中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
+ G$ Z2 W/ R% ]# y+ a---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
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一、前言
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
/ ?" }: K7 ], q; W5 J三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
2 N& k" y0 E2 h+ R' {四、實驗結果與分析推論
9 ?% Q$ m  R+ d8 I8 y* o$ K五、結論
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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

sbm81tw

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k200630901

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balam2018

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sslin

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myokd

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