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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( Z! x1 U- Y# @( W
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( y6 w8 w" s- y9 ^' MPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 W" j+ I% z$ T2 {, g P8 {0 t
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' |; K) f4 j) ?- y: u& x$ D6 {, c這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊1 _# [2 U1 D4 O) l) R) J
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 d2 z4 S/ n1 \9 W
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 A q' x; Q; A/ M* R最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 e. \& h& U' o' o" v8 ~) j, s# {3 f
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.8 D' a# N y3 p& H6 ?6 z
+ `9 X! h3 {5 |& v* r- {[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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