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[問題求助] 高壓製程

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1#
發表於 2011-6-10 18:20:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout4 E4 y* i: {3 j  C6 L
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
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2#
發表於 2011-8-10 21:37:19 | 只看該作者
感謝大大無私的分享啊
  \( S2 w. n+ B6 q! Y1 a2 s) Y6 M3 ]. f5 V, |
感謝感謝~~~~~~~
3#
發表於 2011-9-1 10:46:44 | 只看該作者
咦!!~~~我只有看到問題
+ j7 N8 s' H& g  c; B有分享任何資訊嗎?!
3 U0 W. Q. l* ]8 u; w& s' N小女無材& J# |; B9 [- j* C8 G+ p$ P
看不懂勒
4#
發表於 2011-12-7 17:10:01 | 只看該作者
我勒个去,同没看到材料,为毛会有人感谢大大。
5#
發表於 2011-12-21 15:03:52 | 只看該作者
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
6#
發表於 2011-12-26 18:32:29 | 只看該作者
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧! l6 t8 s8 R' j( k" p
6 \, @& P, [3 [3 K1 F# Y4 P
這就是所謂的國王的答案嗎??XD
7#
發表於 2011-12-28 11:35:52 | 只看該作者
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout: }, ^5 Y! @8 u& C6 o% q
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...! f' L+ {) ^; D' I7 [0 Z. ^% [
b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM
5 c$ Y1 P) b* h3 x4 W# Q

. r3 s: p" ~. F* d( l個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗$ N% Y2 R7 k- u2 B/ Q4 W6 k( m
1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分
9 J, c8 R/ M$ D/ C* G   不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。) ~# R8 m0 X; M
   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分
# n% R4 B* d9 O; J' o5 S% O    LV
) _! g! a2 N- @    VbrDS<5V) j7 L% _8 y6 D6 W2 k8 b+ ~; l
      MV
2 A  K  e2 ]; ?& ], [     15V<VbrDS<25V" x( q7 F0 Z& w& s
      HV
2 i2 W: W, \7 ?4 w# q9 A/ i     30 <VbrDS<45V$ o; [$ h2 x$ b  V% _+ h* k: y
     45<VbrDS<80V- Z3 d4 X% N4 s1 Q
     UHV( _& _* D, \# G3 G1 m
     80<VbrDS<120V
0 w2 {9 L0 k- R5 G9 p1 l     500V<VbrDS
% e% R8 w# O- t$ `: i  @8 M     800V<VbrDS
4 B- `3 t8 w8 r4 }  ?  a, a5 A     目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。
& w# I8 k) J' ?  }
! ^( h$ b4 l6 x3 t* t( W+ n) i2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃! n" u: x& h2 ^; m2 Z. ~5 x* _9 \
   並理解器件的物理和電學特性
* p' _( \8 k) p2 R) h, l4 S' q; n   這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。
& d' D0 q; v6 o- G8 d4 e   一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。9 D: U6 w: T$ y% t; u3 o( G
   如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。0 S% y  Q' Q$ y: w5 r/ Y
   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,7 j# ~  g0 }# N" c3 M1 W; Y6 G  b
   IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。, Y# G; Z* I; l' `  J8 h
   理論的學習,) e; s# U  k2 K' n1 o6 l4 ?' y
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。
/ ?3 n* m. h: Q( m   原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。* q9 F6 B6 D) H# _) j+ T6 U4 j2 z9 n+ A

  o5 Z3 h% `$ g; v2 ~& I3:實踐
0 q1 U" Q, m  r9 w$ o   檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。
0 W. ^" A4 Y! I   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有' e2 Z& f( F6 r9 o
   參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。9 y8 s9 w) @, S7 Y# h
   特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。
2 e( G3 d) h1 ?6 }2 J. H
* @: T' S, c* c3 x: h( v4:Reverse engineering
0 `7 h' H1 ~) t. ~0 k" [    對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。
& r& e6 b% x! I6 |. N+ h
: r' `% C9 f4 y$ A: s淺見,歡迎拍塼!
8#
發表於 2012-2-28 15:27:12 | 只看該作者
楼上有爱,又学到东西啦!
9#
發表於 2012-3-1 19:50:34 | 只看該作者
感謝大大這樣熱情分享資訊,
10#
發表於 2012-4-13 12:25:16 | 只看該作者
大家都是不明真相的围观群众啊
11#
發表於 2012-4-13 14:41:19 | 只看該作者
回復 7# CHIP321
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