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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154) @" ?, q/ c8 r5 g4 R- K
A gain of 1000 is expected.7 l9 G5 ^5 P5 }- T2 }
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
$ [: L" G6 N# Q/ Z( }Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
- o5 z6 r# B; x+ q( n" O9 z0 l. m( ^
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):7 C3 j/ I% D+ ]5 |
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1+ H; M4 m* r2 }
; j) ^1 V/ t4 b3 ?8 B  C
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):& ^1 F* ~5 z9 M
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
: W4 v; m" k5 y" K: \: [Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
9 V8 a5 G4 M, t" d6 @1 UInput series: Voltage mixing輸入電阻變大2 ]7 |0 v% ~7 n( D
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小7 T* e6 m9 \7 N( D
Output series: Current sampling輸出電阻變大0 R4 u+ V, z- ]# E
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
5 t+ K+ z: t7 n! l6 K4 ]需要4各bias 點~$ Y. k9 ]5 R8 ?: [. E

+ [0 a% M$ G7 R5 d6 r0 b" `side 0732' E- u9 y0 l  A3 c2 S. [3 I
只需要3各bias 點~+ k; }, U  U& P) h) u
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
! A9 a; m6 j1 jIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW( m& E5 t8 G0 v6 M9 ~6 t
depending on the phase margin required.9 u( S  f# D8 m7 U' {
=> 更正6 x: c% E) Y7 y4 f+ L8 Z5 s
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
) [* d  I5 L7 D1 Ddepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM4 P5 x+ g. Y1 o! W  J8 ^
回復 32# tuza2000
" J8 ~0 e! l9 `0 H# i3 i# Z
上面說明有誤~( a+ d6 e" b! Y' d( A
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接+ b5 u; e( }" o
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)  v* t9 c' @6 C
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻% R# N1 I4 N% h4 Z3 K0 p8 }
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
, n1 j' x6 l  u; i9 S5 eRef: silde2219 , f! s; ~- r2 f+ k- C  f# I/ [, G
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
0 ^% U6 w* j' X6 q' tNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
0 O$ G, q! B5 j" QNoise of a current mirror with series R:
3 g% z* S* b$ Q) U8 W前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!7 [, E4 a$ q5 @
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
: X6 @' U; [1 M. Q, w0 x" J( V謝謝~~幫忙回附一下" P8 \1 W, ]/ Q  D
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513* Q' n8 y, i; X1 [
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
8 h: m$ R! Y! V* f# e1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。  h, p1 e, x6 @- K4 |7 [" o3 X
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。: p  D; v6 E! ~2 M6 L, Y% z
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513- g4 _3 t/ r( o9 p( g& y
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
! Z# }& [: P0 e0 U5 }1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。1 K' a! B8 A! j: m
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
5 A0 P5 |1 l% P: v7 v9 u$ O% O3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
( V4 A0 y" A8 C( NVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
5 y, o: V" x7 L8 F% V  R- U' g* Q/ h! v- g% f! t
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2% h( C% O- B7 r6 A
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻, c. F* X" G/ X! l* W( c
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
: \6 \* y3 X$ V1 g5 R( B) ?2 W
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
) I: j: s1 p, G, vVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
( O, t- n. F1 G9 b7 Y2 a$ u8 ~% c3 h, O  B, Z/ p+ h
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  G' Q3 E' V4 }用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻3 ~" Q0 u. f4 m4 M# w
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
; a/ K% V2 E  u4 S: ^9 F! g2 ?1 `
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
& L" I4 m- V3 }& dVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)+ S; R4 s5 D8 f) E7 k# }0 x4 Q

9 F9 s. {+ }7 [+ e) Y; O0 I" g0 f=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2# i: Q5 u6 M3 \; P) b# ]
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻# s# }, P- z; p, y5 j
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
$ }; i1 x/ x! l3 d! X+ V# l* Q
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
; x9 M0 L8 ^7 ?5 W' YVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
+ m9 x+ f% x- {# P- I0 o
' Y" G: r9 d+ i3 g& c  h=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C26 W3 S' }. N' r9 D4 G9 [* u! \
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻/ \) a' A; {: a
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2); S& A, `8 P/ d% P" V; K
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA) F& l' g+ D, n+ k  d
& ^( S0 t4 E! a8 g/ B
gmmax 應該是C1WC1/2C3
, w* w) k# a& x, K; V8 Z) |: J; `, s+ l9 F# W
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM/ F& _3 D7 F+ i6 R5 {
slide 2222
# d: w) u4 j: `( ZVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
9 B) [1 i* w- q: D7 o$ ~& {
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
# L7 c3 ]( P! S, hand 4WsCL^2/QCS
/ n! ~$ w( D7 H0 k% G4 N% X9 p! ?
! m7 ?( S1 s/ A9 {3 L& e* L  Q& ~
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
, r/ @) ^! _( q* K2 x# H! g' b1 T8 W
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
, |2 r- w2 ~! \* j, P% X7 M1 w) v  h
/ t! x  o0 @. M& {! c, \https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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