|
FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。
% ?( {/ o; L" V B7 U
, P( F2 P# h5 m6 A特性和優勢; ~) O4 _4 v6 c: ?
2 q4 k- n9 @) e8 C, z• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。# i3 _% ~ ?3 p$ W# O9 r7 d
• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能
) I) ~: Z8 w5 E: a• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)
$ h3 d1 F4 p d- m# _6 \• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。+ e, T% b. ?8 E! }8 s
: Z- a/ |5 a; u- w. f( J- B快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。# o# L! @ O/ k5 J7 U
' H+ b( C, R, d* }
價格:訂購1,000個
. T, ^ U, E* B3 s$ gFDMF6708N 每個1.86美元
7 G; B F, t* H( P9 z# i# D" k供貨: 按請求提供樣品
. I$ G) b+ U% w' }' a) i交貨期: 收到訂單後8至10週內 |
|