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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。9 a; V$ }$ p) s9 N- Y
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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9 z' s3 m/ @3 q0 x8 G四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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. Q0 k0 e# r) k: J展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。. M# o- H# y* B+ R0 u
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Fab 5概況
% X# |' p1 ]6 k+ j1 ], n大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層0 u1 n0 y; @0 t4 u {
地上建築面積: 約38,000m2
3 m; i+ z0 `: G8 U總建築面積: 約187,000m2 ; F' N- W) l1 j) U1 x4 s, Q3 O
開工時間: 一期:2010年7月 ; T1 I" k- R, [1 U' x' d
二期:2013年8月 2 Z: g& I, u' C
完工時間: 一期:2011年5月
6 z# s8 Z* Z+ T$ G: b5 U二期:2014年夏(目標)' P" ]3 N( T! w3 @7 z$ p8 t6 J
投產時間: 一期:2011年7月 ' u0 T8 {0 T- s8 z$ Y) p! V$ G
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型2 e. f. l( h! U" D
2 X" B4 B; C) Z, C四日市業務部概況 8 i5 i+ [; d1 k$ q0 d, ]2 Y
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
' I' F, J0 q' r7 T成立時間: 1992年1月 $ w# ^) E3 x( }
總經理: Tomoharu Watanabe
- R {5 W: k; ]% x- u/ w# F員工數量: 約5,200名 . Q, X1 B( [: u: V
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
; f. x* z. q! J- `) W場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
; r/ l1 V O0 L0 ]) C# r. b+ y, p總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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