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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154; V7 d2 W2 i$ C( E9 g0 k$ |
A gain of 1000 is expected.
; s3 B+ ~  o. J6 {* A; x" K=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: 4 i% O% B# {! P) v* r
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
! @! v4 M0 ^( U* D
9 C7 ?6 i$ L! r) L  W/ }8 |2 e4 \補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
* c9 O! N7 e8 A! p! ^" F% _" f- PSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro18 x# v( ?* N! ]% v0 L4 o0 f

/ `8 }; o3 F. K& m7 z! ?補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):7 k9 B! c0 `, X5 \9 B. ?
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:( Y! r6 {7 M% h# ]. y
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
4 F- x3 ^' z! R& s2 XInput series: Voltage mixing輸入電阻變大: Z# s0 T" B% [3 V9 N
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
2 {- Y; v& y+ I* TOutput series: Current sampling輸出電阻變大' n1 U+ |# \% ^2 Q5 ]% E: ^% T1 ]
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
6 b9 r$ k4 [: W% L2 {* s需要4各bias 點~6 H; i3 v& A& ?6 l

" A4 n- O5 P5 `' ^: ]4 W2 o7 Cside 0732
( Q; u2 x7 `  {0 w只需要3各bias 點~
! N- s3 S9 W1 c4 `9 DM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
" k0 X3 X. ]( f& {% BIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW- g3 {6 T& V# T5 @( ?( U
depending on the phase margin required.7 U6 d/ K  R  J* |8 ?7 T- n
=> 更正0 `3 P3 B8 B6 D1 r( L7 r
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
" O1 S  I' ], D' P  c. s% ?/ o' Pdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM/ Z3 s; }3 Y) r* A% k% @
回復 32# tuza2000

) A% ]2 s2 F" ^7 s9 \上面說明有誤~
1 J8 `1 L7 S$ s  \* d實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
+ X- n5 m* V! }1 n$ b3 w  ]; V
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
) M$ g9 ^  k, q+ c! q1 t/ a; u  h! M  eCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
8 {4 k% ]9 m3 k0 k6 T所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)% s) L0 |/ m- W( o% W" x& ?$ @# P
Ref: silde2219
& `" p4 h  e8 ]8 T& R* xStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
5 ]( j/ q: h2 }. DNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
- q$ O+ E7 L2 O& l, d. f8 sNoise of a current mirror with series R:
1 c& x% c+ |- s7 b9 ~前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!0 v4 \/ k, w9 ?  p0 T
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~- i. Q  y  O. u% x. n% x
謝謝~~幫忙回附一下
5 I5 X0 P) C6 ?8 Q! d( W- q/ e' C
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513& E3 W' M" c& w4 t  M2 I
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
7 Y- O3 m! I+ e$ \0 [! o7 F$ C6 {1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。4 M/ H/ ~/ H- Q; q8 Q2 W+ l
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。! S. |( M5 {8 t
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
8 V* ]: i5 B9 I, F分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
' p& v; V" w8 g9 Z1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。, C1 }4 k5 z) J# x& L; O( U
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
" k) e/ I* ^! L4 c8 f7 ]! G( E3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
: y4 E9 ?. @! u2 sVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)) o0 X* l# e* U6 \/ `( I

0 w# B" g3 B/ s" n$ p=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C26 y% H7 c- M7 [0 c! W# @* D* k
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
  k# }' K2 L# v3 Z  r& I所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
0 X( m( w: Q3 d4 b* i$ a# B- z
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 22221 R+ x: S) T+ W1 n5 i% ?
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
! w  ?9 J, j; t2 k' n' Z+ ?8 X9 o  E& p* `" W
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2/ p6 P! c* p0 X1 D
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
& i+ C; r- m1 g1 ]: f0 h4 K2 r所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
2 m. {1 C8 A: e
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 22222 E, M2 p' x8 i3 Q4 v
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)/ j6 L3 _5 [8 C- }4 g

- W% z9 L$ b% S1 r+ `6 P=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
0 B, z! e" e0 }+ t用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻$ T6 p8 H4 Z9 B/ a' a9 _
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
0 V9 X) t8 \4 B) p7 T& b5 i
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222! g* [2 H, I- W4 v! a
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)% }# H. b. A. w, \: ]$ c
! E1 r/ ~4 N+ I5 c4 f: }$ h
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2+ Y* H0 y; h! `: b$ J7 a" g- ?
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻$ C0 s3 F8 z% P
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)8 M5 S! E$ V8 f! p, k1 a; {+ M
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA/ p  E" ]2 a1 J! I8 Y

6 U( H' D: Z6 I* Sgmmax 應該是C1WC1/2C3( U+ G6 n! C5 j6 d, J
- d; y/ n4 s5 J+ B- \# w; r- ?
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
6 p2 b) t2 y/ P1 B& O) k1 |slide 2222
6 S4 F' W! c) `7 G+ {* uVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

$ x; Y  u- h( l' f6 P! QgmA~ 4RsCL^2Ws^2" h0 E, p0 x' s1 p% K
and 4WsCL^2/QCS) t, u+ q3 c3 f, w* }  v
5 R$ ^- h: B7 m) m/ u0 `: m$ R
# b( B. m% R5 o) l2 `
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
8 m7 `0 a6 m1 ^8 }& \
. n0 j' E! s6 MIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)+ e6 U* _& V+ `+ e: p$ v8 |

; D+ z! V: m. T: n1 K+ E% O+ Z9 chttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 5 天前 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators ! O) x: m" Q  d5 |8 K
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis
5 H1 M! V! o2 T$ F3 M3 @8 L! W2 Z' F+ @" C* _7 |
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
5 h# P+ V/ C0 W! Z/ j0 G
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