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[問題求助] 带隙基准PNP面积大小如何选取?

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1#
發表於 2008-10-20 09:14:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在CMOS制程中,縱向PNP管的面积有10*10,5*5,2*2的,我们在做设计时该如何选取呢?! P* ^' K8 J9 H$ e* \5 M

! L, Y4 |. \' q8 k* E9 A以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:- v1 X6 A' M  n7 X
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4 F: m, ~! p4 U4 C% _2 A5 f+ b/ p6 J) I& k3 a# {

: C/ |+ {$ O& m7 ^
0 e& L  ]2 A) I( t% c[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-10-21 11:13:37 | 只看該作者
在CMOS製程中的Bipolar Transistor中
- p/ ]2 [7 i* ^2 Y5 @5 X  L10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!
( l$ _- l' i' A5 H) Q3 A面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~' Z/ H' R  |2 t1 e# ^8 E9 h
Vbe=nVt*ln(Ic/Is)% I! x/ k1 C# w$ W4 U. K) b
Emitter面積越大~~Is就越大~~
. c5 S: l8 w7 D9 p  J4 J5 g相對的~~VBE就會下降~~% D  t9 [& P( }& X$ K( _5 u5 d
但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,3 {) [2 B8 ^7 h# ?4 {
都在0.63V~0.72V間~~# y: [0 J7 }, `% _# M
因此就看你自己的需求了~~
# _  P* ]4 I4 k' r: X+ }
* {) h( c7 U6 z# R6 U" ?/ t- _# ]如果有錯..還請其他大大賜教^^"
3#
發表於 2008-10-21 13:12:43 | 只看該作者
建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小
4#
 樓主| 發表於 2008-10-22 10:32:13 | 只看該作者
Oo海闊天空oO,monkeybad,謝謝二位的作答。
4 ~, `2 I) O) V: `. v- q
8 E4 W$ f) g% x* Y還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好,是什么原因?三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2,但beta又是2*2>5*5>10*10,這種選取是基于這樣的折中考慮嗎?
" N! D9 e+ }3 f2 Q: H; J0 I/ y7 P5 k, _
如monkeybad所說,我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。
5#
發表於 2008-10-22 16:02:48 | 只看該作者
no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it  just be used as a diode.
8 ]" P" e/ g% {: ]0 m8 ?3 cbut analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.
6#
發表於 2022-10-8 16:06:03 | 只看該作者
比較新的製程有提供mismatching model後9 ^' l- i4 y: t8 X( t/ w, y
BJT mismatching沒有想像中的大
* f- r" E9 I) z; }5 f% i也許2x2已足夠
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