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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
* Q7 f( {+ u8 [5 T  r/ \1 R% nA gain of 1000 is expected.
% o' B4 e7 \4 O) W# J=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: ; @4 J: z) W2 o- ^; G; ?! F
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
, n$ o# D# t& \6 \5 b% Q: m3 Q& e$ J2 o2 t7 ?
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
& t$ G$ M. P# T% VSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
+ l- Q  A, d% W, C0 v2 c4 p4 r! w  {$ ?( b$ ?# r
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):6 e; x/ }! y7 b! ^7 e" ~
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
# F( N: p) F; R7 l" S; Y! mInput shunt: Current mixing輸入電阻變小# a0 x3 U+ C! m$ O2 I# q2 w0 r; B
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大$ F$ M4 S9 A3 A' j7 F' W
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
3 n8 @  J# f5 o+ c. BOutput series: Current sampling輸出電阻變大
  L/ ^  x4 w6 t9 T3 [# h8 N. _
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
( g0 }# @5 Z7 ?+ H  t8 L5 t& C8 s需要4各bias 點~
8 m5 I' u% J0 |, D0 a% Y/ B1 H2 R7 |
side 0732+ M4 G. t+ X% w" u+ B* S$ e
只需要3各bias 點~% c( {  V/ o+ C3 x* p
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
# P1 S/ B& l4 n! n# J  @: aIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
2 f* y; p+ C9 L/ vdepending on the phase margin required.9 M' E& l) l) I' ~/ q
=> 更正- h# ~- j2 J! ?
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW1 }8 n/ {7 b2 |
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM+ C3 f# g( {% l) D( e# p5 S
回復 32# tuza2000
  _4 b5 n% e9 T1 [
上面說明有誤~
3 ^/ ]% X9 \$ }7 R2 O' j- e- j實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
8 h" F4 r! o3 F+ c
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
. x1 ^: l* m3 l9 n& o: l, ^" uCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
: {8 s* f& y) W: U) b7 P' @所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)& V! f6 e; g$ M3 s% F) r
Ref: silde2219 6 Z) a3 X: Z5 O) r6 k
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 0255 N  h: o* A' S
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
# R9 y% _4 l- t! s) g+ r2 A! L1 FNoise of a current mirror with series R:
. R+ y7 S! l/ ]0 l& Y2 ^+ e前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!* Z: X. V( d9 U/ u- f* H0 p* e, M
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~/ w$ a3 H+ ^. k5 e7 m4 `
謝謝~~幫忙回附一下
( N2 \4 n* n# ]1 ~3 h+ i
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
& U8 R6 H' o% {6 O+ w) o分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下' {' V+ q0 v2 c
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
% F4 V0 i+ [* k) K2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
. Q% ^8 L  M( e3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513* k! m2 `) d2 I# u7 [0 A  |# N
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
( k& U* F/ t1 a2 G1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
) r6 K* K; D5 z" n! _# J2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。2 J7 P7 A. F3 J0 l( b0 v
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
! e% U! t6 V- e. [6 V4 a6 S' V! O) uVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
, {8 _7 z& Q* m/ \! X- r- g! {; ~7 {- f/ F4 W0 H0 {
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
9 V2 o: m& Y; x: O/ L9 @用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
7 p! C. r+ @- i# x* X5 c所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
3 p% }0 Y+ H- T( ]6 ?" p  H1 K
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222- O  g0 y+ Z* x7 O1 Y5 y8 c
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)6 v* |& e9 s0 n

- _9 \2 [1 ?- f% a5 e=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
+ K0 g! A# X( n" G用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
6 I+ _2 R0 w- x+ f7 ?% m$ Z所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)7 A; s+ W) B5 a0 ~# ~
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
0 S5 u8 v3 B+ q4 iVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
! ^- L# z5 F; G$ h7 ^* e" O) t9 w) ~; x. e/ m
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2) n+ P: `6 G5 n8 f
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
: y% }+ Q  B- K6 r所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
5 ?; b0 E  W0 h; h1 y
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
: W' {: L# E# h; d) rVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)7 z0 `6 Q% B' K$ K+ A3 T

5 U1 U/ m: p5 j, T# J=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
8 c6 H- j) |0 O; E' T; t; u5 L: M用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻1 O, s: L2 r' p2 m+ L
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)! E# P6 Z$ r- }; V: V' D; {+ V
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA, _  x5 X! }% E% }6 {0 l
8 S# Z- _' m# y% q' U
gmmax 應該是C1WC1/2C3- }+ q8 k, n: W5 L
7 Q8 `" f7 c, h, L7 F
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
* i8 n# E  H1 w$ R3 s1 {1 Aslide 2222
, ~0 w  T: z- ^+ MVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

0 y" V0 t. q; K! i' t4 j8 @2 f( j) EgmA~ 4RsCL^2Ws^2
1 X8 N! X1 }0 p" |and 4WsCL^2/QCS
( S2 O( b8 a; T2 j% ^( R( x# E) m. a- {- ]: K9 Q
# f. O, S' Z; ~5 E
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP 3 ^2 b3 d/ M2 P' |& X' F1 W0 g" O' \
/ d; e4 R& B; d$ U8 |) u( G+ u- o8 x9 p* {
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
- M% t2 V/ Q% p% w9 q/ i$ o
' y; }, A" K0 K2 x2 b, _  G2 D3 Ahttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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