運算放大器3db頻寬如何增加

e2000

小弟日前跑了幾個OP，有摺疊疊接也有兩級式的，但是3db頻寬總是很低，約只有幾十K左右，要如何才能達到數百M的3db頻寬呢?
. Z* i0 {$ Q# \7 }+ t4 l% L我目前只清楚尺寸調小讓L變小，可是總不能使用最小寬度的L去跑，想請問有經驗的大大能指教一下小弟嗎?

zorro

要取決於閣下所用的制程，Bipolar做input pair 要比CMOS的來得寬。相比之下，單級運放的頻寬會比二級運放的頻寬要寬（二級運放總要做補償吧，通常的MILLER式補償會犧牲3db來取一個合適phase margin），不過要做到數百Meg Hz似乎不容易，按照一個Gain為40dB的OP來算，它的GBW已經是數十GHz了，還要考慮寄生的效應及layout，相信layout後抽取出來的參數也會有很大的影響。

e2000

若是.35或者是.18的製程下，想要將3DB頻寬達到數百MHz主要要考量的點在於極點多寡以及寄生電容裡面嗎?
# v# H) B' v$ K那麼全差動式的且疊接越少的放大器是否會較好?

caesarxl

期待高人解答。我的看法只是来自课本，如果GBW一定的话，只能是牺牲增益来提高带宽，也就是降低运放的小信号输出电阻。如果想提高GBW，根据公式GBW=gm/(CL*2pi)，若不能降低CL，那么只好提高gm了。但gm的提高幅度有限吧。。。你这个是什么应用呢？增益什么要求？如果闭环应用，负反馈的接法也是可以将频带展宽的。但通常闭环增益都不会很高的。
9 @& L) K! b# a) ]7 |. L. n一家之言，仅供参考。还望高手解答。

semico_ljj

0.18工艺,55dB,GBW 100M很容易实现!
8 f, ]" x8 M8 A3 n" G- x, v1 N1 {但是65dB,GBW200M以上稍稍变复杂(难)!
你可以把图和参数给我,帮着看看!

semico_ljj

如果是要500M以上 两级就比较难做!最好是一级的!

e2000

目前是用TSMC.35製程在跑這顆，架構是單級的摺疊疊接放大器，3DB頻寬只跑到100K，增益55DB，消耗功率7.5mW
3DB要衝到100MHz以上真的是太難了。

liger

其實頻寬要高應該不難,要不很多高頻電路是如何作的,相信有很多高手可以幫你找到解答

mbission

如果是要接成負回授的放大器,open loop 3dB並非重點,是在意closed loop 3dB(即GBW of open loop)
如果是一般open loop放大器,要做到high BW,一定得採用cascade gain stage方式

semico_ljj

是用在哪里的?open loop ?or 成負回授的放大器?

semico_ljj

可能的问题, 您的W/L 设计的有问题!比如 W/L  2/0.5 满足条件 就没必要 4/1,也许两者产生的增益相近,但是寄生参数大不一样!

semico_ljj

0.35 的设计100M,65dB 应该不成问题!

e2000

用在哪裡?其實也不能說用在哪裡，只是老闆出的一個規格，之前模擬一個OP也是這架構的不過是.18的
, t+ t' m2 y/ L" f- F+ L6 C+ H但是那是給循環式ADC用的，3DB頻寬只到幾K而以，太小所以這次出個題目給我，頻寬500M，增益60DB的放大器，但是3DB頻寬要到500M實在有難度，如果是單一增益頻寬倒是還好。

semico_ljj

把折叠点作小,是TSMC工艺吧,有空自己也上手练一把!呵呵!500M太难了,没有信心啊!呵呵!
, U7 H& H: `# U) E! [但是说实话,ADC也没必要这么大的带宽吧!

e2000

目前自己跑的3DB頻寬也才到100K，實在離500M有段大差距，現在在看RAZAVI頻率補償的那章節也許能有所幫助。
. Z: H4 \% V8 o" y9 F現在這個OP並不是要設計給ADC用的，只是單純跑個頻寬大的OP而已

e2000

剛剛看了一下書，書上是說3DB那個主要極點影響在於負載電容，可是負載電容應該沒人在調的吧....，我把CL從5P調到1P之後3DB增加到1M了，可是感覺好像在作弊阿!!

semico_ljj

如果Cload是1P的话,做到100M~200M已经很不错了(个人经验)!电路中有两个极点,1.是负载 2. fold 点的寄生Cap
: x$ A1 n8 C4 [9 f/ m要提高 GBW,就是提高1/(RC),也就是减少R或者C(注意减小R意味着Gain减小),所以需要trade-off

semico_ljj

还有就是三个Vbias选择是否合理?
这三个数值的选择影响到input common level 和 output common level

e2000

經過計算出來的VB，照理說應該是合理範圍內，並非是用Try的。
4 L, p$ s* k4 |4 k感謝版大的熱心討論，讓我受益良多。
  a; v# ]6 D, Q1 ~9 V目前就是在調整負載端的PMOS，訊號走的地方我暫時先不去碰他，這樣應該會比較好點

[ 本帖最後由 e2000 於 2009-8-15 04:34 PM 編輯 ]

semico_ljj

到时做到什么成果了,及时上来说一下!呵呵