BJT或是DIODE在netlist中該如何描述..

sw5722

最近我公司的ic要從a廠轉投b廠,layer已經轉好了,由於designer在忙其他事,於是要我幫忙修改netlist,使它能對應原layout,
有問題的device經過改layer與model name大都解決了,包括正常BJT(指正方型的).
但是有一種pnp型的bjt,它是兩端相接用來當DIODE的,使用在esd部份,卻一直無法matching,外型是正常的bjt壓扁拉寬,我試
過用bjt或diode的方式描述但是都失敗了,不知道原因.以下是原本投a廠時所用的netlist.
( K3 B! R" f) C" m$ CX75 14 VCC DIODE_4X25 $T=96800 -26500 1 180 $X=47300 $Y=-27000
/ B; x4 B3 L  y* N4 B.
.
.
.SUBCKT DIODE_4X25 1 2
D0 1 2 DD AREA=1.4982e-10 PJ=6.12971e-05 $X=12000 $Y=12300 $D=25
.ends
============================================================================
這樣在a廠是可以的,但在b廠是抓不到device的,layer方面,我參考過command file跟pdk,都照它的layout了,還是說我必須朝
5 i6 m3 @5 @/ t2 }5 k1 Scommand file的修改下手,但我對command file不太熟,這個該怎麼處理.

motofatfat

把report 放上來看看
有時候是要加  
$ u+ X6 D  h9 sBJT  dummy and DIODE dummy
才會認出 BJT 和 DIODE

terriours

看看CDF参数中“diode的symbol名字”，然后试一下在netlist中diode后面加上[$"diode的symbol名字"]，希望對你有幫助。

sw5722

Layout    Source         Component Type
                ------    ------         --------------
Ports:             11        11

& u! l2 ?3 b% M0 c# y Nets:              23        23

  {8 b2 ?' {" m' E' }- u2 n. v& J8 Y Instances:          0         1    *    M (4 pins)
* C% a( P, X: y- t                     2         2         MN (4 pins)
1 W) w' ?* a6 p8 c9 o- Y7 T: E8 E                     1         1         MP (4 pins)
                     1         1         R (2 pins)
                    49        29    *    D (2 pins)
                ------    ------
; H, C" T! _4 g2 U. e Total Inst:        53        34


       * = Number of objects in layout different from number in source.



, [4 A( Y; F0 F/ {$ g/ V**************************************************************************************************************
" s7 I2 J; [4 c4 N                                 INCORRECT OBJECTS
, Y- Z  K+ K# [9 i8 v% b**************************************************************************************************************


4 }9 T% p3 i; X/ f. S9 d; O8 z( xLEGEND:
-------

) r% ~1 j/ @: F0 Q  ne  = Naming Error (same layout name found in source
        circuit, but object was matched otherwise).
# T: j& u# q# O: G( }* N
+ T. s8 a4 H& f0 u# R2 ^: ?
; R! A- T# M( r0 I( f6 p**************************************************************************************************************
2 `. ]& [- r! Q4 S                                   INCORRECT NETS
, }% R6 H+ |* ?! c& L0 c  U: b4 i
+ [0 ?- d* O6 T9 A, |5 d$ BDISC#  LAYOUT NAME                                               SOURCE NAME
. ?; r4 r2 c0 B  s0 A**************************************************************************************************************

  1    Net GND(688.800,122.000)                                  GND
: C+ H* `+ ^- A6 R0 S5 }       --------------------------                                --------------------------

       103(833.300,87.000)OS                                   ** missing connection **
0 }+ x: H- H- N% W/ B       102(833.300,60.000)OS                                   ** missing connection **
       101(833.300,33.000)OS                                   ** missing connection **
       100(833.300,6.000)OS                                    ** missing connection **
  k# f( G' k% f( g& C4 S7 F3 I       99(787.300,87.000)OS                                    ** missing connection **
       97(787.300,33.000)OS                                    ** missing connection **
; ]9 s# q) p% [6 K. s1 A       96(787.300,6.000)OS                                     ** missing connection **
       95(787.300,-21.000)OS                                   ** missing connection **
       92(640.100,80.500)OS                                    ** missing connection **
2 c* d" F: }- v+ j8 }- k; c       89(492.500,80.500)OS                                    ** missing connection **
% N0 _  V; @0 Q5 _' w" r& O% Q$ O, \       88(443.300,80.500)OS                                    ** missing connection **
. ]& |2 p: f0 N/ H1 ?9 w2 w       86(344.900,80.500)OS                                    ** missing connection **
- i/ P' \  |( E% g       84(246.500,80.500)OS                                    ** missing connection **
$ Z$ i) W) L3 L       80(53.300,87.000)OS                                     ** missing connection **
+ e  E; R+ j' E6 X6 X( P5 `       78(53.300,33.000)OS                                     ** missing connection **
       77(53.300,6.000)OS                                      ** missing connection **
6 f) x# p1 Y0 `4 W       75(7.300,87.000)OS                                      ** missing connection **
+ A# d6 \2 E* B8 `: G# U       74(7.300,60.000)OS                                      ** missing connection **
.......................................................................................................................
report其實蠻長的,大致來說,應該是從pad進來的diode出問題,dummy layer for lvs的部分,我都照b廠
3 o& `% Z2 z, o提供的pdk以及command file敘述的加了,應該是沒錯.
=======================================================
4 N2 H2 {$ n+ q) d  p& \關於"$"的作法也有試過,如下
* j% J1 {5 w0 K  PD0 1 2 0 AREA=1.4982e-10 PJ=6.12971e-05 $[DD]
不知道這樣寫有沒有錯,這樣寫的話,report上"D"的source就會變成0.
1 S5 s- i! q& v7 G0 [=======================================================
另外report中的"M"是一個nmos in nwell的穩壓電容,後來是發現b廠提供的command file沒寫這部份
也不知要不要在這問,還是找b廠要他們寫.

motofatfat

另外report中的"M"是一個nmos in nwell的穩壓電容,後來是發現b廠提供的command file沒寫這部份
2 `+ J$ {7 ~# ~7 k, g4 y8 V5 g; Z) x  b2 G' b, ^7 [也不知要不要在這問,還是找b廠要他們寫.

這個 最好找 b 廠寫
看來有任到 diode 了
5 `2 W7 Q& ]( t; a0 G但是你這個 netlist 似乎 沒有 BJT 元件

terriours

  }' U: n' Y6 A5 T7 {+ V' v

Layout    Source         Component Type
                ------    ------         --------------
Por ...
+ I$ P( _7 a: K9 p: |$ q# ^sw5722 發表於 2011-7-7 10:24

; o# b/ B& B( _1 Q+ H6 Z你加的那個 $[DD]其中DD是diode正確的參數名字嗎？有沒有看CDF啊？呵呵
8 a3 A1 x5 A5 k7 @& ~! G還有從calibre的report上看，source中地的節點不夠啊，给一个netlist和lvs rule中描写你所用的这个D的相关语句吧。
一起研究一下，应该不是什么大问题。

sw5722

D[DD]          1.8V diode P+/NW              (DIODE*TO*SP*TB-HV)
============================================
# e( S5 [! S. a上面是b廠command file裡寫的,須要覆蓋的layer.因為a廠是直接把它當diode,所以對應到b廠,就是[DD].
============================================
DEV D(DD) dpnw18 psd(POS) nwelcon(NEG)
" N& L2 u+ M' X2 A! U( Y5 g; QNETLIST MODEL "dpplnw"
    [PROPERTY A,pj
: r/ q& B9 d- D. T  s+ `7 A    A=AREA(dpnw18)
1 {, p( y. \: [    pj=PERIMETER(dpnw18)
============================================
上面是command file對dd的描述,如果用bjt去認的話,好像中心那塊面積是要正方型如2umx2um,才能
; r; \6 J5 F. f  w5 x/ p認出.

terriours

sw5722，你好。
5 m- U! h* Z, H& ?2 x我想你的這個問題是純粹的symbol和command file 的問題，我想了兩個方法：
1 x' Z0 m+ F% Y, m5 i! ]# u1、將netlist中的D器件名換乘dpplnw；
2、如果1不行，就在layout中用text層在D器件上標注上dpplnw字樣，如果還不行就應該問問fab里的相關人員。
希望能幫到你。

sw5722

D0 1 2 dpplnw AREA=1.4982e-10 PJ=6.12971e-05 $X=12000 $Y=12300 $D=25
$ ]7 `) J# @- |+ S' v2 z=======================================================
之前有將netlist改成以上模式,但report就會變成以下
32    66(793.800,66.800)  D(DD)                                 83/0/D0  D(dpplnw)
6 r- x2 h, m9 L  U         bad component subtype
=======================================================
( y0 y8 r8 R, d" y真的把它改成DD,也是不對,
"就在layout中用text層在D器件上標注上dpplnw字樣",這個是不是將dpplnw當一個port阿,不太了解

terriours

按照你這次的LVS結果來看，已經快接近正確的結果了。因為現在只是報出了subtype不對，因為版圖上認出的期間是DD，netlist對了。所以下麵要做的事情是看看design rule中dpplnw的layer機構和cross section，看看需不需要ID層。然後還是改netlist，並且在相應的layout中標上dpplnw，然後再進行LVS，這樣如果不對就是要和FAB聯繫，修改下command file的問題，或者你自己也可以嘗試修改一下，問題應該就可以解決了。
& G% c/ X( v, F8 f, j9 ~
還有就是標dpplnw是為了配合device的ID層，讓command file 可以認到這個device，不是將dpplnw當成一個port，一個器件怎麼能當成port，呵呵。

. ~) r: n9 t0 L3 E$ u祝你成功。（我想這次應該可以了，~0~）

sw5722

ID層的意思是否為dummy layer,基本上需要用的layer都已經從PDK,也就是它
的layout範例上知道了,command file也有註解,我上面寫的那個就是.
9 N+ E! n( ]! v2 X% C3 dD[DD]          1.8V diode P+/NW              (DIODE*TO*SP*TB-HV)
5 ^- @7 }4 d# v1 X0 z DIODE可能就是你說的ID層吧.

terriours

這個我不能確定，因為這個要看design manual，那個裏面會有說明.
順便問一下，現在你的LVS結果到什麽程度了啊？

sw5722

DIODE是給command file辨識的層,TO是diffusion,TB是nwell,SP是pimp,HV就是
' p& z( y, S( `0 }) [; _8 Q7 D高壓用的層,在這邊是沒用到.
lvs 結果還是一樣,已經沒招了,應該command file是有問題的,還好這個tape out日期
) j) |) `! }# f3 O6 g2 t/ d$ l較久,不然會被搞瘋.