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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。9 {* {7 t" s. B5 L; T) ]6 O
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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4 V" s0 J5 \& L( L h3 f$ J四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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2 t h5 M8 K0 }: E5 d f" a# M; w展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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h5 ]) ^* ^ j4 \8 }1 B' KFab 5概況' R5 t) p# u7 o8 Q' F% _( C: t% Y6 r
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
! i3 @! e5 Y$ n8 z9 m8 Z地上建築面積: 約38,000m2 0 @5 u' x1 S0 E: F r
總建築面積: 約187,000m2 " a+ {: z& o6 S$ h! e6 \
開工時間: 一期:2010年7月 # U: A# W$ Y+ _3 x
二期:2013年8月 % u7 V# z# l* Z. E1 V7 U
完工時間: 一期:2011年5月 . U% L2 H# O e9 S# O
二期:2014年夏(目標)
+ ]$ l3 `/ Y* M0 p) ]+ ]) \- N' G) L: {投產時間: 一期:2011年7月
( ]4 t! q S; Q9 g! c6 E3 n二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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+ U: M/ T8 |; H9 S0 B$ ^四日市業務部概況
; q+ t6 x+ F) x H# M5 _位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
# e k7 P' G! \8 p/ j0 _3 {0 y成立時間: 1992年1月
' R- ^7 }. W5 R( ]總經理: Tomoharu Watanabe
4 |: H" j" F/ A- f* d3 D' e2 I員工數量: 約5,200名
# U( c' @2 N6 T5 i0 _) h) G' A- q0 O' X(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
+ u8 _9 d/ X! s場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
! A8 y8 z& V q8 T3 B總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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