瑞薩科技致力於開發微處理器之全新中央處理器架構

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<產品背景>

自從創立以來，瑞薩科技即專注於汽車半導體事業，成為三大關鍵事業領域(汽車、行動通訊、PC/視聽)之一。瑞薩科技在2007年全球汽車半導體的微控制器及微處理器的市佔率已達到第二位，在汽車導航系統之微控制器與微處理器的市佔率則已名列第一，這些產品已廣泛運用於行銷日本及世界各國的產品中。

+ Z2 _9 Y9 U8 T( |1 {" B( \  s* A然而，包括汽車資訊系統的現代化高效能多媒體系統，例如汽車導航系統，整合了越來越多的功能，並且需要更高的處理效能。除了精細的2D及3D地圖處理功能之外，現在這些系統更納入了各種娛樂功能，例如影音功能等。未來，在這些汽車整合資訊系統中，還將增加與安全有關的先進資訊處理功能，例如影像辨識，以及更高階的多媒體功能，以提供其他更豐富的新功能。未來的處理器或SoC系統單晶片產品將必須提供更高階的效能，以處理上述功能所需要的龐大資料。但是，如果透過更精細的製程或更快的運作速度來達成所需要的效能，將會帶來耗電量增加的問題。
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為了同時達到高效能與低耗電，方法之一是在一個晶片中放入多個CPU。因此市場對於多核心技術的需求也逐漸增加，因為它可以由多個CPU以平行或分散的方式來進行運算，並藉此提升效能。

瑞薩科技是率先採用多核心技術的廠商之一，並以四個SH-4A CPU核心開發原型產品，其最大處理效能可達4，320 MIPS (以600 MHz運作時)。瑞薩科技同時採用八個SH-4A CPU核心開發原型晶片，最大處理效能高達8，640 MIPS (以600 MHz運作時)，並開發了多核心LSI的低耗電技術。瑞薩科技於2007年以多核心技術為基礎，推出採用雙SH-4A CPU核心的90奈米SH7786處理器，最高處理效能可達1，920 MIPS (以533 MHz運作時)，適用於汽車資訊系統等需要多媒體處理效能的用途。
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新型65奈米SH7786處理器採用更精細的製程，可更進一步降低耗電量及發熱量。它同時藉由整合DDR3-SDRAM記憶體介面，達到超高的資料傳輸速度。
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5 z' J. Y# W; l, ]! k" C6 @結合65奈米SH7786與具有地圖繪製功能之影像處理器的晶片組，將可滿足配備有影像顯示、高品質聲音播放及影像識別等功能之次世代導航系統對於高速處理複雜資料的需求。

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<產品詳細資訊>

採用雙SH-4A CPU核心的新型SH7786同時支援對稱性多重處理(SMP)及非對稱性多重處理(AMP)。由於支援SMP，因此配備有「Snoop Controller」，可在CPU核心之間處理快取更新資料的交換作業，維持CPU內部快取資料的一致性。

另外，各CPU可各自獨立設定時脈與低耗電模式(共計四種)。例如，一個CPU核心可持續運作，另一個則設定為某種低耗電模式以降低耗電量。如此將可降低耗電量，同時亦可因應處理負載的變化。

每個CPU核心均內建浮點處理單元(FPU)，最大運作時脈為533 MHz。這些FPU同時支援單精度及雙精度算數運算，最大單精度效能可達7.46 GFLOPS (每秒十億個浮點運算)，非常適合用於靜態影像或MPEG影片的高速及高畫質編解碼處理作業。
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! w4 H9 [: e4 [5 c) F% a每個CPU核心的內部快取記憶體均配備32 KB的4-way集合關連指令快取，以及32KB的4-way集合關連資料快取。由於支援快取一致性，因此可達到高速的軟體處理速度。另外，本產品搭載256 KB第二快取，將可進一步提升多媒體系統的效能。
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. @0 j+ E3 }8 T9 k( y) Q+ U* p另外，每個CPU均配備8KB的RAM用於高速指令擷取，以及16KB的RAM用於高速資料存取。藉由在這些RAM領域中儲存例外處理常式，將可提升整體系統的即時效能。

" W/ L. r1 k, e' n: e8 |SH7786配備三個PCI Express匯流排介面，可設定為以一至四個通道(Lane)進行運作，與外部記憶體或其他配備多個PCI Express匯流排介面的裝置進行通訊時，資料傳輸速率可達每秒800 MB。另外，在通道之間也具備高速資料傳輸功能。

1 u- u2 L4 k, |  L例如，藉由連接具備PCI Express匯流排連接規格之外部顯示器，即可實現高階顯示能力。另外，現有廉價的標準週邊裝置如要支援PCI Express匯流排介面，均可利用。如此將可獲得擴充的彈性並有助於降低整體系統成本。

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SH7786亦包含以下功能
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以533 MHz時脈運作之32位元專用匯流排，可用於連接高速DDR3-SDRAM (Double Data Rate 3-Synchronous DRAM)，可支援高達每秒4.27 GB的超高資料傳輸速度。

+ V( t  \7 J& m3 D' t0 o3 {支援USB 2.0高速(480 Mbps) Host及Function，可簡化USB功能系統的開發，並且無須專用的外部USB 2.0控制器。
相容於IEEE 802.3標準的媒體存取控制器(MAC)，可簡化10/100 Mbps (每秒百萬位元) Ethernet LAN連線功能的開發作業。
, \# S' C7 O/ F: m9 R3 |5 a' a  s如上所述，每個CPU核心均可在三種低功率模式中擇一設定： 休眠模式、輕度休眠模式、及模組待機模式。
有關開發環境方面，SH7786採用由瑞薩科技所開發的各項技術，可支援分散式功能系統的建立，預計於2009下半年開始提供。
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開發多核心產品時，具有不同特性及功能的系統(領域)會分配至各個CPU核心，並且使用分散式功能系統設計，因此CPU核心能夠以統合的方式相互運作並發揮功能。SH7786採用由瑞薩科技所開發的各項技術，可支援分散式功能系統的建立，此系統包括可統合多個領域中各個作業系統的通訊介面技術，以及避免這些作業系統之間互相干擾的技術。開發人員將可運用現有針對單一作業系統所開發的軟體資源，並可在短期間內開發多核心分散式功能系統。這些技術並可支援在具有高度可靠性的情況下，同時執行多個不同的作業系統。

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瑞薩(Renesas)宣布推出採用65奈米製程之SH7786雙核心處理器，適用於高效能多媒體系統，例如汽車導航系統。這款處理器的處理效能高達1,920每秒百萬條指令(MIPS)(960MIPS×2，以533 MHz時脈運作時)，並具備超高的資料傳輸速率。預計於2008年10月起在日本開始提供樣品。此產品將於2009年開始供應瑞薩科技廣大的消費者及產業客戶。  
$ L$ q0 N' O2 r# M5 l# Y2 v8 i瑞薩科技先前已開發採用90奈米製程之SH7786雙核心處理器，並達到與65奈米製程產品相同的處理效能。但是，65奈米製程版本藉由更精密的製程達到更省電的目標，並整合DDR3-SDRAM記憶體介面而達到超高的資料傳輸速率。

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松下(Panasonic)與瑞薩(Renesas)自1998年以來即共同開發製程技術並建立成功的合作關係，目前將繼續合作開發32奈米之單晶片要素製程技術。兩家公司均相信32奈米電晶體技術及其他先進技術不久將可運用於大量生產。32奈米製程之單晶片雖預期將可藉由縮小設計以降低成本並提升效能，目前仍有許多技術問題待解決。特別是需引進新材料與開發新技術，以突破進一步整合時所遭遇的障礙。引用新材料在技術上有其困難度，因32奈米電晶體效能若要達到可接受的程度，在技術上面臨的挑戰遠比上一代製程更為困難。  
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為因應上述挑戰，新32奈米單晶片製程將採用新開發之具有Metal/High-k1閘極堆疊架構的電晶體技術，同時採用新Ultra-Low-k2材質的配線技術。為達成運用32奈米之CMIS(互補金屬絕緣膜半導體，CMOS技術之一)技術，須在最佳化情況下，於具有Metal/High-k閘極堆疊架構的電晶體的原子層級上加入超薄膜覆蓋層4，以進一步發展傳統電晶體藉由部署氧化矽薄膜做為閘極絕緣體層構造。藉由導入此覆蓋層，已證明將可提升電晶體在實際使用時的可靠度，並抑制電晶體間電子特性的差異，因此將可於大規模的迴路中運作。  

" l% V2 v0 ~* Y5 t3 b兩家合作夥伴早在瑞薩尚未成立前，即已共同合作開發新一代單晶片技術，截至目前為止已有非常卓越的合作成果，計有2001年開發的130奈米DRAM混合製程、2002年開發的90奈米單晶片、2004年開發的90奈米DRAM混合製程、2005年開發的65奈米單晶片製程，以及2007年開發的45奈米單晶片製程。  

5 Z) r, D3 M: G1 {7 L2 T本次最新的32奈米製程開發成果，將運用於先進行動裝置及數位家庭裝置的單晶片產品。未來兩家企業將以長年的技術經驗及創新成果，以及多年成功的合作關係為基礎，繼續有效地開發先進製程技術，並快速轉移至大量生產階段。

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NTT、瑞薩科技、Fujitsu及Sharp聯手開發HSUPA行動電話平台

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2008年10月16日東京訊--NTT、瑞薩科技、Fujitsu及Sharp等四家公司今日宣佈將共同開發SH-Mobile G4單晶片LSI，以及採用此晶片之平台，以支援HSUPA1/HSDPA2/W-CDMA及GSM/GPRS/EDGE (2G)行動電話標準。此平台之開發預定於2009會計年度之第4季(1至3月)以前完成。
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新型SH-Mobile G4將採用45奈米製程技術，以達到高度的功能整合及超快的處理速度。它可為需要處理HD4影像及3D圖形之應用程式提供強化的功能及更高的效能。除了支援HSDPA cat.8以提供更快的下載速度(最快7.2 Mbps)之外，SH-Mobile G4亦將支援HSUPA以大幅提昇上傳速度，最快可達5.7 Mbps，幾乎為原有規格384kbps速度的15倍，藉此可達到更快速的雙向資料傳輸速度。

NTT與瑞薩科技於2004年開始共同開發SH-Mobile G系列單晶片LSI，此系列產品整合了支援雙模通訊的基頻處理器以及應用程式處理器。SH-Mobile G4將是此合作計劃所推出的第四款產品。
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! Q$ p# l; @- A9 xNTT與瑞薩科技的單晶片LSI產品共同開發計劃，已發展至加入手機製造廠商的合作夥伴，例如Fujitsu及Sharp，並將共同開發行動電話平台。每個平台均配備SH-Mobile G系列產品做為核心元件並提供基本的軟體功能(OS、中介軟體及驅動程式)，而且在每個包裝中均包含參考晶片組。利用此新平台，手機製造商將無須個別開發基本功能，大幅降低開發時間與成本。手機製造商可將更多的時間與資源投入開發與眾不同的手機功能，並擴大其產品種類。

6 R6 Y$ x: ^8 z+ @- K除了現有的日本客戶之外，瑞薩科技並計劃將此平台推向全世界的行動手機市場。

Notes:
1. HSUPA: High-Speed Uplink Packet Access. An enhanced and higher-speed version of the 3G W-CDMA uplink (terminal to base station) data communication standard.
) c6 i2 a+ t6 `# J6 g( w2. HSDPA: High-Speed Downlink Packet Access. An enhanced and higher-speed version of the 3G W-CDMA downlink (base station to terminal) data communication standard.
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! n3 M8 ^4 w' F2 S3. Mobile phone platform: A mobile phone base system that includes hardware, such as a baseband processor for required communication functions, and software.
! R, y$ I; _2 ~  _1 E/ E# q4. HD: High Definition. This term is applied to devices and media that support high-definition imaging.

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瑞薩科技與On Track Innovations (OTI)合作
共同推出新型微控制器「非接觸型銀行付款」解決方案

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本產品可協助信用卡製造商為美國銀行提供具成本效益、高品質之系統

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& p! L% W/ n( c& t! O' S. e此解決方案已獲得MasterCard PayPass及Visa之許可及認證

TOKYO, Japan and FORT LEE, N.J. – October 13, 2008
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行動通訊、汽車及PC/AV (影音)市場之半導體系統解決方案領導廠商瑞薩科技公司，與居家安全、付款、加油付款及其他應用之非接觸型微處理器智慧卡解決方案全球領導廠商On Track Innovations Ltd (OTI) (NASDAQ GM: OTIV)，今日宣佈已針對美國非接觸型付款市場共同開發安全的非接觸型微控制器解決方案。這項新的安全付款解決方案已獲得MasterCard PayPass認證，證明其符合該組織之3.3 規格，以及Visa 2.0.2 A&C V3.0 規格，並且符合非接觸型卡片標準。此解決方案適用於美國的銀行，以及世界上任何發行業界標準非接觸型卡片之銀行。
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瑞薩科技提供的非接觸型微控制器以AE系列智慧卡控制器技術為基礎，而OTI則提供作業系統及應用程式，以及包含嵌入技術的非接觸型卡片技術。結合瑞薩科技的安全非接觸型AE41R微控制器，以及內建於OTI非接觸型產品與技術中的Hercules作業系統，將可開發出穩定安全的解決方案，以符合付款產業對於安全性的嚴格要求，並可為非接觸型交易提供快速與便利性。
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: o8 ?6 J( f, u2 G. L此解決方案的開發將可因應美國非接觸型付款市場的大量訂單。瑞薩是世界最大的非接觸型晶片供應商之一，並且獲得眾多卡片製造商的肯定，可提供優異的品質、產量、上市速度及封裝。OTI為各種市場提供安全非接觸型解決方案已有近二十年的經驗，目前提供的解決方案可支援非接觸型卡片、感應式鑰匙、智慧標籤以及更獨特的非接觸型產品。
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3 B5 V" g7 M2 V* C+ o: G# u瑞薩科技公司安全微控制器 (Security MCU)事業部總經理Kenichi Ishibashi表示「瑞薩科技持續為銀行業提供高度安全、高效能品質的非接觸型付款解決方案，我們提供先進的安全微控制器技術及世界級的生產能力，並且在安全性市場擁有多年的經驗，因此在技術上具有充足的競爭力。藉由結合我們的晶片技術與OTI的作業系統及天線模組，我們可以簡化卡片製造商的設計程序，並協助全球各地更多的銀行加速採用更安全的非接觸型付款方式。」


OTI公司董事長兼執行長Oded Bashan表示「我們的非接觸型解決方案可為發卡銀行及卡片製造商提供具有成本效益、可靠且安全的方式來推展非接觸型卡片。我們已經做好準備，提供已經通過市場考驗的卡片及讀卡機解決方案，以支援非接觸型付款計劃。」

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瑞薩科技推出封裝尺寸僅6 mm x 6 mm符合Intel&reg; DrMOS標準之整合驅動器MOSFET，可達業界最高96.5%電源供應效率
R2J20651NP可為PC及伺服器降低CPU及DDR類型SDRAM之耗電量並有助於系統小型化
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0 B/ C$ M, K9 p1 F" XTokyo December 1, 2008 瑞薩科技發表採用6 mm x 6 mm小型化封裝之R2J20651NP整合驅動器MOSFET。R2J20651NP是針對PC及伺服器之CPU與DDR類型SDRAM電源供應*1所設計的，並可達到最高的96.5%供電效率。預計將於2008年12月24日起供應R2J20651NP樣品。

: G9 t; n; ~3 ^6 U9 R. |4 lR2J20651NP符合英特爾公司*3所制訂之「Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)」*2 Revision 3.0規格，其中規定封裝尺寸為6 mm x 6 mm。R2J20651NP在單一封裝中整合兩個High-side / Low-side MOSFET*4及一個驅動器IC，可提供以下功能與特色。

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以下為R2J20651NP功能特色摘要：

(1)提供業界最高的電源供應效率：96.5%
此產品採用本公司最新的第十代功率MOSFET，其具有優異的效能及更低的損耗，因此可達到最高的電源供應效率。例如，在桌上型電腦的DDR類型SRAM所使用之DC-DC轉換器中，將5V輸入電壓轉換為1.8V時，R2J20651NP可達到業界最高的96.5%電源供應效率，並有助於降低耗電量。本產品由於發熱量較低，可使用較小的散熱裝置，同時可減少電容器及其他被動元件的使用量，因此可縮小最終產品設計的尺寸。

(2)6 mm x 6 mm小型封裝尺寸約可將安裝面積縮小至原有瑞薩產品的二分之一
由於瑞薩採用高散熱、低損耗之封裝技術，以及瑞薩第十代MOSFET產品，因此可達到6 mm x 6 mm的小型化40-pin QFN封裝。相較於瑞薩原有的8 mm x 8 mm封裝尺寸，R2J20651NP約可將安裝面積縮小二分之一。另外，由於它可最小可因應35A的輸出電流，因此可輕易使用於高電流密度的DC-DC轉換器。
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(3)由於支援5V輸入電壓，因此可使用於5V單一電源主機板
7 ]* v% E5 ^9 i  G- V驅動器IC電壓已由瑞薩原有產品的12V變更為5V，因此R2J20651NP可使用於5V單一電源主機板。如此將有助於PC的省電性及小型化。
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1 c% Z5 `5 `( s# B( i: w* D% ?) _9 h2 R- v* M(4)內建溫度過高偵測功能
在符合DrMOS標準的產品中，R2J20651NP是第一個在驅動器IC中內含溫度偵測功能的產品，當驅動器IC的溫度超過130°C時，可輸出溫度過高的訊號。此訊號可依據應用目的之需求來運用，例如，讓系統電源供應控制IC接收此訊號，並且關閉系統。
另外，亦可建置更安全的電源供應系統，因為讓電源裝置自行監控其溫度與發熱量，即可偵測不正常的模式與過度負載的狀態。
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  a* L5 {, |% m  D- }. ?(5)Low-side MOSFET停用功能
3 ?/ d0 s7 [' D9 MR2J20651NP可利用連接至驅動器IC的LSDBL#腳(請參閱附圖1)，透過內部邏輯將Low-side MOSFET*3強制關閉，以支援不連續作業模式。此功能在輸出於啟動時已有剩餘電壓之預置偏壓(pre-bias)作業中，可避免快速放電或負載側電壓發生突波，並可在低負載作業時提高效率。

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<產品背景>
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( f7 h3 i* d) V" {6 O$ S面對寬頻的時代，PC與伺服器必須處理大量的資訊並提供複雜的功能，因此也使得電腦的耗電量逐漸增加。許多電子元件目前均朝向低電壓、大電流的趨勢發展，例如CPU、FPGA、及DDR SDRAM與其他記憶體。因此，為這些裝置提供電壓的DC-DC轉換器所面臨的以下議題顯得更加重要：
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如何抑制所使用之電源裝置及被動元件的增大(例如電源供應器所使用之電容器)，如何抑制發熱量，以及如何降低空間需求。
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為了因應上述問題，瑞薩領先業界推出符合DrMOS規格的R2J20601NP第一代整合驅動器MOSFET產品，在單一封裝中整合了兩個High-side / Low-sideMOSFET及驅動IC，以提升CPU穩壓器及其他電源供應器的供電效率，並縮小安裝面積。瑞薩並大量生產效能更高且可因應輸出電流高至40A的第二代產品R2J20602NP，持續為電源供應電路的小型化及低損耗目標向前邁進。
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2 s; G) |, Z/ |* N4 C6 F% z7 n( @$ v8 T現在，為了因應市場對於更小的安裝面積以及5V單一電源供應主機板的需求，瑞薩採用6 mm x 6 mm QFN封裝技術，安裝面積大約為原有瑞薩產品的二分之一，推出支援單一5V輸入電壓的R2J20651NP小型化整合驅動器MOSFET產品。

<產品詳細資訊>
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: |. ^9 v, {( `6 D由於R2J20651NP所採用的40-pin QFN封裝技術，運用了瑞薩第二代產品R2J20602NP所採用的銅片封裝(wireless copper clip)架構，因此可達到高散熱及低耗損的目標。另外，由於採用符合DrMOS規格的無導線高散熱封裝，透過佔據封裝背面大半面積的晶片銲墊，將可達成優異散熱效果的黏著成果。
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未來瑞薩將繼續開發具有更低損耗及更多功能性的產品，持續擴大產品線的內容以因應市場的需求。

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備註：
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1.PC及伺服器所使用之CPU及DDR類型SDRAM電源供應
- A: E/ z) ]* t$ z/ l包括CPU所使用的穩壓器，以及DDR SRAM及其他記憶體所使用之DC-DC轉換器。它們可將輸入電壓轉換成CPU或DDR SRAM所需要的供應電壓。例如，這些電路可將12V降壓至CPU所需要的1.3V，或者將5V降壓至DDR SRAM所需要的1.8V。
" I' T! i) _+ u) E; C% E/ _) j2.「整合驅動器MOSFET (DrMOS)」：DrMOS是由英特爾公司(Intel Corporation)提倡之封裝標準，特色為整合驅動器IC與兩個高階/低階MOSFET。
3.Intel及Intel標誌為Intel Corporation在美國及其他國家之商標。
, y% r% D' d" o. ~. T4.高階及低階MOSFET：高階及低階MOSFET使用於非絕緣型DC-DC轉換器開關，藉由在這些裝置之間切換開關以進行電壓的轉換。高階MOSFET用於DC-DC轉換器控制，低階MOSFET則用於同步整流。
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' s6 R' y: e, [5 Z/ l3 b; Y<主要用途>
* S8 A" X; c8 b$ n; c) N; g1 V·使用於伺服器及PC之CPU穩壓器及DDR類型SRAM DC-DC轉換器。
" O9 m$ ^. y2 {" U·供FPGA及高效能數位訊號處理器使用之DC-DC轉換器。
+ c( p. Q! U5 [/ k: y: z# n2 K·供數位裝置、遊戲機、及其他消費性電子產品使用之DC-DC轉換器。

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內建可處理聲音訊號之音訊DSP，以實現小型化及低成本系統�
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2 Y1 ^4 T6 e8 P' G+ b瑞薩科技公司於11月27日宣佈推出R2J15116FP小型化高效能數位放大器，內建24位元音訊DSP，可支援IIS*1數位音訊輸入。此產品適用於液晶或電漿電視，預計2008年12月於日本開始供應樣品。
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R2J15116FP接受IIS數位音訊輸入，使用內建音訊DSP執行訊號處理作業，並以數位放大器將處理結果放大，以提供立體聲輸出至兩個喇叭，各聲道最大功率可達15瓦。本產品主要特色與功能摘要如下。

(1)整合音訊DSP以降低安裝面積最多達二分之一(瑞薩所做的比較)
, o! L. f( h6 E( b. J. z2 x% P. d由於平面式電視的設計逐漸朝向薄型化發展，因此也要求音訊處理系統朝向小型化及高度整合IC的方向發展。R2J15116FP在尺寸僅有7mm x 7mm的單一小型封裝中，整合了數位放大器及24位元音訊DSP。相較於兩個封裝的產品，可將安裝面積縮小約二分之一(瑞薩所做的比較)，並有助於縮減整體系統的尺寸及成本。
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( c1 {2 I" Y5 z8 u(2)整合音訊DSP可針對音訊特性進行細微的調校
平面電視必須針對不同的市場及螢幕尺寸進行細微的調校。此調校作業通常是在數位放大器之前的階段進行，亦即由處理環繞音效及解碼的主要DSP負責，如此將為主要DSP帶來極大的處理負荷。相較而言，R2J15116FP則是由內建的音訊DSP負責處理音量控制及參數等化器*2，使喇叭的特性達到最佳化。如此可降低主要DSP的負荷，使其得以針對不同的視訊應用方式，產生更多樣化及更高音質的聲音環境。
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(3)可達到優異的音質表現
相較於傳統利用DSP處理音量控制的方式，R2J15116FP可達到更理想的音訊效能，因為它利用瑞薩科技獨家的智慧音量功能，可提供更高的音訊解析效能，當使用者調整音量時可獲得更悅耳的音量改變效果。當電源供應器電壓不穩定時，R2J15116FP亦可利用回饋電路以穩定輸出功率，此技術在採用類比輸出方式的產品中已獲得良好的成果。

(4)多重保護與監控功能
當放大器發生異常狀態時，保護功能可防止發生問題，包括瑞薩原有產品已經採用的過電流、過熱、及低電壓等偵測功能，另外還提供可預先發出過熱警告的新功能。這項新功能可自動降低音量，避免溫度過度升高而發生危險。其他功能還包括可提升訊號輸入至放大器之安全性的PLL解鎖偵測，以及輸入訊號錯誤偵測等。上述完整的保護功能將可簡化系統設計作業並大幅提昇可靠性。

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<產品背景>

近年來，通常採用液晶或電漿面板的薄型化平面電視，逐漸朝向更薄的趨勢發展，同時也更加重視設計美感。因此，相較於過去的平面電視所使用的喇叭，從正面觀察時，通常明顯突出位於電視的兩側，目前的趨勢則是採用更輕薄短小的喇叭。但如此一來，將難以達到與原有喇叭相同等級的音感。另一方面，由於螢幕畫面的大型化，對於優異音質的要求也隨之提高。因此，利用訊號處理來補償音訊的不足，已成為必要的選擇。
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為了因應上述需求，瑞薩已開發R2J15116FP數位放大器，並整合了可用於音訊補償及音訊調校的DSP。它可以讓系統更有效率地針對個別產品進行精密的音訊調校，以符合個別市場及設計特性的需求，而這項作業原本是由主要DSP執行的。
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# H# J( }* d. J) O+ u9 f" y4 C: rR2J15116FP是瑞薩第一款針對數位輸入而設計的數位放大器。以輸入格式而言，它支援IIS數位音訊，此訊號格式通常是由R2J15116FP前段的DSP負責輸出的，因此將可直接連接。本產品整合的24位元音訊DSP，運用了瑞薩為各種類比輸入類型所設計並大量生產的數位放大器而累積的豐富經驗與技術，因此可提供高效能的音訊處理，以及精細的音訊調校功能。由於本產品整合了音訊DSP，因此可縮減安裝面積，並有助於縮小整體系統的尺寸。

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<產品詳細資訊>
支援IIS數位輸入格式並整合音訊DSP之數位輸入用R2J15116FP數位放大器。音訊訊號處理部分配備以下補償功能，可運用於音訊調校作業：
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·除了產品功能特色段落中所描述，可用於調整喇叭頻率特性的音量控制及七頻段參數等化器之外，還提供兩頻段聲調控制功能、可用於低音域及高音域擴充補償的響度功能、可由使用者自訂最大輸出音量的功率限制功能、以及可降低訊號震幅但不會扭曲高音量訊號，並可提高低音量訊號的動態範圍控制(DRC)功能。所有上述功能設定均可透過I2C匯流排，由MCU彈性地進行操作。
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- E( ]4 W8 \7 q8 x( LR2J15116FP同時採用瑞薩專屬的智慧音量功能(如產品特色與功能段落中所述)以提升聲音品質。它可依據PSRR(power supply rejection ratio)電源電壓變動率抑制噪訊的震幅，降低音量大小的擺動，並降低對於音質相當重要的扭曲率。

為了達到良好的放大器效能，R2J15116FP繼承了瑞薩針對類比輸入設計的前幾代產品的效能，因此可提供低扭曲率、高訊噪比、及高阻尼因子，舉凡會對聲音品質造成影響的所有電子特性規格都非常優異。另外，如產品功能特性段落中所描述的，即使電源供應電壓不穩定，本產品的高效能回饋電路亦可確保穩定的輸出，維持功率放大器的高效率，並提供完整的保護功能(如產品特色與功能段落所述)。R2J15116FP採用小型化的48-pin HTQFP封裝，無須散熱器，並可提供各聲道最大15瓦的立體聲輸出功率。
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瑞薩計劃擴大其產品線，推出可接受數位輸入的數位放大器，並在音訊DSP中加入不同的功能，以因應薄型化平面電視及相關產品對於音訊處理能力的需求。

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領先業界率先取得Rev. 2.0認證�

    Tokyo, December 4, 2008 —瑞薩科技宣佈開發符合PCI Express&reg;*1 Base Specification Revision 2.0 (PCI Express 2.0)高速串列介面標準之邏輯層與實體層之IP (智慧財產)。PCI Express 2.0為PCI Express標準之最新版本(Rev. 2.0)，支援高速資料傳輸，最高速度可達每秒5.0 Gb (Gbps)。
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* [+ k! z* |! P5 L: S    這項新IP在標準組織PCI-SIG&reg;*2所主辦第62屆相容性研討會(2008年9月8日至12日)中，是首次獲得Rev 2.0認證且支援65奈米製程之IP之一。整合此IP的LSI將能輕易地與其他支援PCI Express 2.0標準之裝置連接，使開發人員能夠開發具備高階繪圖處理能力的系統。

<產品背景>
    週邊元件互連(PCI)是用於連接個人電腦(PC)微處理器與週邊裝置及週邊設備的介面，它是由PCI-SIG所制訂的平行傳輸介面標準，並已成為標準PC介面而廣為使用，因此目前有很多週邊裝置產品支援PCI標準。

    然而，由於PC效能逐年提升，需要處理大量資料的繪圖及其他應用程式也日趨增加，預期未來的資料量將持續增加，使得PCI的傳輸效能顯得捉襟見肘。因此，PCI-SIG著手開發次世代介面標準PCI Express，以支援高速串列資料傳輸。目前有許多產品相容於Rev 1.1，支援的最高資料傳輸速率為2.5 Gbps。但是，目前有許多應用程式，例如繪圖與儲存，需要以更高的頻寬傳輸大量的資料。新建立的Rev. 2.0可提供兩倍於Rev. 1.1的高速資料傳輸速率，預期支援Rev. 2.0的產品數量將會快速增加。
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    同時，從系統大規模化及開發效率提升的觀點而言，內嵌式市場需要利用標準界面以連接週邊裝置、LSI等。因此，供應內嵌應用之LSI已開始提供PCI介面功能，以利用原本為PC開發之各種相容於PCI的週邊裝置。另外，諸如多媒體之類的內嵌式裝置，現在必須能夠以等同於PC的速度來傳輸大量資料，因此對於PCI Express支援的需求更加擴大。  瑞薩科技已開發許多IP以支援包括PCI的各種介面，穩定地擴充其產品線，提升其市場佔有率並累積寶貴的專業技術。

' o5 c$ H9 a) _9 a6 B; A: o" x    瑞薩科技已開發並取得支援PCI Express Rev. 1.1的IP認證，並已推出整合上述IP的微處理器及SoC (System on Chip)產品。現在瑞薩科技已開發支援新的PCI Express 2.0標準的IP，新的標準可提供兩倍於PCI Express 1.1的資料傳輸速率。

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<產品特色>
2 }3 M! k/ d* n4 u+ v' u& u以下為此IP之主要特色摘要。

(1)已獲得支援最新PCI Express Rev. 2.0標準之正式認證
PCI Express是利用差動訊號運作的高速串列介面，最新的Rev 2.0的最高傳輸速率可達5.0 Gbps，為原有Rev. 1.1 (2.5 Gbps)的兩倍，可實現每通道每秒500MB有效傳輸速率，達到相當高的資料傳輸速度*3。因此，為了實現可因應Rev. 2.0的回路，需要更精密及更複雜的設計技術。
) r5 w* \+ k  o. G5 |+ z5 [) b# q) k6 ~瑞薩科技已開發並且在產品中採用支援Rev. 1.1的IP，現在將運用在過去開發作業中所建立的專業知識與高階技術，以65奈米製程實現支援Rev. 2.0的新IP，此IP為業界中首先取得Rev. 2.0認證的IP之一。
- v! O: T9 n+ Y9 c! I0 x4 d開發人員可運用已整合此認證IP的微處理器或SoC產品，建立可快速傳輸大量資料的高速系統。
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(2)降低耗電量
3 t  S5 E  a; b+ U  N# n這項新IP具備在作業時動態切換傳輸速率的upconfiguration*4功能，此功能由PCI Express 2.0標準制訂，可進行以下的動態切換動作：
1. 當需要高速資料傳輸時，多個通道皆以各自的最高傳輸速度5.0 Gbps運作。
2. 當傳輸量降低時，將以降低耗電量為優先，僅有一個通道以最高傳輸速率的一半2.5 Gbps運作。
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相較於瑞薩科技原有支援Rev. 1.1的IP，新IP每1 Gbps最多可降低50%的耗電量。因此，結合現有的電源管理功能與新的upconfiguration功能，將可大幅降低整體系統的耗電量。

(3)可選擇功能以配合特定應用
客戶將這項新IP整合至MCU或SoC等產品時，可選擇適合其目標系統的功能選項。
1 a  W8 p7 X# b7 C/ `" r主要的功能選項將包括裝置屬性(選擇root port/endpoint*5)、最大payload size*6、虛擬通道數量*7、功能數量*8、晶片暫存區大小及通道數量。
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    藉由適當地結合上述選項，客戶將可實現適用於所開發系統之LSI。
瑞薩科技計劃於2009年推出第一款整合新IP的產品，適用於繪圖及儲存等需要傳輸大量資料的系統。該公司並計劃將此IP運用於比65奈米更精密的製程，並針對關鍵應用提供更先進的功能，例如增加通道數量。
7 {9 u8 W6 ?4 h& f8 Y' Y( H& s瑞薩科技將推動系統環境評估，包括PCI-SIG相容計劃，以促進客戶的開發作業。

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<備註>
1.PCI Express是由PCI-SIG建立的高速串列資料傳輸標準，繼Rev. 1.0、Rev. 1.0a、Rev. 1.1之後，最新的正式版本為Rev. 2.0，Rev 1.1的最高傳輸速率可達2.5 Gbps，Rev. 2.0則大幅提昇至5.0 Gbps。
2.PCI-SIG (Peripheral Component Interconnect - Special Interest Group)： 制訂週邊元件介面(PCI)電腦匯流排相關標準之標準組織。
6 P1 A8 F4 S/ BPCI-SIG&reg;及PCI Express&reg;為PCI-SIG擁有之註冊商標或服務標章。
PCI-SIG網站網址： http://www.pcisig.com/
6 p; d0 u9 z( p$ _7 Z/ ]  l3.通道： PCI Express利用點對點差動訊號進行串列傳輸，差動傳輸在通訊時，每個傳輸方向需要兩條訊號線，傳送與接收必須分別使用獨立的訊號線。因此，傳送與接收至少共計需要四條訊號線，而這最基本的訊號線組態就稱為通道(lane)。
% T! u3 Q( P% {* j! k4.Upconfiguration是在Rev. 2.0中新定義的功能，它可以自由變更通道的數量及傳輸速度。
5.Root port/endpoint： Root port是控制整體PCI Express系統的裝置，通常整合於PC之中。Endpoint是組成該系統的元件之一，通常整合於支援PCI Express的週邊裝置中。
6.Payload size： 在一次傳送作業中可移動的資料量，最大的payload size為4KB。
9 j% k4 }- Y# T1 ~1 E% B  n7.虛擬通道(Virtual channel)： 每個PCI Express裝置都會被區分成多個虛擬通道，並可賦予各通道不同的優先順序。如此即可輕鬆地將需要即時效能的傳輸作業指定為高優先順序，例如影音訊號，並將其他資料指派為較低的優先順序。
8.功能(Function)： 每個PCI Express裝置中皆可指派多個虛擬功能，如此即可在單一裝置中輕易實作多種應用。

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可提升處理效能及提供高精度電壓電流測量功能之16位元MCU �
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    Tokyo, December 8, 2008 — 瑞薩科技今日宣佈推出R2J24020F Group IC，適用於支援智慧型電池系統(SBS)之鋰電池。預計於2008年12月9日起在日本開始提供樣品。

- u9 R6 ^7 ]8 r- l7 O/ V1 B    這款新開發的R2J24020F Group SiP (System in Package)在單一封裝中結合了控制器MCU晶片及類比前端晶片，並提升了瑞薩科技原有R2J24010F Group產品的功能。控制MCU採用高效能16位元CPU核心，並整合高精度、高能源效率之A/D轉換器，用於測量電流與電壓。單一封裝的SiP組態可提供較小的黏著面積，降低外部元件的數量，初始校正作業*2所需的人員工時較少，因此可降低電池組的生產成本。

<產品背景>
: b! f* Y$ K  G% `4 Q8 y$ z2 u    近年來，利用電池供應電力的行動裝置有越來越受歡迎的趨勢，例如筆記型電腦。為了在維持相同外型尺寸的前提下，達到高能源密度並延長電池使用壽命，這些裝置主要採用鋰電池或類似的電池。另外，對於這些由電池供電的裝置而言，正確顯示電池殘量是提升易用性及彈性的主要因素。因此這類裝置非常需要更高的電池充放電安全性，以及更精確的電池殘量顯示能力。
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; E9 H) D1 V4 h8 n    智慧型電池系統(Smart Battery System)是電池與裝置間的資料與通訊標準化規格，目的是讓筆記型電腦等產品能夠顯示及管理詳細精確的電池殘量資訊，為了在電池端實作上述必要的功能，需要可提供內部電池測量與控制功能的類比前端晶片，以及用於與裝置進行通訊的控制晶片，例如MCU。
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3 a! j3 K' p* g! o    瑞薩科技已大量生產R2J24020F Group SiP產品，適用於支援智慧型電池系統標準之鋰電池。這款產品在單一封裝中結合了8位元MCU晶片及類比前端電池保護控制晶片。為了因應市場對於更高的電池殘量顯示精確性的需求，新推出的R2J24020F Group產品整合了16位元MCU以提供更高的效能，以及A/D轉換器以提高精確度。

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< 產品特色>
' E, c2 L8 }7 F% f% V以下為R2J24020F Group主要特色摘要。
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! r% C1 J+ r! G; n( }: h(1)搭載R8C 16位元CPU核心之MCU可提供更高的處理向能
控制MCU採用R8C 16位元CPU核心，這款R8C為瑞薩科技熱門產品R8C Family之MCU產品，可提供強大的處理效能以及低EMI (電磁干擾)、高EMS (電磁耐受性)。這款16位元MCU可大幅提升處理效能，提供更快的指令執行速度，例如，它可縮短從運作模式轉移至省電模式的時間，藉此將可降低耗電量。
) z8 Q* Y4 }( q8 f(2)高精度、高能源效率電流積分回路與A/D轉換器
" p. s; a, t3 O4 }, G! d: k. v為了提供電池殘量顯示功能，必須具備測量電池電流與電壓的能力。瑞薩科技過去的產品在電流積分回路中使用具有14位元解析度的 (delta-sigma) A/D，在電壓測量中使用具有12位元解析度的 A/D轉換器。R2J24020F Group將電流積分回路的解析度大幅提昇至15/16位元，將電壓測量A/D轉換器的解析度提升至13位元，以獲得更精密的電池殘量顯示能力。
2 H% T( \8 G" i% F( B5 Z; N% I另外，由於提高了A/D轉換器的直線性，因此可降低初始校正的人員工時。由於電路設計及其他方面的多重改良，相較於瑞薩科技原有的產品，A/D轉換器的耗電量降低至大約1/10。
6 X2 t8 U9 M" l: n/ z(3)採用SiP可縮小黏著面積並減少外部元件數量
7 X  T8 |' Y, |8 }# a' t+ h: c採用SiP可將MCU晶片及類比前端晶片整合在單一封裝中，相較於兩個封裝的產品，黏著面積約減少30% (與瑞薩科技同類產品比較)，並可減少外部元件的數量，藉此降低整體電池組的產品價格。
(4)提供三種快閃記憶體容量
R2J24020F Group提供三種晶片內建快閃記憶體容量，可用於儲存MCU程式，客戶將可選擇適合計劃開發之軟體大小的記憶體容量。
瑞薩科技在供應R2J24020F Group產品時，可提供內含已寫入客戶軟體程式或空白的快閃記憶體。

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本產品採用小型48-pin LQFP封裝(7 mm x 7 mm)，有助於運用於更小的基板。

5 q& V: ^) B: q1 F    內含單pin介面之E8a晶片內建除錯模擬器可用於開發環境。由於只需要單pin連接除錯器，在除錯過程中，所有I/O pin皆可使用，以提高程式開發的效率。新加入的除錯功能可在執行開發人員的軟體時，參照及變更RAM的內容，藉此提供更高的效率。

    為了因應市場需求，瑞薩科技將持續開發並及時推出更多的此類商品，包括內含先進A/D轉換器功能的高階產品、更小型封裝的各種版本，以及適用於中價位應用的低價版本。

<備註>
7 r- b/ J9 c/ {' [: M1.智慧型電池系統(SBS)： SBS是由Smart Battery System Implementers Forum (SBS-IF)組織為筆記型電腦等裝置制訂的電池規格。這種「智慧型」電池可監控自己的狀態，並回應裝置的查詢(電池類型、完全充電容量、剩餘容量、充放電次數、電池電壓、放電電流等)。
6 a2 L1 c& G) L& x6 D2.初始校正：用於確保電壓與電流測量正確的調整作業。例如，電壓測量功能的初始電池電壓校正作業，是從兩個正確的參考潛在點輸入，然後由MCU進行A/D轉換，以獲得上述兩點的電壓值及A/D轉換值。