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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring& t+ @9 L' C( G
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
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發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,
. h0 H1 p" t/ f1 W+ G# U畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
0 N0 L5 y2 o- f* M' \) C6 G/ U如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR& @5 _' _' l. `& [/ ~! z0 s- W
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,
3 U: r8 W( m. y! z! VNGR就是metel+cont+diff+np," d" y; h" q% X. f+ j$ w, H
PGR就是metel+cont+diff+pp,
" e+ b( T  A/ D0 a  Q3 y, N; K要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住,
# A; }* P: N. EGR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
( F$ L5 k# t' f% `$ n6 f% }; j  s5 D再圍上一層不同implant的Guardring
# [4 `: \* Y+ m9 |+ u$ Q3 S8 Z以達到雙重保護的功能
2 `8 J) O8 j  K! D% T
, w; p% J. m0 U* L9 p* w& w例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
  l+ q5 z1 }( ?. M! `1 X" u2 T再圍第二圈 就是PGR
) w* j: w8 _6 V; l
+ B; F2 {6 T( ^, t* s% k% D6 ^+ C) P必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候% b, \: O& V' v  K6 z
此圈Guardring必須加上NWELL  m9 i* g/ f# {" X2 j1 `( G  u
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring# q! n1 ?! c* W+ v+ @* A
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring( O$ v: E% x8 {4 [: ~8 c' h! h- q7 k
在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
, _: W" r6 y+ K* o
* g  m1 T5 N! j- ?' D! ylxRules(1 U  ~4 T% d2 ?5 N" N0 r+ N
2 \; A& T0 V5 ^2 V; Y" I& h: q
lxMPPTemplates(
. V( b5 ^7 l4 B  |; U;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )( m; j) Z9 F! P. E
;1 i4 f* F9 H- g, K$ |' Y3 K
; masterPath:0 N8 A# H6 Q  {( d) s
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
) n8 a+ P# P: W% z4 `! p# U[offset]
  r7 f: ]. r# G$ D; [connectivity])  J$ b' r9 e8 d( V' B4 x# M* b
;
& B6 f) ~6 c# E* O  \; offsetSubpaths:
1 X$ C1 E9 s5 c7 P! L3 v1 P. g* e; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
9 Y% X2 e: t: N% M" N" i+ G[endOffset]. S# ^; `' ]8 I3 z& }
; [connectivity])
) \9 j0 @* @8 [- h4 Y. Z;
3 |; R' @  C, n' ]; encSubPaths:4 A+ M, l* T+ j# b- W
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
% @) f' [4 [, r8 f# s0 o8 J5 |; [connectivity])9 _$ O. H% l7 x8 l. I0 {. L# |
;* W  f9 W  R' E  g; j
; subRects:! Z0 d# m. G: A4 l3 M, i' w# |9 }/ p
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
% A, x1 B' u$ \2 w0 t[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
3 {/ ?; ?; v+ X& @; [connectivity])4 u  p+ E. r7 g
;2 L. _- i, d' A7 A5 [
; connectivity:% j! r' }+ ]1 b- s, G/ O
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
' G2 q/ s  b# w; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]1 O, c8 r+ M: T% ^5 Y
; [refHandle] [offset])4 x6 f* N, H0 K3 \/ e# j+ C
;
' f: V  h# L3 O: d' w;( ---------------------------------------------------------------------6 b& ?/ v1 l1 X  `0 ?% u% g
)
1 C$ c) H6 a2 K, ]
% U* @7 j' X# C, `; m(PP_RING_ROW_1- S8 |9 [7 E# p$ b) @' ~# E
(("PIMP" "drawing") 0.46)# \% @* }' N% p* m, {
nil  K$ s; D& s* Z# u, A8 t
((("DIFF" "drawing") 0.02)
6 z0 ?$ Z/ ?6 L% [+ d; y1 Z5 \( A(("METAL1" "drawing") 0.06)6 E. ]1 n$ V, z1 J% i
): s) R5 ]1 x+ }7 t
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil5 F; ~1 j8 a! `6 E- g) o# S5 e% X
0.28 -0.25 -0.25)
- h! R  |9 p$ x: Q, ~)5 G$ g2 X3 {5 \" K
)$ \, u, y% [* o' q
..... any other MPP define..
2 ?6 M( e$ r" v5 G% y. C9 N..... ....
; t' S8 M0 x; [# k..... ..., O2 ]1 ^& d: p# u% h! w
3 N1 ^" @: B  v* V
) ; end MPP
: v+ {# ]4 b( \8 Z+ T.... other class: p' k* I0 e8 ]6 p6 r0 R; @
...
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的,# @+ ?, m* K0 l1 L2 Z  ]+ D) D
就會有類似laker的auto guardring功能一樣,. J7 W( }% F& H2 `( K& V% J3 E0 j2 E1 o
圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用0 _+ X* d. k. b
,還可以打雙排contact當esd ring。
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫; Q. r  d2 v$ G* S. G
謝謝# I2 d( O2 M: w' q" z
~~~~~
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!% S% c) ?/ x) [: z" o
NGR n-diff 就須接最高電位.
9 j& X! W2 ]. K: k$ g. G9 YPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.$ b" \- s  Y5 C/ Z, |( q
5 e2 i' x8 u& s6 ^( G. T
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
  B( m4 B* P: V2 u7 h% J+ p$ y  c
3 Q( P, P! {1 E8 \, q 共勉.
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!
' Q' @7 j1 @6 x$ {NGR n-diff 就須接最高電位.  z- ~7 e# D' r, s
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.  A- {3 U$ {8 N: w
) i6 ?8 t. e6 o) L; q' J* }1 |6 o
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
( t' ^. s( T( g- R5 C6 H- w0 t% K5 U" e" W/ o. t9 {
共勉.
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring
& d4 {' y) p  `1 G直接LAOD就可以用了& f! o% w6 \( r
DIFF6 a1 `5 q% L; N2 t& x0 I* I
PIMP
: C" o( j; s7 NMETAL1
9 ~6 H7 q$ w  jCONT
% }0 n6 e% C0 Y2 }LAYER請設定成以上名稱
8 f8 W, _5 y/ o6 A5 |- u* o$ w6 j$ i
[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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x
12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?, b! p  d7 s/ ]- N  H4 M! c8 Z
load后如何操作?8 D4 \- F! A" Q
谢谢了" J3 w9 T& H+ e
这样限制字符,有点不太好
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。: g0 v7 c2 T  V  m- z  ~& ?
9 R* q) A3 ^5 E: x5 b& z2 V
想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon
9 @- G4 M1 z  E* K2 @. D4 k- F: v1 k6 E/ l4 `  W, @" h& |  q  I
碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。
# ^4 Z, I- ~  ^/ u- ]非常感謝,請指教~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的
" S  w7 O; o& z& N( A: G不能亂接
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