電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
$ P* [( d" S. T, R; ~是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
! X9 [$ i; `* d2 R0 v; i- G2 S老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
8 [( a' Z5 z8 j& a; ?/ N( _8 M但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子
8 p" \1 g% U/ v" F
; c' w  L9 {# F. Q此外再問個專業用詞的問題，請問：
# ^" h; W1 v4 U; z# w0 [. R: q/ uSilicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
如果有layout上的達人請幫我一下
謝謝

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
! \+ y" J* D! }1 Q; `unsilicided poly...unsilicon targe Poly

* ^% A( C$ g- G; z7 J. f7 stc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
2 n' V( C3 d4 L( w( {tc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
9 u$ j" W+ K8 E4 K7 vvc1 voltage across the first capacitor
# r1 I) Y+ P- S. Y$ S) Svc2 voltage across the second capacitor
+ t$ q8 a8 v' M6 _( }
A two-terminal resistor.
The resistance R is influenced by the temperature as follows:
4 c6 E# r; \$ u8 Q8 K$ @R = N (1 + AT + BT2)
  d7 A+ I3 n# j& i; H& O/ I$ g# yT = Ta – Tn
& P3 ~" {" p/ q, ~9 I9 awhere N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
4 n  U# I; ~9 L4 q.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)


This produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
is different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
example, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
) `5 H. O- W  B) z$ F30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.
1 m5 a2 ~+ v. ]/ x* Y) Q
[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
  Y. R* [+ ?5 X# n- N/ @像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
! {$ N, q& ?5 C' r8 F4 F; c
與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
7 N4 o& n  N& o4 `( v8 _電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
- I+ @; c  t! V3 k4 r0 d+ W7 m像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
; ]2 C3 @# y( S$ {' I6 Y
* [" e. M3 J1 {與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
) T! v% y' F8 [) O- h8 j0 l這才是考慮電 ...

' o+ Q3 K2 S4 k6 vN+ resistor to 12V，so voltage is understand.

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
to m851055:
; v5 }" ^5 F3 B- b3 ]" I9 o. ?　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
      你說得我有一點了解了，3q

請大家幫我看看以下的圖:


5 a4 p! n1 ^* X! K. B+ Q) E這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導

[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。

8 d% e$ r+ O) ^另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。

- v& z1 H' c9 A還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!
9 v5 |: B/ ^! _2 z" G! }
, G) Y) G, n# t製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
這些值都已經算出!!
" a: u+ M( f- h9 b8 Z1 {8 F從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

woo240

to m851055:
0 }. ?( t5 n6 E  m3 {' }   我指的翻是把英文翻成中文的意思
   因為老師給的都是英文paper

! N3 U, `: d" U3 W( i* y3 v7 zto sjhor:
     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
7 w; I1 P+ i* E2 C: X+ W9 ^他們應該就會描述!!
3 Y: w( B! y3 z6 T5 w7 S# `你可以依你的需求來做判斷!!
因為製程的不同  這些也都會有所差異!!

每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
. J2 u" d2 T4 z+ o' u* t( i% s0 h正系數或者是負係數  也有所差異!!
看製程廠給的資料比較準!!
, ~# r/ H9 G4 C9 U$ e) t
) m3 Y# ?  q) V1 [" ^9 T[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

謝謝各位的幫忙
已經有了初步的了解了
這種東西自己找書真的會找到翻的