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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
5 w2 G* X5 E0 D4 _# S3 B•汽車點火器用IGBT單管
) C) t5 k, ?5 e, r1 d5 I針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
]0 p1 s0 o% S1 V( G' c•新能源汽車用IGBT晶片及模組
+ e3 {8 e- j' [" F' J: y: u/ a針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
( [2 G; C( k0 [4 F+ _二、技術指標
+ S# k/ ] g* f•汽車點火器用IGBT晶片及單管+ { j+ ]; a! Q9 L
主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
" H1 D) ~, b+ r* O* o集電極-發射極電壓 VCES 400-600V c) N# j7 T% w- g' m
集電極直流電流 IC 10-40A' F$ U) P) u2 Y
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
# J9 U3 |, e& L% q* V4 o•新能源汽車用IGBT晶片及模組+ I+ w6 K1 N9 e* v$ Z
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值7 @$ A. C) h3 A" Q: C
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
" R/ I* N- @ g# V6 e2 @集電極直流電流 IC 100A 800A
' F L4 D( R/ j7 @集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V/ \& N3 Q7 _6 J" r1 t
三、經濟指標4 t& A8 r# H/ u9 z' ~9 j) ]: L
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
0 h/ q+ j a9 V8 N* g" a- p•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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& k! `* g9 ~1 ]' C+ r6 z+ i# w, w9 U' m$ @3 `0 F- n1 v, O% J0 e
合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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