spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得？

sereniva

小弟目前使用TSMC .18的model
; J4 Y0 r" D1 t想要找出MOS的μ0、ro、Cox等數據，來設計電流、電壓值
: t( J* ~5 @' i) Q. Y( i9 K但是卻不知該怎麼從 .l檔案裡面去找出這些數據
! _/ a& c5 T% Z" R
目前大概知道μ0就是裡面的U0
' V) B( D+ |( u8 B但是ro=va/id，這個va值要怎麼知道呢？
# o+ n4 `! z% X' N$ U還有Cox=εox/tox，εox的值也不知道怎麼獲得？

有好幾個參數不知道數據是都多少，真的不知道該怎麼設計了...
電子學的那套計算方式根本沒辦法使用
: m6 u4 n2 @5 ~+ z只能亂tune W和L的值，真的好累

% F. b& ~4 c2 ?! D1 a. G5 f/ {請前輩們指導我一下該怎麼跨出第一步呀
感恩

skiptoo

关于εox，这是sio2的介电率 其值可通过计算得到，为sio2的相对介电常数*真空介电率 所以这个值基本是个固定值
/ F9 u- t& J) b) s  P$ d4 @tox可通过查看制程文件得到。
# \0 E  H: Q' A# s7 x& o  W关于ro，在高阶模型里面LAMBDA就很难手算出来了，可以通过跑传输曲线看出个大概

rice019

Cox其實製程文件裡面會寫
1 f& k1 P2 F3 @( M也可以跑模擬看出 比如說跑個 1/1的mos
spice檔加 .option captab
6 N  V& P: {7 C看lis檔就會有電容大小 cgtotal
0 N' H6 p/ |, c) e* t* d+ Q除以面積就是單位電容
不過電容跟厚度有很直接關係
類比工程師也需要有個概念
/ e) z& y+ ]/ ^5 J( Lgate oxide 90A 1x1um大概3fF
70A的接近5fF以此類推