關於delay line

kevin-liou

目前想要設計delaycell 的延遲可以在1u sec 左右,但我怎麼試都是在幾n sec,請問我要如何設計才可達到我的需求,或者我可以從哪個方面去search,使我能夠製造出造出足夠長的delay cell?

sjhor

以後請先爬文!!
& v5 I" @* P: t+ w9 L  i- t
* k0 H$ t! f2 J7 h不過  可以參考以下的連結!!  希望對你有幫助唷!!
9 V: \7 w: ]# ?
http://www.chip123.com/phpBB/vie ... &extra=page%3D2

skyboy

以一般的 delay cell 要做到 1us 可能不太容易...
$ h) q# {4 G% d$ d  c: V一般 STDCELL 提供的大概都是 1ns 與 2ns, 以前做過 delay 30ns 的就串了四五級..
3 d, ~" z% b- @6 l6 y要 1us 大概只能用串接的, 一方面要占用不小面積, 另一方面誤差可能不會太小...
7 G9 G6 S7 J" _; ?& r8 i看 foundry 的 spec 那種基本的 delay cell 在 best 跟 worst 跟 typical 的相較可能
  q/ R2 n  x; E+ B" H" q就會有 20%~30% 的差距, 電壓範圍再大一點差到 50% 的也有...如果要拿那種的
: _2 R5 Z, V8 z9 i0 x' X8 u來兜, 這點要注意一下...

kevin-liou

因為在paper上有看過有人使用delay time 來決定power ic中切換psm的週期大小,而他的切換頻率為1MHZ,而他的delay cell 也是蠻簡單的兩個inverter接一起,但他卻有辦法每個delay cell延遲1us左右,而就我所知可以從降低電流或每極輸出並聯電容來增加delay time,不過好像也都在幾ns,所以才有疑問他是如何延遲這麼久,希望可以解決這個疑問? 謝謝

ted628

在 intermediate node 掛上 cap 吧，用簡單的 moscap 即可，在業界的確是有這樣的用法。

# T. Y( I8 ^2 [  Q不知道你的 delay cell 有沒有 current limiter (sink)，如果有的話，改變 bias 電壓即可改變 Tpd，也就是上面說的降低電流。
$ L8 l! o& p# j+ L  ^
若把 current limiter bias 在接近 vt 的區域，甚至進入 subthreshold，應該可以得到你想要的結果。

kkk000777

如果真的要很準的1u sec，可以用線路解決
; M3 {. E. Y+ M* X& W=>使用shift register ..... clock 用 1M Hz

+ Z1 v  F$ p3 h% g如果不是非常care , 用 RC delay
=> IT=CV ，自行算出想要的delay time
不過有點風險，誤差值可能蠻高的

緣緣

一般delay time主要由RC決定，所以如果要增加delay time，可以加大寄生電容，或直接串並電容，如果是在IC設計中，可加大MOS的L值，可增加R也可增加C。

arsenal_he

for power ic, i dont think he cares too much about the accuracy of the delay, so rc and changing bias current both make sense

monkeybad

因為在paper上有看過有人使用delay time 來決定power ic中切換psm的週期大小

% Z$ u" F" y1 L( J2 X=>"psm" 應該是PWM吧

3 p# i6 v! K6 v. o4 Mdelay time可能是示意圖吧 用inv做delay要到1us可能有點困難
$ O1 Z: z# k) L* v8 @建議可以用comparator來達成 comparator一端用一個電流源去充一個電容 另一端用一個參考電壓作比較
( A, G& B! m# M5 |! J: fcomparator切換後 在把充電電容的電荷放掉 重新reset 如此產生一週期性的clock
4 @' m* S; h1 i! H$ O! p調整充電電流或是電容 就可以產生比較久的delay time
詳細的電路可以去找一些有關pwm的碩士論文 應該都有