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DIGITIMES Research:TSV 3D IC面臨諸多挑戰 2016年將完成多種半導體異質整合水準0 U8 [, C' l: h
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(台北訊) TSV 3D IC技術雖早於2002年由IBM所提出,然而,在前後段IC製造技術水準皆尚未成熟情況下,TSV 3D IC技術發展速度可說是相當緩慢,DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析,直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術加以堆疊推出體積更小的鏡頭模組後,才正式揭開TSV 3D IC實用化的序幕。
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於此同時,全球主要晶片製造商製程技術先後跨入奈米級製程後,各廠商亦警覺到除微縮製程技術將面臨物理極限的挑戰外,研發時間與研發成本亦將隨製程技術的進步而上揚,因此,包括IBM、三星電子(Samsung Electronics)、台積電(TSMC)、英特爾(Intel)、爾必達(Elpida)等晶片製造商皆先後投入TSV 3D IC技術研發。
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至2011年第4季,三星與爾必達分別推出採TSV 3D IC同質整合技術高容量DRAM模組產品,並已進入送樣階段,台積電則以28奈米製程採半導體中介層(Interposer)2.5D技術為賽靈思(Xilinx)製作出新一代現場可程式邏輯閘陣列(Field Programmable Gate Array;FBGA)產品。
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然而,柴煥欣說明,各主要投入TSV 3D IC半導體大廠除面對晶圓薄型化、晶片堆疊、散熱處理等相關技術層面的問題外,隨TSV 3D IC技術持續演進並逐漸導入實際製造過程中,前段與後段IC製程皆出現更多隱藏於製造細節上的問題。 |
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