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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
% a, q; g( V s8 i. X$ O. L# T•汽車點火器用IGBT單管
3 r) U- ^9 n' o1 s針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
' k1 Z0 S& c: u: V) S+ a; @•新能源汽車用IGBT晶片及模組8 l9 A# ~$ x ]0 O
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。; R4 ?& U' R! f8 R; g4 @
二、技術指標
5 L2 Q9 x y/ @•汽車點火器用IGBT晶片及單管
9 @5 h! |# ^& b主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
# A) P8 c w/ P5 X! p集電極-發射極電壓 VCES 400-600V) q: [: _6 K, d, x- D0 H: b
集電極直流電流 IC 10-40A; B7 Z9 P8 z3 Y
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
/ [" h \& V# E' S•新能源汽車用IGBT晶片及模組- t3 T& X* M7 D6 E( y \% ?
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
$ n5 \9 r6 w7 g" R集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
3 E0 w/ n( A" B) E, c0 h9 E* X! T集電極直流電流 IC 100A 800A3 T% t; R5 E i& Z% ]
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
/ s; _" ?6 E t/ s3 L* V三、經濟指標
8 ~' u$ N$ l$ {/ t' \! Y# D: f•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
" c5 }( t9 u" Q0 E4 u" T6 e•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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4 k0 ~' p% D& T8 Y9 e7 Q合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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