|
本帖最後由 a5317 於 2013-1-31 01:27 PM 編輯 & _8 V2 B+ \8 ]/ m2 m
8 i s5 c, q8 Q+ h; s
想請問各位大大
3 A1 J& d, x) U* g; M( |5 p* X; z0 {* V w8 ?" [$ |5 D- [( g
我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時,若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?), k$ v6 G1 \$ H) u, e6 H
$ H- N3 k$ f) i/ E Q \
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。8 X( t- t4 j7 N4 e
' n4 n: Z, _5 G( K8 ~/ u# T9 H+ W. e小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近% A, ~) X* [# }% E! D' }3 Z v% E
" M; b" i. E7 U- _但是有約有50mV的偏移。
; h: m4 ]8 L/ X2 ]# K: Q' @
* N: ^/ t. B* M7 j4 w0 F" E2 y
, f; j: U, V* ~& N4 O這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
$ \: X0 j) F1 ^: ]3 l, s8 O+ [想問這樣是正確的嗎 |
本帖子中包含更多資源
您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員
x
|