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5Chipcoin
小弟最近在做RC振盪器,頻率1M
! L/ X9 y* V! U+ T4 N由於對溫漂有所要求,大概±200~300ppm/℃,因此問題比較棘手) A* s- A% T) A! C- j4 `
電路基本原理就是用Iref =Vref/R+電容+滯回比較器,f=K/RC
* T1 ^: M! D1 L由於沒有低溫漂電阻因此甚為焦慮- T- r+ w6 R( s5 c
同事的建議是用正溫度係數的Vref+正溫度係數的R產生Iref,但是有種被晃點的感覺+ m4 v6 K8 Q- S$ z
一是電路複雜,二是trim起來的時候也比較麻煩
( b/ E* R/ U0 G8 A溫度係數較小的電阻有
( R& O1 B: U! n8 T# y5 ]. l S- w! ?rhrpo -0.847e-3
' k( i. a9 W1 m* t# Qrpdif 1.44e-3+ a, ?& \% d6 d
rndif 1.6e-3! ?9 c& Z$ Y3 v! ? g0 |
現在設想使用正溫係數的rndif串聯負溫係數的rhrpo以獲得更低的溫度係數
) M$ P5 I+ y6 p只要fast rndif + slow rhrpo和slow rndif + fast rhrpo
0 ~, w) _2 |2 b e/ E: e兩種情況的溫度係數滿足設計要求即可; P) @9 k- l( |( q- Y; V
不過其中有個疑問電阻的溫度係數會不會漂呢( O! @2 T- \8 \
以上是我的設想& l4 j g( o5 h% ?9 b; A
不知道這種方法是否可行
/ ^2 [0 I/ g" z" V, Z5 }或許各位大大還有更好的建議
- x* o0 n" K$ q: e) Q小弟想在此認真聆聽
2 ~& V' o# i; r. t5 P謝謝 |
最佳答案
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你的問題. 下面給您參考.
1> 除了溫漂. VDD 也有 spec ㄛ. 所以你的 VDD 最好是由 LDO regulator 來提供.
2> 溫漂. 那就是 Vbgr + Ictat 囉. 附上一篇 paper. 希望你有時間看.
3> 重點是你的 process variation trimming range. 從 2.5% ~ 40%. 夠你忙的囉.
先看看!!!
再討論.
共勉.!!
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