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中微推出用於3D芯片及封裝的硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E
$ L$ i, i" y: _, K1 x9 y j0 S/ C7 \具備超高產能,單位投資產出率高出同類產品30%,已進入中國昆山西鈦和江陰長電. r' [1 E! K* R( s# ^6 p
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上海和舊金山2012年3月15日電 /美通社亞洲/ -- 中微半導體設備有限公司(以下簡稱「中微」)推出了8英吋硅通孔(TSV)刻蝕設備Primo TSV200E™ -- 該設備結構緊湊且具有極高的生產率,可應用於8英吋晶圓微電子器件、微機電系統、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子刻蝕設備Primo D-RIE™ 和Primo AD-RIE™之後,中微的這一TSV刻蝕設備將被用於生產芯片的3D封裝、CMOS圖像感測器、發光二極管、微機電系統等。中微的8英吋硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E™已經進入昆山西鈦微電子和江陰長電的生產線,以支持其先進的封裝生產製造。預計中微不久還將收到來自台灣和新加坡的訂單。 $ N: m7 D4 U, W" Y& ?, }
* v2 g. K# N/ v# Q中微的TSV刻蝕設備和同類產品相比有相當多的優點,在各種TSV刻蝕應用中表現出色。這些優點包括:雙反應台的設計有效提高了產出率;獨特設計的預熱腔室保證了機台運行的高可靠性和高效能;獨特的氣體分佈系統設計大大提高了刻蝕均勻性和刻蝕速率。這些特點使中微TSV刻蝕設備的單位投資產出率比市場上其他同類設備提高了30%。 s4 u" u6 Y# `; r# _
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中微此次推出的TSV刻蝕設備Primo TSV200E™標誌著公司在發展歷程中又邁出了新的一步,使中微的設備進入了這一快速發展的市場前沿。據市場調查公司Yole Developpement*預測,三維芯片及晶圓級封裝設備的市場規模今年將達到7.88億美元,2016年將攀升至24億美元。TSV刻蝕設備將佔據市場份額的一大部分,而其中的強勁需求多來自於中國企業。 |
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