關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
2 t) v* I0 @! H/ B1 h6 d之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
! j2 F! }+ ?& e1 ?因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
6 ]0 _2 O  |0 n' r' {# o6 i$ S
- ]) H2 g- k+ n5 e3 Y. i# b所以想請問一下大大~  
7 _9 }+ k# w+ x' kN型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
. V! _0 N( W1 W1 |1 s這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

2 s$ c3 e" k& s2 Q2 ?以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
9 v( T+ L' [. {: p$ JBandgap 如何做到好的line regulation?
  e. E( Q6 a3 U$ e/ w請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
5 {( h5 s+ y7 ~& K" P6 MBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
, |0 I) ]! u% k6 A, J0 z! o+ @


* p" B) r( [: r( u% C/ J" G0 }[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
6 v, p, M: M" V+ S+ L6 I9 J0 b應該是接成MOS diode的型態
7 p) \2 m& v( R
re:relax918
0 Z9 D9 u% q6 a" W+ B- C6 J" D可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
- D2 y1 O/ \! _% d這種架構就類似於Diode-connected Transistor
6 R6 Z, h9 a  N, W/ d. @二極體接法形式的電晶體
3 ^! R3 _/ w) n. m8 r' W這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
+ a# K! a" ?4 u! J; |3 L但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
& J2 j# q3 `' O; N2 R1 h
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
利用P-N junction的特性而已

所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
9 p, T$ G' [6 [0 ]2 s應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
) ^$ s3 R4 i7 I' b9 s2 N+ c
2 B) p2 ]) j& q: \2 q& W但是何者較穩定就不保證了
! _: K, V- M0 X5 R& q2 T* c
, y' ]" a& u' z1 k5 K! W  n  Z1 V因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
$ f/ }2 `: R: m$ {NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話  ...

感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉