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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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* Y0 ]: p( e% Q$ W. W5 Q" _ k東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。3 o1 q$ i% o' Y4 b
{% I9 V" k8 `四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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' G! A( o; v5 NFab 5概況3 J* |/ ?# l" l4 ]3 v
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
, {* c0 j+ _ w5 P6 B0 N! W' r4 {地上建築面積: 約38,000m2
; Q4 d% d9 R; H6 A總建築面積: 約187,000m2 ) I" W- a1 g) G# o
開工時間: 一期:2010年7月 * Z, e$ [5 f: E2 Y9 U f
二期:2013年8月 2 ?1 @) S" L1 ? b/ g F' h& N1 q1 a: F
完工時間: 一期:2011年5月
" x/ d ~" C: g2 _! l' H, {二期:2014年夏(目標)- B0 {7 K4 x Z1 w# `& W# |
投產時間: 一期:2011年7月
) v' G+ G2 z' ^& x! t* `二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型! L2 [6 A8 q" I, b
2 d* Y$ E, \6 j, }9 F3 d四日市業務部概況
) h% V" g+ ` x7 }4 o% w b8 B位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture , q4 Y- I& d8 f/ A
成立時間: 1992年1月 . h$ e; P. m6 S: b& G
總經理: Tomoharu Watanabe
% P8 ]* X7 v2 e: T) X員工數量: 約5,200名
6 c7 N" W3 H1 Y- }(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) ! {3 m+ @0 }9 P
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
* q' b" {/ X, a! E7 X總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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