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FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。. {. \6 k( t# Q7 D) F8 H* t9 T
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特性和優勢, _' D. b+ a& @+ O, T& F1 A! p
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• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。; o5 `0 ]0 R# r& P q. ]; m
• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能 }: ^/ _3 l- M6 r
• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)
2 _" `$ ?% V$ a/ T• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。0 p' z3 ]3 }# N; `
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快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。2 I4 `$ B, Q& ^8 Q' t. a
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價格:訂購1,000個
$ L3 @4 a, R4 @; I5 G) T1 M! mFDMF6708N 每個1.86美元2 w9 q6 e2 {8 a0 L q; V
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) V3 z* G6 |4 D9 I交貨期: 收到訂單後8至10週內 |
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