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[問題求助] 有關動態電路layout的一些問題

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1#
發表於 2007-9-5 03:37:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教各位專精人士,
; v+ L2 h. f1 g, ^小弟目前要tape out一顆32bit的Kogge-Stone adder(130nm TSMC)(主要& r# U3 }) A2 Z" e
為dynamic circuit),有幾個基本layout的問題想請教,0 }9 L! \- H4 U+ Z

5 t/ f8 ~0 s  L2 [3 z" I& o2 U+ N1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?# s) u8 p+ w/ X! N
2.clock除了要長clock tree把clock訊號送到local的電路外,有沒有需要特別注意的,比如說:在local的電路裡,要注意什麼情形才不會使的clock skew變嚴重,local的clock要走哪幾層比較好,等等之類的
' k; o! i3 C2 C9 M; c& z9 R3.在這種架構上,有沒有需要特別注意的地方。
3 `$ G! _/ w- p8 k- U, m8 T  V' B, N$ W  t
因為是第一次lay動態電路,所以不太清楚要注意什麼,還有請各位大大提供意見。感謝

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jianping + 15 + 15 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-5 19:37:34 | 只看該作者
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?
# ]3 |+ e. p1 r2 L, K3 v+ ^+ S
-->較不好,因為縱深落差較大

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3#
 樓主| 發表於 2007-9-5 20:14:58 | 只看該作者
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
4#
發表於 2007-9-5 21:33:18 | 只看該作者
原帖由 piepie1244 於 2007-9-5 08:14 PM 發表 ! @0 V8 c' N* Y6 M" p
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
+ @) c: L7 D- Z6 O
: r  \: F& ?2 l- d6 U

  }0 q: _1 H2 |4 D+ {在etch時侧壁的metal會etch不乾淨,造成的影響如殘留metal掉到其他導線上,造成leakage......................

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piepie1244 + 5 Good answer!

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5#
發表於 2007-9-7 10:04:53 | 只看該作者

回復 #4 m851055 的帖子

請問 m851055
1 ~3 R# T! v6 i4 Y" v  `5 \4 q
: v4 D9 I! e" p0 ?7 w5 _9 L就這點需裡要如何改善   加大 Spacing嗎,還是要先拉一小段線再換到M2
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