bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
; [1 z" i: r" ]+ l9 }8 c+ r) `; Sop db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
# s. ^  s' }6 O; N' K- k' m: R不知是OP還是帶差出了問題??
( k, W8 @% H- @  q6 r" U; a( r請各位大大幫忙

: i; }  j' O4 V* O& y
+ J: {- ^$ P# f% v' _以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
% m! ?% w! N6 H. K* `' O; Xbandgap voltage reference?
- g& e/ S5 I* }bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
) D, a1 t$ w% `! I5 y請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
2 C0 N- D% n9 I- sBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
5 }0 w/ c3 o% z  d% h: c
2 O$ _4 y. a, n" \) ]6 x
* d/ {$ I* X& ~
3 M" @4 l3 j8 Q$ P: D[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
$ D/ V1 I! W" G5 C, S4 }/ B6 D' V至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的

* P* s& k0 a& l' U如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
. ]0 m: b7 i# w3 K; p# e我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
6 @$ B: [/ ?( s/ N1 ^我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25

你還是秀圖吧~~
  x& A; U( h9 N
/ n8 E# o# {/ Z, Z" Tmos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

% `# S; c* U2 G! A" l帶差:
# s* [, K& c3 P  M2 k( \6 F
大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)

- E1 l# s) a* D/ N9 k( b) r但是我的OP增益卻下降到很低
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
2 x; j  N. A- P0 V請問大大:
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
$ x# u9 K3 o5 F) [% ]7 Z+ @  j2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
4 y2 ~, q6 L# H現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
/ j& s' E$ I  |( |. ?6 T" l
% f1 B" X9 `& L[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

下圖左半部是幹啥用的? start-up?
. f0 u# T, j7 l6 G- c) a
如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?

如果不是...還請指教是幹啥的...
9 D4 V7 m( {1 x3 O+ G
% X  ~% ?- l% J8 H3 i! Z) C你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
; h) j  U5 e% M1 n/ ?4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
$ b- e* X! P) B' l& r0 I下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
, M2 x- X8 e, V# x請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
% _; |" a  B7 t. K1 c* t- g主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
6 T$ ~  g# o8 O  g因為不少人也是用這種電路當bias的
4 P* p, b8 v5 c5 y4 Y+ ]2 b0 I: H9 \5 v
9 f9 L; w2 M- y+ q回finster大大
6 |  n+ m- r: ~$ r: z. n我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
0 W5 h! `% Q# p9 y' h  u6 K$ B5 n, G以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)

# N6 ?) D& o. n我的bjt顆數比為8:1
我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
* N  o! }/ w; u  r: S" ]  D我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u

  c" p. Y- O- s# P. V[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
/ P- a6 h% W. ~4 A" `  X9 P
" A- A* |7 ~9 a5 q  J根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
7 _6 ?9 M- h* O2 ^
此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

7 Q8 G$ o  H$ R5 n1 T2 `所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
" H" S6 v; d7 ?) T: {
因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差

' W: i3 f: s$ Z, i0 P加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG

5 b2 }( z* ^, `, h5 n/ R3 |1 L也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端

BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
$ V+ F$ ^6 l2 G1 D, g
建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
+ a7 G9 s3 ?4 m9 }最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩
& b$ K$ j6 B6 O2 V9 y