m/ h' |$ Y  \3 u4 r4 f. }5 X. W5 `9 Z
ABBA       ABBA
' }& w6 b! J% E/ w, L5 c$ VBAAB  和  ABBA
! [+ d! V9 U, Q* h: l4 Y, C3 a& D. d6 c, @
這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!
& _2 \0 a: H) q( t! I1 w7 I看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method 6 H- m3 m( r/ j& ]
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl & j# u7 P, \" j5 m2 u# G
, @1 t4 \7 g) k; O5 A

1 k5 Q$ n' C6 L( S( Q    我都用第2種方式~common-centroid$ q* j2 v* }8 r# r
    省面積~而且特性較好~
# _. p, g5 i/ Z: j+ l. s    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl
* M4 q7 K% p/ E5 |5 q) T& J* X3 e% _  \6 s' [% r+ h: `
我也想知道不共用的理由是什麼?& J' D# g* L$ R$ S. B4 E; A
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。
$ j$ e; r: _, M2 J$ q
: Y( |- ~/ ]# ^& L9 |現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的
' I/ b+ ?: F3 i6 |1 g
* U9 ~; A2 }, {& E" m依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。
9 Y4 l8 H* P% Y, j( M4 a事情並沒有絕對,只有合理性,
8 C; a% R& p: frd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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