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[問題求助] 負載為大電容時的buffer設計

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1#
發表於 2007-10-9 18:09:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
當輸出端無法推大電容時需要在多加buffer
( i4 W9 w( m5 \8 I" T: h請問此buffer要如何設計?!, y: N1 Y- h  q* z, v$ E
確切的流程為何?!
& A! `, X+ q8 \  e0 [: e1 h謝謝大家^^

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2#
發表於 2007-10-10 06:07:13 | 只看該作者
一般為第一級M=1 第二級 M=2 第三級 M=3 第四級 M=4 ........,必須注意需為偶數。

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3#
 樓主| 發表於 2007-10-10 14:19:37 | 只看該作者
不是應該要看電容的大小來決定每一級mos的大小嗎?!! V% `! Q+ F3 f! R# t5 [" m) O
謝謝回答喔!!
4#
發表於 2007-10-10 14:30:22 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

你應該是指Length及width吧,如果是length、width建議作spice sim。

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5#
 樓主| 發表於 2007-10-10 16:33:33 | 只看該作者
嗯嗯~沒錯!
4 K( _$ h3 J( p% I: A% Z那要怎麼模擬呢?!
' O: n6 O$ u! d5 s1 K假設負載為5pf
7 z: s/ N! T8 k" V$ }7 U6 V/ A但現在電路的輸出只推的動1pf
8 ^$ i! F) \" }; V, {+ P那我的buffer該怎麼設計呢?!
4 _* k8 ?# B8 P. q) \+ {" m  t/ U# A, V謝謝回答!!
6#
發表於 2007-10-10 17:41:52 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

你是指不會模擬軟體嗎?還是你不會參數測定?& E, c; m$ |" [% u
% Y/ n" h( w; l9 O" M& ^( {  s
如果只是參數設定的畫一般MOS只有length  width  M就足夠了如果不夠就多加幾級或M數提高
# \  M. J7 J' M; ^- ~. g+ V) n( O+ Y8 b* G! H6 `6 w: U' U; k
或者直接用MOS設計一個電路去加大電流

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7#
 樓主| 發表於 2007-10-11 02:00:08 | 只看該作者
不是軟體耶...
4 ^& l0 M% I, Q- w9 D6 G我的問題是0 }. @" F# r* H0 F$ l- q6 w' c
每一極inverter(也就是buffer)的 pmos & nmos的size8 b" G. K, X: F! O( k3 a
該怎麼去求?!
6 e3 A  a5 X  v3 i+ p$ r我記的好像是跟電路輸出端能呈受的電容大小 & 要掛的負載電容多大有關
4 @2 o' ~$ e/ H1 }0 B  y2 \1 rex:假設現在的電路輸出端可以承受1pf的loading
* R2 }7 W7 o* X" k2 I5 k9 P+ S   但如果是要改成推5pf的loading5 B7 J6 z" _/ ^) ^5 f
   那buffer size該怎麼設計?!
+ ?% z, c. K! @- R4 L2 o   我知道要設計成偶數級! ^1 z5 n4 \! i8 ^% Y  T
    那每一級跟每一級間mos的size是成倍數關係嗎?!倍數是?!4 {" I2 _' `7 A  d" `
   開始推的第一級size又是多少呢?!
9 d  j8 U/ p) s6 m/ T; _謝謝回答!!
8#
發表於 2007-10-11 21:36:21 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

你所說的問題在spice ,就可以try出來了,你這樣問感覺很奇怪。, C& [( ~+ R! F( o2 {9 T: |

$ B7 V7 N$ B/ b
4 Q  p6 d9 R# p5 ]一般length為最小值,PMOS之width為NMOS之width的2-3倍。你可以try PMOS width=8 NMOS width=4試試看。
9#
發表於 2007-10-12 09:09:51 | 只看該作者
這個應該是很苦老的問題了!!( ~9 j. ]) \8 d$ D) `" b
我記得吳重雨老師曾經敎過!
( H1 m) _3 \8 M( ?% K( a最佳的倍數是 e 約等於  2.78倍!!
; C+ z1 g) d" l+ ^目前常用的是 3 ~ 4 倍!!
$ }7 p( i% H9 v5 ]/ w最好是看你的 rising  & falling time 與 total delay time 的 simulation 來決定!!  比較好!!
. \" R3 X8 o9 r8 N6 i; s而且此 Buffer 也不要串太多比較好!!/ Q2 Z& s" w' q6 ^/ ^  D) U4 Z8 K
) H/ q  R9 |) E+ C) h
此篇應該放到  analog 版比較適合唷!!
10#
發表於 2008-2-3 10:51:13 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

這問題在一些 VLSI Design 的課本上會提到0 e, S, Z! [2 R5 l

: U! ~9 |) w, e& s' W/ p- O2 n0 T" G與9樓所說的相同   Inverter  做Buffer來推動時$ \" u6 V, R) c/ n% p# X
一定是偶數級來推動4 m3 W; B+ \, q7 t/ c! q
倍率上  用數學公式求到的  最佳化的 Inverter delay optimal的值就是e# x! Y; W0 ~9 ^1 O  s8 Z
也就是 2.71828.....
1 i- T2 |' J" T但實質上 電路的使用, z& y6 Z6 @! R8 J! }' z4 U8 |
譬如我們  多半都是  2倍到4倍之間
5 s, v  n7 L6 N0 x  n+ p比如 第一級是    2/1   倍數是 3倍的話8 h- X$ {; ?4 ~8 `2 r7 q
第二級就是  6/3   第三級是  18/9   以此類推6 e& x4 v+ e' i
推動到  你最後一級的  推Loading的 slope 在  0.5-0.8ns上下- w( T/ _' ^& A$ A7 W' v+ H/ C
然後使用的總面積也不會太大的情況下6 V* Z( i( R+ l! T" Q9 p4 {
就是一個最佳的Buffer推動方式
11#
發表於 2008-2-3 11:59:40 | 只看該作者
恩,樓上的板主都說得很清楚了(俗稱這種buffer為taped buffer or supper buffer)
- A( |' ~, ?6 u( v1 |大部分還是用3就好了9 E' n! D" N7 I4 B" v& |# R8 a* A  ?" o
記得layout時要很注意哦~因為越往後面,mos高度越高% t; D0 h- [+ W3 n
建議使用finger type來畫後面的mos讓大家的mos都跟第一級一樣高
) d: e% _+ G: _然後contact多打幾個,特別是在輸入、輸出端2 s$ L+ F6 `7 M  r! ?- N) C' e
metal打大片一點
- E% Z  y: j! M+ W畢竟大size的buffer流過的電流較大, B+ ~: h( j2 h/ {6 e/ |
會有dc power的問題
12#
發表於 2008-2-19 18:07:59 | 只看該作者
喔~~了解囉~~多謝大大的解答唷~~~謝謝你~感謝你
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