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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 H$ S; U$ w: v9 n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( m6 w0 `* Z$ O
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) D* x0 n0 T) ^4 t8 e) i, m
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- {: A3 R9 u# ~) @) B
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ J8 V" S- d6 u& @1 c# v$ \
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& W3 }- U) a# @ s, _4 `' a! O' s" V因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) V+ N" q' w+ B& n
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* [+ I# ~1 d5 LCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
. k- m$ B! m. K+ P; a6 y1 D$ n
. @9 G& W* \: r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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