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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18
0 Y  P, ^4 j& u' ~4 p1 S, ]: Y& r5 o* Q
---RUN DRC----------( `4 ?& K3 X% Y. o) B1 A- T" s
出現error7 r, G1 ~: b& D$ L( q% ~
7 d' F3 B0 a: B  ~  p
1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors' b  A9 ~7 s* K5 C, L8 F
(OD WITHOUT IMPLANT)
! `2 |2 j* ~( s! m% b* W8 l( A
3 m- o' O6 T& e: d  u" q+ M$ ^2.CHECK M1.E.2- 8 errors: M  _4 c3 f& s) A& q* U) o
M1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
% Q; L$ N" p( V* SC0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite- |+ y4 B- N" ]) W" p
INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)% _6 Z. r$ m/ P0 \& p
% A* @% \- X+ C% G& Q- C7 a; L
3.CHECK P0.R.3 -1 errors: ?5 J* u: Q" Z2 P: d) K# R
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)8 e- R* K: m) ^3 b( w+ O
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY' x9 q" E& O/ F- d
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print
9 L, X8 ~$ g3 V5 P% g7 G7 {1 P& w, TAREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND): c: y# s, p+ F+ v& y
.6 b" G% y* l& ~
.! w- O& G0 U) D" ~- N4 h: E- d
.7 _+ K( ]2 D$ i% Z+ v
類似錯誤
8 D0 `: u" ?. J) P0 d" W- m
& y/ E  H. {' A0 Q/ R( b8 u) e4 F

0 n+ g+ ~, |2 l* j. l. a( E. l" S- q% i( ^
1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,/ o/ ^6 ]3 u# e+ u. M0 [5 u
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?
7 |2 \& G3 @  Y- y  t1 gex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的
9 k' Y& ?+ Q  U( S; i2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切& Q2 y$ X' V* T  C1 x) ~5 a: V
都是憑經驗
5 M. v  i- D+ B: Y
) D+ f5 ~. v: _" e( w* A- [* p初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant5 i( J7 @2 `6 [- p" W2 W1 _
2.是左右MT1 extension co 需0.0um
5 J6 f/ \# M5 P4 v3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
7 T" w2 L6 X9 C我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程9 s8 z4 f# U/ V. F2 j9 H

3 i+ k7 R8 j# H, d/ h6 y: z這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?
+ s+ C6 S& r* \# Q, E第三個coverage 可以忽略
+ O( r7 v1 w+ u) Q3 W8 ^- F要下線時再解決即可
% s* m7 M8 R9 g& J& {$ t
. K3 ^/ Y) g8 Hlaker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
; C4 j4 M9 v# X應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表 5 O0 j. P$ e  x+ n: s+ h
感覺您mos是自己建的?
+ d4 m* F9 u5 x% I- |第三個coverage 可以忽略
# O) U: z% }4 w& ^要下線時再解決即可
- [6 r# _8 v% \) B- o1 r( D& Z/ l7 ]9 n, m
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...$ h/ {7 {) b+ V% K+ q
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
9 v5 K, s" f9 _! u! t
! `) i7 n% y. X) }0 M

) ?% B6 z" C' N" bmos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣
1 g; I* J& ]( c3 E5 R( T0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um
5 g# |( _3 v1 R7 J- C$ \( P感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um& j/ R' f( Q3 {5 w3 j$ t; u0 l. D
=============================================
# ~& X- N& z% ]# w: T今天cic 有開放線上e-learning( w+ m5 P0 b% N) Q% Q6 B! D
趕快詢問您們lab的管理員
- `2 h3 e: V: \6 i2 h6 K4 n看有沒有開權限給您(要先加入cic會員). g6 d" r+ s: K3 X
裡面有教laker、full custom design concept- B" b: J& U) [- a
亦有hspice,都有一些不錯的技巧, h' a9 E% N8 R% @7 [  s0 x
要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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