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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。& V% Y# Q, P# l9 t! w- _
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。( ~& f% T4 E: F
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。! c7 m7 U7 ~: k/ P5 l
) s0 { _6 W, R+ o6 i- ^5 NFab 5概況
) \! x( t. Y' y( Y大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層8 a0 H' X R9 T$ B: Q' `$ m
地上建築面積: 約38,000m2
- y$ f- M2 C5 O0 k* X$ p& e, w: Q) P總建築面積: 約187,000m2
1 J0 K) Z" n [開工時間: 一期:2010年7月
/ b3 l4 g! x1 g6 e3 `2 ~4 K0 q二期:2013年8月
3 i4 r4 a+ G! }% _完工時間: 一期:2011年5月
4 v! L" ?" W E1 [, H1 P二期:2014年夏(目標)
. @' e% m* k: O7 v: A% O9 ?7 M投產時間: 一期:2011年7月 8 q. L- t) w7 _) x% o3 @: X
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型- o3 ]9 V' n- K) @% N6 | A
9 H8 K4 x( p- c# W6 e% E8 d7 }四日市業務部概況
' D* ^& X+ V' d1 g位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture 4 k) x2 }4 n4 @* O6 o
成立時間: 1992年1月
8 T% V$ } o: W' F) u總經理: Tomoharu Watanabe
1 @9 Y" y3 p9 W7 c& F, j. M員工數量: 約5,200名
( o$ O3 c& O3 r(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) + u8 N; C7 j7 K& h/ e
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
% ?4 Y5 f4 L6 x, v& n) Z. v5 q; U總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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