带隙基准PNP面积大小如何选取？

zhuxiaoqiong

在CMOS制程中，縱向PNP管的面积有10*10，5*5，2*2的，我们在做设计时该如何选取呢？

以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
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BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作



3 ^  j/ Q. l1 `! x0 {* G[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]

Oo海闊天空oO

在CMOS製程中的Bipolar Transistor中
10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!
2 }6 e3 G. k, ]7 x面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~
且Vbe=nVt*ln(Ic/Is)
9 q3 P% a7 |5 E& h( OEmitter面積越大~~Is就越大~~
相對的~~VBE就會下降~~
* g# X4 `4 v7 V- m- \但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,
! r0 D5 \# o1 W7 r都在0.63V~0.72V間~~
4 ]/ k8 A+ B+ x" a因此就看你自己的需求了~~

- @3 M. E1 _0 d如果有錯..還請其他大大賜教^^"

monkeybad

建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小

zhuxiaoqiong

Oo海闊天空oO，monkeybad，謝謝二位的作答。

還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好，是什么原因？三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2，但beta又是2*2>5*5>10*10，這種選取是基于這樣的折中考慮嗎？

% _' m$ C! d: ?( R) C2 k如monkeybad所說，我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。

jerryhao

no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it  just be used as a diode.
but analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.

tony9211

比較新的製程有提供mismatching model後
BJT mismatching沒有想像中的大
也許2x2已足夠