請教這個VCO電路架構是如何操作的

ineedbed

如題，此篇論文提到利用基體偏壓來使Vth降低已達到電流的降低，還有利用M5、M6來使整個交叉耦合電路gm增加來降低相位雜訊，
但是我實際用ADS模擬之後發現M5、M6在沒外加電壓的情況下根本無法操作在飽和區，M3、M4也不會有基體偏壓，想請問各位大大若要使這架構能夠操作要如何設定咧?
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