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[問題求助] 不好意思,想請問一下 bandgap 的問題

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1#
發表於 2013-1-31 12:53:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 a5317 於 2013-1-31 01:27 PM 編輯 & _8 V2 B+ \8 ]/ m2 m
8 i  s5 c, q8 Q+ h; s
想請問各位大大
3 A1 J& d, x) U* g; M( |5 p* X; z0 {* V  w8 ?" [$ |5 D- [( g
我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時,若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?), k$ v6 G1 \$ H) u, e6 H
$ H- N3 k$ f) i/ E  Q  \
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。8 X( t- t4 j7 N4 e

' n4 n: Z, _5 G( K8 ~/ u# T9 H+ W. e小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近% A, ~) X* [# }% E! D' }3 Z  v% E

" M; b" i. E7 U- _但是有約有50mV的偏移。
; h: m4 ]8 L/ X2 ]# K: Q' @
* N: ^/ t. B* M7 j4 w0 F" E2 y
, f; j: U, V* ~& N4 O這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
$ \: X0 j) F1 ^: ]3 l, s8 O+ [想問這樣是正確的嗎

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2#
發表於 2013-1-31 13:33:53 | 只看該作者
這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
. q& J: v9 n. @  m- N  C$ _1 u實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
8 V* v- O2 i  Q; H5 R- @Vref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)
3#
 樓主| 發表於 2013-1-31 13:37:21 | 只看該作者
本帖最後由 a5317 於 2013-1-31 01:40 PM 編輯
: F% ?+ C3 Q6 R. u0 w) U% S2 E9 x+ U# Z/ o4 b4 B
恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異$ H4 }$ f& L9 `! ]* B2 Y1 `1 c3 d
都還是在差不多20多 ppm/C
4#
發表於 2013-1-31 13:49:14 | 只看該作者
算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
. y" U  A& X* w5 t4 h頂點設計在25度C.
5#
發表於 2013-2-27 15:27:47 | 只看該作者
希望各位讨论,多谢大家,等待。。。。。。
6#
發表於 2013-6-18 01:52:39 | 只看該作者
如果要作到跟溫度接近0相關的話,只能夠做曲率補償! J, Z: G, S) V! d) n7 Z& X7 H1 i
你可以去google找curvature compensation bandgape9 ?: j0 K$ N# Y
可以找到很多2接補償的資料
7#
發表於 2013-10-1 21:09:34 | 只看該作者
我跑出來會有20mV偏差,應該是工藝不一樣
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